[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201310349227.2
• 申請日: 2013-08-12
• 公開（公告）號: CN104051353A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發明（設計）人: 本間莊一;松浦永悟;志摩真也;向田秀子;青木秀夫
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;H01L23/31
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 陳海紅;段承恩

本申請以日本專利申請2013-51947號（申請日：2013年3月14日）為基礎并享受其優先權。本申請通過參照該在先申請而包括其全部內容。

技術領域

本發明涉及將半導體芯片再配置以進行再布線的扇出晶片級芯片尺寸封裝（WLCSP）結構的半導體裝置。

背景技術

以往，公開了將半導體芯片在支撐基板上再配置，再進行再布線的扇出WLCSP結構的半導體裝置技術。在該技術中，存在以下的問題。

在半導體裝置中，在進行溫度循環測試（TCT）的情況下，有可能在再布線層產生裂紋而出現斷線。此外，在TCT中形成于再布線層的絕緣樹脂產生裂紋，裂紋隨著TCT的循環增加而擴展。

在半導體芯片和形成于其外側的模鑄樹脂之間橫跨地配置焊料球的情況下，在TCT中在焊料球產生應力，存在更容易破裂的問題。

如果封裝內的半導體芯片厚度增加，則在TCT時，存在角部焊料球產生的歪斜增加而容易破裂的問題。

發明內容

本發明的一個實施方式的目的是提供具有長期TCT壽命且可靠性高的半導體裝置。

根據本發明的一個實施方式，一種半導體裝置，具有：半導體芯片；第一樹脂，其使所述半導體芯片的表面露出地埋入所述半導體芯片；第二樹脂，其在位于與所述半導體芯片的表面同一面上的所述第一樹脂的面上形成；布線層，其形成于所述第二樹脂上且與所述半導體芯片電連接；外部連接端子，其形成于所述布線層上；和金屬板，其在所述第一樹脂的與埋入有所述半導體芯片的面相對的相反側的面形成，該半導體裝置的特征在于，所述第一樹脂的彈性率為0.5～5GPa。

附圖說明

圖1是示意地表示第一實施方式的半導體裝置的構成的圖，（a）是俯視圖，（b）是（a）的A-A剖視圖。

圖2是表示進行模擬的結果的圖，（a）是表示進行作用于布線層的應力的模擬的結果的圖，（b）是表示進行關于TCT壽命的模擬的結果的圖。

圖3-1是表示觀察半導體芯片的芯片尺寸和邊緣部分的焊料球的變形狀況的變化的結果的圖。

圖3-2是表示芯片下的靠近角部的部分的焊料球的應力狀況的圖。

圖3-3是表示靠近作為沒有芯片的區域的封裝角部的部分的焊料球的應力狀況的圖。

圖3-4是表示焊料球變形的狀態的半導體裝置的圖。

圖4是表示求出使芯片厚度/金屬板厚度變化的情況下的焊料球的歪斜的結果的圖。

圖5-1是表示第一實施方式的半導體裝置的制造工序的圖。

圖5-2是表示第一實施方式的半導體裝置的制造工序的圖。

圖5-3是表示第一實施方式的半導體裝置的制造工序的圖。

圖5-4是表示第一實施方式的半導體裝置的制造工序的圖。

圖5-5是表示第一實施方式的半導體裝置的制造工序的圖。

圖5-6是表示第一實施方式的半導體裝置的制造工序的圖。

圖5-7是表示第一實施方式的半導體裝置的制造工序的圖。

圖5-8是表示第一實施方式的半導體裝置的制造工序的圖。

圖6是示意地表示第二實施方式的半導體裝置的構成的剖視圖。

圖7-1是表示第二實施方式的半導體裝置的制造工序的圖。

圖7-2是表示第二實施方式的半導體裝置的制造工序的圖。

圖7-3是表示第二實施方式的半導體裝置的制造工序的圖。

圖7-4是表示第二實施方式的半導體裝置的制造工序的圖。

圖7-5是表示第二實施方式的半導體裝置的制造工序的圖。

附圖標記說明：

1?半導體芯片???2?第一樹脂???3?樹脂層???4?再布線層???5?外部連接端子???6?金屬板???7?第四樹脂層???10?硅基板???11?鈍化膜（絕緣膜）???31?第一開口???32?第二樹脂層???41?布線層???42?第三樹脂層???43?第二開口???51?襯底層???52?焊料球???D、L?切割線

具體實施方式

下面參照附圖來詳細說明實施方式涉及的半導體裝置及其制造方法。再有，本發明不限于這些實施方式。此外，在以下所示的附圖中，為了便于理解，而存在各部件的比例尺與實際不同的情況，表示上下左右方向的術語表示以將附圖上的標記作為正方向情況的下為基準的相對方向。

第一實施方式