[發明專利]存儲器制造工藝及以其制造的存儲器結構

有效

• 申請號: 201310347150.5
• 申請日: 2013-08-09
• 公開（公告）號: CN103633094A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 威維克蓋普藍;羅伯克爾;蔡鴻明
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

1.一種存儲器制造工藝，其特征在于，包括：

提供基底，其中該基底中有多個溝渠及埋入至該些溝渠中的多個導線，該基底有陣列區，且各該導線有陣列部分位于該陣列區中；

在該基底上定義與該陣列區分離的接觸區，其中各該導線有接觸部分位于該接觸區中；

對在該些導線的該些接觸部分之間的該基底進行蝕刻至低于該些導線的頂部，以在該些導線的該些接觸部分之間形成多個間隙；以及

以絕緣層填充該些間隙。

2.根據權利要求1所述的存儲器制造工藝，其特征在于，還包括：在各該導線的該接觸部分上形成至少一接觸插塞。

3.根據權利要求1所述的存儲器制造工藝，其特征在于，還包括：在蝕刻該基底之后、填充該些間隙之前，形成覆蓋該些導線的該些接觸部分的實質上共形的保護層。

4.根據權利要求3所述的存儲器制造工藝，其特征在于，還包括：在各該導線的該接觸部分上，穿過該保護層而形成至少一接觸插塞。

5.根據權利要求1所述的存儲器制造工藝，其特征在于，該絕緣層包括旋涂式介電層。

6.根據權利要求5所述的存儲器制造工藝，其特征在于，以該絕緣層填充該些間隙的步驟包括：

在該基底上涂布旋涂式介電材料；

將該旋涂式介電材料致密化；以及

通過化學機械研磨移除在該些間隙之外的經致密化的該旋涂式介電材料。

7.根據權利要求1所述的存儲器制造工藝，其特征在于，所提供的該基底上有用以定義該些溝渠的圖案化罩幕層，且在蝕刻該些導線的該些接觸部分之間的該基底之前，先對該接觸區中的該圖案化罩幕層進行蝕刻。

8.根據權利要求1所述的存儲器制造工藝，其特征在于，該些導線為動態隨機存取存儲器的字符線。

9.根據權利要求1所述的存儲器制造工藝，其特征在于，該接觸區的寬度為500nm到550nm。

10.根據權利要求1所述的存儲器制造工藝，其特征在于，經蝕刻的該基底的頂部比該些導線的頂部低7.5～10nm。

11.一種存儲器結構，其特征在于，包括：

基底，該基底中有多個溝渠，且該基底上有陣列區及與該陣列區分離的接觸區，其中在該接觸區中的該基底的表面低于在該接觸區外的該基底的表面；

多個導線，各該導線埋入至各該溝渠中，且具有陣列部分位于該陣列區中及接觸部分位于該接觸區中，其中該接觸部分突出在該接觸區中的該基底的該表面之上；以及

絕緣層，填充在該接觸區中的該些導線的該些接觸部分的突出部分之間的間隙中。

12.根據權利要求11所述的存儲器結構，其特征在于，還包括位于各該導線的該接觸部分上的至少一接觸插塞。

13.根據權利要求11所述的存儲器結構，其特征在于，還包括覆蓋在該些導線的該些接觸部分上的實質上共形的保護層。

14.根據權利要求13所述的存儲器結構，其特征在于，還包括位于各該導線的該接觸部分上且穿過該保護層的至少一接觸插塞。

15.根據權利要求11所述的存儲器結構，其特征在于，該絕緣層包括旋涂式介電層。

16.根據權利要求11所述的存儲器結構，其特征在于，該些導線為動態隨機存取存儲器的字符線。

17.根據權利要求11所述的存儲器結構，其特征在于，該接觸區的寬度為500nm到550nm。

18.根據權利要求11所述的存儲器結構，其特征在于，在該接觸區中，該基底的表面比該些導線的該些接觸部分的頂部低7.5～10nm。