[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制備方法及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310349727.6
• 申請(qǐng)日: 2013-08-12
• 公開（公告）號(hào): CN103413784A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔承鎮(zhèn);金熙哲;宋泳錫;劉圣烈
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77;G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 黃燦;安利霞

1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

在基板上形成有狹縫結(jié)構(gòu)的公共電極，以及與所述公共電極零交疊的狹縫結(jié)構(gòu)的像素電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在基板上形成有狹縫結(jié)構(gòu)的公共電極，以及與所述公共電極零交疊的狹縫結(jié)構(gòu)的像素電極的步驟包括：

在基板上形成柵級(jí)、柵線、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、數(shù)據(jù)線、源/漏極、鈍化層；

在形成有鈍化層的基板上形成狹縫結(jié)構(gòu)的保護(hù)層和鈍化層的圖形；

在形成有所述保護(hù)層和鈍化層的圖形的基板上，形成透明導(dǎo)電薄膜，所述透明導(dǎo)電薄膜用于形成位于所述保護(hù)層上的狹縫結(jié)構(gòu)的公共電極，以及位于所述狹縫結(jié)構(gòu)中的狹縫區(qū)域的像素電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在形成有鈍化層的基板上形成狹縫結(jié)構(gòu)的保護(hù)層和鈍化層的圖形的步驟包括：

在所述鈍化層上形成保護(hù)層；

對(duì)所述保護(hù)層以及所述鈍化層進(jìn)行構(gòu)圖，得到具有狹縫結(jié)構(gòu)的保護(hù)層和鈍化層的圖形。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，對(duì)所述保護(hù)層以及所述鈍化層進(jìn)行構(gòu)圖，得到具有狹縫結(jié)構(gòu)的保護(hù)層和鈍化層的圖形的步驟包括：

在所述保護(hù)層上形成光刻膠；其中，所述保護(hù)層為無機(jī)絕緣樹脂材料；

利用普通構(gòu)圖工藝，依次對(duì)所述保護(hù)層和鈍化層進(jìn)行刻蝕，得到具有狹縫結(jié)構(gòu)的保護(hù)層和鈍化層的圖形。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，對(duì)所述保護(hù)層以及所述鈍化層進(jìn)行構(gòu)圖，得到具有狹縫結(jié)構(gòu)的保護(hù)層和鈍化層的圖形的步驟包括：

通過曝光、顯影工藝形成狹縫結(jié)構(gòu)的保護(hù)層，其中，所述保護(hù)層為有機(jī)感光樹脂材料；

直接對(duì)狹縫結(jié)構(gòu)暴露出的鈍化層進(jìn)行刻蝕，得到具有狹縫結(jié)構(gòu)的保護(hù)層和鈍化層的圖形。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述陣列基板的制備方法，其特征在于，在基板上形成有狹縫結(jié)構(gòu)的公共電極，以及與所述公共電極零交疊的狹縫結(jié)構(gòu)的像素電極的步驟包括：

在基板上依次形成半導(dǎo)體層、源/漏極和數(shù)據(jù)線的圖形；

在形成有半導(dǎo)體層、源/漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形的基板上，依次形成柵極、柵線和柵絕緣層的圖形；

在形成有柵極、柵線和柵絕緣層的圖形的基板上形成保護(hù)層；

利用構(gòu)圖工藝對(duì)保護(hù)層和柵絕緣層進(jìn)行處理，形成狹縫結(jié)構(gòu)的保護(hù)層和柵絕緣層的圖形；

在形成有所述保護(hù)層和柵絕緣層的圖形的基板上，形成透明導(dǎo)電薄膜，所述透明導(dǎo)電薄膜用于形成位于所述保護(hù)層上的狹縫結(jié)構(gòu)的公共電極，以及位于所述狹縫結(jié)構(gòu)中的狹縫區(qū)域的像素電極。

7.根據(jù)權(quán)利要求2或6所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，形成透明導(dǎo)電薄膜后還包括：

通過構(gòu)圖工藝對(duì)所述半導(dǎo)體層、源/漏極上方的透明導(dǎo)電薄膜去除，得到最終的公共電極和像素電極的圖形。

8.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基板；以及

形成于所述基板上的狹縫結(jié)構(gòu)的公共電極，以及與所述公共電極零交疊的狹縫結(jié)構(gòu)的像素電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管或者頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管包括：形成于所述基板上的柵極、柵線、柵絕緣層，以及形成于所述柵絕緣層上的半導(dǎo)體層、數(shù)據(jù)線、源/漏極；

所述基板上還形成有位于所述半導(dǎo)體層、源/漏極之上的狹縫結(jié)構(gòu)的保護(hù)層和鈍化層的圖形，且所述保護(hù)層和鈍化層為疊層結(jié)構(gòu)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，在保護(hù)層和鈍化層的疊層結(jié)構(gòu)中，保護(hù)層比鈍化層的寬度寬。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管包括：形成于所述基板上的半導(dǎo)體層、數(shù)據(jù)線、源/漏極，以及形成于源/漏電極和數(shù)據(jù)線上的柵極、柵線和柵絕緣層；

所述基板上還形成有位于所述柵極、柵線上的狹縫結(jié)構(gòu)的保護(hù)層和柵絕緣層的圖形，且所述保護(hù)層和柵絕緣層為疊層結(jié)構(gòu)。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的陣列基板，其特征在于，在保護(hù)層和柵絕緣層的疊層結(jié)構(gòu)中，保護(hù)層比柵絕緣層的寬度寬。