[發明專利]波導結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201310346904.5
• 申請日: 2013-08-09
• 公開（公告）號: CN104216046A
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發明（設計）人: 曾俊豪;郭英顥;陳海清;包天一
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G02B6/122
• 分類號: G02B6/122;G02B6/13;G02B6/42
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種波導結構，包括：

襯底，所述襯底具有互連區域和波導區域；

溝槽，形成在所述襯底中，所述溝槽具有傾斜的側壁表面和基本平坦的底部；

底部覆層，形成在所述襯底上，所述底部覆層從所述互連區域延伸至所述波導區域，并且所述底部覆層充當所述互連區域中的絕緣層；以及

金屬層，形成在所述傾斜的側壁表面上的所述底部覆層上。

2.根據權利要求1所述的波導結構，還包括：

核心層，形成在所述波導區域中的所述底部覆層上；以及

頂部覆層，形成在所述核心層上，所述波導結構由所述底部覆層、所述核心層和所述頂部覆層形成。

3.根據權利要求1所述的波導結構，其中，所述核心層的折射率大于所述底部覆層的折射率，并且折射率的差在約0.02至約0.2之間的范圍內。

4.根據權利要求1所述的波導結構，其中，所述金屬層包括鋁（Al）、銅（Cu）、銀（Ag）、金（Au）或它們的組合。

5.根據權利要求1所述的波導結構，其中，所述傾斜的側壁表面的傾角的范圍在約42度至48度之間。

6.根據權利要求1所述的波導結構，其中，所述金屬層還形成在所述互連區域中的所述底部覆層上。

7.根據權利要求6所述的波導結構，還包括：

再分布層（RDL），形成在所述互連區域中的所述金屬層上。

8.根據權利要求1所述的波導結構，其中，所述底部覆層的厚度范圍在約1μm至約10μm之間。

9.一種電-光器件，包括：

襯底，所述襯底具有互連區域和波導區域，并且所述波導區域具有反射區域和波傳播區域；

溝槽，形成在所述波導區域中的所述襯底中；

底部覆層，形成在所述襯底上，所述底部覆層從所述互連區域穿過所述反射區域延伸至所述波傳播區域，并且所述底部覆層充當所述互連區域中的絕緣層；

金屬層，形成在所述反射區域中的所述底部覆層上；

激光二極管，安裝在所述襯底上；以及

光電二極管，安裝在所述襯底上。

10.一種制造波導結構的方法，包括：

提供襯底，所述襯底具有互連區域區和波導區域；

在所述襯底中形成溝槽，所述溝槽具有傾斜的側壁表面和基本平坦的底部；

在所述互連區域和所述波導區域中的所述襯底上形成底部覆層；以及

在所述傾斜的側壁表面上的所述底部覆層上形成金屬層。