[發(fā)明專利]噴淋頭以及氣相沉積反應(yīng)腔

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310347789.3
• 申請日: 2013-08-09
• 公開（公告）號: CN103436858A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁秉文
• 申請（專利權(quán)）人: 光壘光電科技（上海）有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/452
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種用于氣相沉積的反應(yīng)腔的噴淋頭，所述反應(yīng)腔包括氣體反應(yīng)區(qū)域，所述噴淋頭鄰近所述氣體反應(yīng)區(qū)域設(shè)置，所述噴淋頭用于向所述氣體反應(yīng)區(qū)域輸出反應(yīng)氣體，所述噴淋頭至少包括第一源氣體腔和冷卻腔，所述第一源氣體腔內(nèi)通入第一源氣體；

其特征在于：所述噴淋頭還包括一離子化腔，所述第一源氣體腔設(shè)置在所述噴淋頭背離所述氣體反應(yīng)區(qū)域的一側(cè)，所述離子化腔設(shè)置在所述噴淋頭面向所述氣體反應(yīng)區(qū)域的一側(cè)，所述離子化腔內(nèi)通入第二源氣體，以對所述第二源氣體進(jìn)行離子化，所述離子化腔與所述氣體反應(yīng)區(qū)域之間設(shè)置有出氣通道，所述離子化腔與所述氣體反應(yīng)區(qū)域之間通過所述出氣通道連通，所述第一源氣體腔至少與一第一氣管連通，所述第一氣管穿過所述冷卻腔和離子化腔，并連通所述氣體反應(yīng)區(qū)域；

其中，所述第二源氣體的分解溫度高于所述第一源氣體的分解溫度。

2.如權(quán)利要求1所述的噴淋頭，其特征在于：所述第一源氣體腔和所述冷卻腔之間還設(shè)置有一第二源氣體腔，所述第二源氣體腔內(nèi)通有所述第二源氣體，所述第二源氣體腔與至少一第二氣管連通，所述第二氣管穿過所述冷卻腔，并連通所述離子化腔，以向所述離子化腔內(nèi)通入所述第二源氣體，所述第一氣管還穿過所述第二源氣體腔。

3.如權(quán)利要求1所述的噴淋頭，其特征在于：所述第一源氣體腔、冷卻腔和離子化腔依次層疊設(shè)置，所述離子化腔還具有一氣體輸入管，所述第二源氣體通過所述氣體輸入管流入所述離子化腔。

4.如權(quán)利要求3所述的噴淋頭，其特征在于：所述氣體輸入管位于所述離子化腔的側(cè)壁。

5.如權(quán)利要求1-4中任意一項(xiàng)所述的噴淋頭，其特征在于：所述離子化腔中具有相對設(shè)置的第一電極以及第二電極，在所述第一電極和第二電極之間施加射頻信號。

6.如權(quán)利要求5所述的噴淋頭，其特征在于：所述第一電極為所述離子化腔的頂壁，所述第二電極為所述離子化腔的底壁，所述第一電極和第二電極之間具有一絕緣墊。

7.如權(quán)利要求6所述的噴淋頭，其特征在于：所述絕緣墊為所述離子化腔的側(cè)壁。

8.如權(quán)利要求1所述的噴淋頭，其特征在于：所述出氣通道為氣體孔。

9.如權(quán)利要求8所述的噴淋頭，其特征在于：所述氣體孔的直徑大于所述第一氣管的直徑，所述第一氣管設(shè)置于所述氣體孔中。

10.如權(quán)利要求1所述的噴淋頭，其特征在于：所述第一源氣體為三甲基鎵、三甲基鋁或三甲基銦中的一種或幾種的組合，所述第二源氣體為磷化氫、砷化氫或氨氣中的一種或幾種的組合。

11.一種氣相沉積反應(yīng)腔，其包括腔體、用于裝載襯底的托盤和噴淋頭，所述托盤設(shè)置于所述腔體的底部，所述噴淋頭設(shè)置在所述腔體的頂部并與所述托盤相對設(shè)置，所述托盤與所述噴淋頭之間限定氣體反應(yīng)區(qū)域，所述噴淋頭用于向所述氣體反應(yīng)區(qū)域輸出反應(yīng)氣體，其特征在于：所述噴淋頭為如權(quán)利要求1-10中任意一項(xiàng)所述的噴淋頭。

12.如權(quán)利要求11所述的氣相沉積反應(yīng)腔，其特征在于：在氣相沉積工藝時，所述托盤的溫度為500℃～900℃。