[發明專利]一種臺灣含笑的無性繁殖方法有效
| 申請號: | 201310344978.5 | 申請日: | 2013-08-09 |
| 公開(公告)號: | CN103392517A | 公開(公告)日: | 2013-11-20 |
| 發明(設計)人: | 王宜森;薛峰;竇逗;楊積衛 | 申請(專利權)人: | 南京金埔園林股份有限公司 |
| 主分類號: | A01G1/06 | 分類號: | A01G1/06;A01H4/00 |
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| 地址: | 211103 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 臺灣 含笑 無性繁殖 方法 | ||
技術領域
本發明屬于植物種苗嫁接繁殖技術領域,具體涉及一種臺灣含笑的無性繁殖方法。
背景技術
臺灣含笑(Michelia?compressa),屬木蘭科(Magnoliaceae)含笑屬(Michelia?L.)植物。常綠大喬木,樹皮灰褐色,略光滑。葉全緣或波狀緣,革質,葉芽及花芽披有赤褐色絨毛。在常綠闊葉樹種中,臺灣含笑的景觀效果突出,樹形緊湊,干性較強,樹冠近圓錐狀,側枝皆向上斜伸、向主干靠攏,濃綠而有光澤的葉片密集生于1、2年生枝條的頂端,形成四季蒼翠而濃密的樹冠。花嬌小淡雅,微風輕拂,散發出淡淡的香氣。通過擴繁推廣,臺灣含笑完全能夠成為江蘇地區乃至華東地區速生的、觀賞價值較高的綠化觀賞優良樹種。
嫁接是指將一棵植株的組織融合到另一棵植株上的技術。是園藝工作廣泛應用的一種無性繁殖植株的方法。嫁接繁殖是觀賞苗木生產中解決母本數量有限或扦插成活率低的最主要繁殖方法,目前生產上利用的砧木主要是通過實生苗繁育的。嫁接對植物品種的改良及良種的保存有著非常大的意義,在園林上有著重要的用途。嫁接成活的生物學原理是砧穗削面的表面,由死細胞的殘留物形成一層褐色的隔膜,之后因愈傷組織的作用,使傷口周圍的細胞分裂,形成層細胞活躍,沖破隔膜形成愈傷組織,愈傷組織細胞進一步分化,向內形成新的木質部,向外形成新的韌皮部,將砧穗各自的木質部導管和韌皮部篩管溝通起來,使輸導組織聯通。隨著外部新的栓皮細胞形成與兩者栓皮細胞相連,最終愈合成為一新植株。
臺灣含笑原產臺灣,分布于臺灣與日本。華中地區無野生資源發現,栽培方面僅南京中山植物園一處引種保存5株。母本數量極其稀缺,臺灣含笑的原產地在氣候、土壤和其他生物條件的巨大差異,致使臺灣含笑引種后結實量很少,且其實生苗存在繁殖速度慢,繁殖周期長,種子發芽率較低,幼苗不易存活等缺陷,因此,臺灣含笑植物的繁殖多采用嫁接繁殖。劉興劍等,臺灣含笑在南京的引種表現及嫁接繁殖實驗,公開了分別與1999年和2001年以白玉蘭為砧木嫁接臺灣含笑的方法,取得了成活率27%,72%的存活率,其仍然存在存活率較低,且育苗周期較長,一般為2年左右,移栽后樹勢一般,易受凍,不易度過冬季低溫等缺陷,另外,由于母本臺灣含笑資源數量極其少,通過組織培養技術獲得含根實生苗用于嫁接可以極大的增加實生苗數量,減少培育周期,降低育苗成本,增加經濟效益。
鵝掌楸(liriodendrom?chinense)屬木蘭科,鵝掌楸屬植物,特點是適應性強,生長快、抗性強,病蟲害相對少,利用鵝掌楸做砧木嫁接臺灣含笑,國內外未見報道,其親和力較高,能夠快速有效的獲得大量臺灣含笑種苗,解決臺灣含笑種質資源短缺的問題;通過對砧木、嫁接方法等合理選用,能夠使得臺灣含笑嫁接成活率達到95%以上,成活后快速達到種苗規格,能夠高效獲得臺灣含笑優質種苗,大大滿足了市場的需求。
發明內容
本發明的目的在于提供一種大量獲得含根臺灣含笑實生苗的方法,為大量擴繁臺灣含笑無性系植株提供技術支持。
本發明的另一目的在于克服已有技術的不足,提供一種簡單、方便、砧木受傷輕、嫁接處易愈合、成活率高、勞動效率高,實用易行的臺灣含笑嫁接方法。
通過本發明方法,成功獲得含根臺灣含笑組培苗,增殖倍數為86倍;其中采用繼代增殖培養基,增殖倍數為8倍;采用誘導培養基,不定芽誘導率為94%,采用生根培養基,生根率為82%,平均生根數為3.1條;煉苗成活率達到90%,能夠高效的得到臺灣含笑種苗,與砧木嫁接后,成活率達到95%以上。
一種臺灣含笑的無性繁殖方法,其特征在于包括如下步驟:步驟A,臺灣含笑實生苗的培育;步驟B,臺灣含笑接穗預處理;步驟C,嫁接方法;步驟D,嫁接后管理;
其中步驟A臺灣含笑實生苗的培育具體為:
(1)外植體選取與消毒:6月下旬,選取當年生頂稍作為外植體,自來水沖洗干凈后,進行消毒;消毒方法為:用毛刷蘸少許洗衣粉將其表面刷洗干凈,接著用自來水流水沖洗30分鐘,稀釋50倍的84消毒液搖床上振蕩消毒10分鐘,流水沖洗3分鐘后,于無菌操作臺上用75%乙醇消毒50-60秒,立即倒入0.1%的升汞消毒10分鐘,最后用無菌水洗滌3次,每次振蕩3-5分鐘;
(2)改良WPM培養基的制備:用KNO3200mg/L代替原WPM培養基中的K2SO4,另外添加活性炭濃度為1000mg/L,其他組分均無變化。
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