[發明專利]圖像拾取裝置和圖像拾取系統

有效

• 申請號: 201310345012.3
• 申請日: 2013-08-09
• 公開（公告）號: CN103579274A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 巖田旬史;乾文洋;渡邊高典;篠原真人
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 歐陽帆

1.一種圖像拾取裝置，包括：

其中排列有像素的像素部分，所述像素各自包括把信號電荷作為多數載流子的第一導電型的第一半導體區域，和把信號電荷作為少數載流子的第二導電型的第二半導體區域，第二半導體區域鄰接到第一半導體區域，第一半導體區域被布置在第二半導體區域和半導體襯底的表面之間，

其中，兩個相鄰像素的第一半導體區域由第二導電型的第三半導體區域隔開，所述兩個相鄰像素的第二半導體區域電連接到第三半導體區域，并且，在半導體襯底的所述表面上，設置通過第三半導體區域向第二半導體區域施加基準電位的基準觸點；

其中，所述像素部分中的所述基準觸點的數目小于所述像素部分中的所述像素的數目的四分之一；

其中，所述像素部分包括位于每個基準觸點附近的第一類像素和第二類像素，并且所述表面和第一類像素的第二半導體區域之間的距離小于所述表面和第二類像素的第二半導體區域之間的距離；并且

其中，所述基準觸點和第一類像素的第一半導體區域之間的距離小于所述基準觸點和第二類像素的第一半導體區域之間的距離。

2.如權利要求1所述的圖像拾取裝置，其中，所述像素部分包括：基于第一類像素的信號電荷來生成電信號的第一放大晶體管，和基于第二類像素的信號電荷來生成電信號的第二放大晶體管。

3.如權利要求2所述的圖像拾取裝置，其中，第一放大晶體管基于包括第一類像素的第一像素組中的像素的信號電荷來生成電信號，第二放大晶體管基于包括第二類像素的第二像素組中的像素的信號電荷來生成電信號，第一像素組中的像素被連接到第一浮動擴散區域，并且，第二像素組中的像素被連接到第二浮動擴散區域。

4.如權利要求2所述的圖像拾取裝置，其中，所述基準觸點和輸出來自第一放大晶體管的電信號的第一輸出觸點之間的距離小于所述基準觸點和輸出來自第二放大晶體管的電信號的第二輸出觸點之間的距離。

5.如權利要求2所述的圖像拾取裝置，其中，所述像素部分包括：復位第一類像素的信號電荷的第一復位晶體管，和復位第二類像素的信號電荷的第二復位晶體管，并且，第一放大晶體管和第二復位晶體管被連接到共同的觸點。

6.如權利要求1所述的圖像拾取裝置，其中，所述基準觸點被布置在第三半導體區域的一部分上方，所述部分位于第一類像素的第一半導體區域和第二類像素的第一半導體區域之間。

7.如權利要求1所述的圖像拾取裝置，其中，在第一類像素的第一半導體區域和第二類像素的第一半導體區域之間，不設置絕緣體。

8.如權利要求1所述的圖像拾取裝置，其中，所述像素中的每個像素具有傳輸信號電荷的傳輸門，并且，在排列第一類像素的第一半導體區域和第二類像素的第一半導體區域的方向上，第一類像素的傳輸門的傳輸方向和第二類像素的傳輸門的傳輸方向相反。

9.如權利要求1所述的圖像拾取裝置，其中，所述像素部分包括第三類像素；第一類像素包括主透射波長是第一波長的濾色器，該濾色器被布置在半導體襯底的所述表面一側；第二類像素包括主透射波長是比第一波長長的第二波長的濾色器，該濾色器被布置在半導體襯底的所述表面一側；并且，第三類像素包括主透射波長是比第二波長長的第三波長的濾色器，該濾色器被布置在半導體襯底的所述表面一側。

10.如權利要求9所述的圖像拾取裝置，其中，所述像素中的每個像素包括具有多晶硅柵電極并且傳輸信號電荷的傳輸門，并且，在所述像素部分的至少一部分中，從所述像素部分的中心朝著外緣順序排列第三類像素的第一半導體區域、第三類像素的傳輸門、和第一類像素的第一半導體區域。