[發(fā)明專利]圖像拾取裝置和圖像拾取系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310345012.3 | 申請(qǐng)日: | 2013-08-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103579274A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-02-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 巖田旬史;乾文洋;渡邊高典;篠原真人 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 佳能株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 歐陽(yáng)帆 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 搜索關(guān)鍵詞: | 圖像 拾取 裝置 系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本公開(kāi)涉及具有用于供給基準(zhǔn)電位的觸點(diǎn)的圖像拾取裝置。本公開(kāi)還涉及包括濾色器的圖像拾取裝置。
背景技術(shù)
在作為半導(dǎo)體裝置的圖像拾取裝置的半導(dǎo)體襯底中,對(duì)每個(gè)像素來(lái)說(shuō),蓄積在把信號(hào)電荷作為多數(shù)載流子的第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域中的信號(hào)電荷由把信號(hào)電荷作為少數(shù)載流子的第二導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域隔開(kāi)。向第二導(dǎo)電型的半導(dǎo)體區(qū)域供給基準(zhǔn)電位的基準(zhǔn)觸點(diǎn)設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上。日本專利公開(kāi)No.2009-289872和2011-14773描述一種其中襯底觸點(diǎn)不是均勻地分布在像素之中而是只分布到特定像素的技術(shù)。
在圖像拾取裝置的圖像拾取單元中,二維地排列各自包括在半導(dǎo)體襯底內(nèi)的光電轉(zhuǎn)換元件和在半導(dǎo)體襯底上的濾色器的像素。在日本專利公開(kāi)No.2009-26984中公開(kāi)的固態(tài)圖像傳感器件中,像素具有排列成拜耳圖案的相應(yīng)濾色器。各自包括一個(gè)R像素、一個(gè)B像素和兩個(gè)G像素的基本的2×2像素單元被排列成矩陣。在像素中生成的信號(hào)電荷與透過(guò)像素的濾色器的光的強(qiáng)度相關(guān)聯(lián),并且根據(jù)信號(hào)電荷形成彩色圖像。如果光實(shí)際透過(guò)的濾色器和與由光生成的信號(hào)電荷相關(guān)聯(lián)的像素的濾色器之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系不適當(dāng),那么在捕捉的圖像中會(huì)出現(xiàn)混色。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本公開(kāi)的第一方面的圖像拾取裝置包括其中排列有像素的像素部分。所述像素各自包括把信號(hào)電荷作為多數(shù)載流子的第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體區(qū)域,和把信號(hào)電荷作為少數(shù)載流子的第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體區(qū)域,第二半導(dǎo)體區(qū)域鄰接到第一半導(dǎo)體區(qū)域,第一半導(dǎo)體區(qū)域被布置在第二半導(dǎo)體區(qū)域和半導(dǎo)體襯底的表面之間。兩個(gè)相鄰像素的第一半導(dǎo)體區(qū)域由第二導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體區(qū)域隔開(kāi),所述兩個(gè)相鄰像素的第二半導(dǎo)體區(qū)域電連接到第三半導(dǎo)體區(qū)域,并且在半導(dǎo)體襯底的所述表面上,設(shè)置通過(guò)第三半導(dǎo)體區(qū)域向第二半導(dǎo)體區(qū)域施加基準(zhǔn)電位的基準(zhǔn)觸點(diǎn)。所述像素部分中的所述基準(zhǔn)觸點(diǎn)的數(shù)目小于所述像素部分中的所述像素的數(shù)目的四分之一。所述像素部分包括位于每個(gè)基準(zhǔn)觸點(diǎn)附近的第一類像素和第二類像素。所述表面和第一類像素的第二半導(dǎo)體區(qū)域之間的距離小于所述表面和第二類像素的第二半導(dǎo)體區(qū)域之間的距離。所述基準(zhǔn)觸點(diǎn)和第一類像素的第一半導(dǎo)體區(qū)域之間的距離小于所述基準(zhǔn)觸點(diǎn)和第二類像素的第一半導(dǎo)體區(qū)域之間的距離。
根據(jù)本公開(kāi)的第二方面的圖像拾取裝置包括其中排列有像素的圖像拾取單元。所述像素各自包括光電轉(zhuǎn)換元件和傳輸門(transfer?gate)。所述光電轉(zhuǎn)換元件包括把信號(hào)電荷作為多數(shù)載流子的第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體區(qū)域,和把信號(hào)電荷作為少數(shù)載流子的第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體區(qū)域,第二半導(dǎo)體區(qū)域鄰接到第一半導(dǎo)體區(qū)域,第一半導(dǎo)體區(qū)域被布置在第二半導(dǎo)體區(qū)域和半導(dǎo)體襯底的表面之間。所述傳輸門包括在半導(dǎo)體襯底的所述表面一側(cè)的多晶硅柵電極,所述傳輸門被配置成傳輸信號(hào)電荷。所述圖像拾取單元包括第一型像素,第一型像素包括主透射波長(zhǎng)是第一波長(zhǎng)的濾色器,該濾色器被布置在半導(dǎo)體襯底的所述表面一側(cè);第二型像素,第二型像素包括主透射波長(zhǎng)是不同于第一波長(zhǎng)的第二波長(zhǎng)的濾色器,該濾色器被布置在半導(dǎo)體襯底的所述表面一側(cè);和第三型像素,第三型像素包括主透射波長(zhǎng)是比第一波長(zhǎng)和第二波長(zhǎng)長(zhǎng)的第三波長(zhǎng)的濾色器,該濾色器被布置在半導(dǎo)體襯底的所述表面一側(cè)。所述表面和第一型像素的第二半導(dǎo)體區(qū)域之間的距離小于所述表面和第三型像素的第二半導(dǎo)體區(qū)域之間的距離。在所述圖像拾取單元的至少一部分中,從所述圖像拾取單元的中心到外緣順序排列第三型像素的光電轉(zhuǎn)換元件和第一型像素的光電轉(zhuǎn)換元件,并且,第三型像素的傳輸門被布置在第三型像素的光電轉(zhuǎn)換元件和第一型像素的光電轉(zhuǎn)換元件之間。
參考附圖,根據(jù)對(duì)示例性實(shí)施例的以下描述,本發(fā)明的其它特征將變得清楚。
附圖說(shuō)明
圖1A和圖1B提供圖像拾取裝置的示意平面圖。
圖2是像素部分的等效電路圖。
圖3A和圖3B提供像素部分的示意平面圖。
圖4A和圖4B提供像素部分的示意截面圖。
圖5A和圖5B提供像素部分的示意截面圖。
圖6A-圖6D提供像素部分的示意截面圖。
圖7A-圖7F提供圖示出制造圖像拾取裝置的方法的示意截面圖。
圖8是圖像拾取系統(tǒng)的方框圖。
圖9A和圖9B各自是像素的示意截面圖。
具體實(shí)施方式
在靠近基準(zhǔn)觸點(diǎn)的像素中的噪聲電平往往大于在遠(yuǎn)離基準(zhǔn)觸點(diǎn)的像素中的噪聲電平。因此,本實(shí)施例提供一種能夠減小由基準(zhǔn)觸點(diǎn)引起的噪聲的影響并且實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量圖像的圖像拾取裝置。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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