[發(fā)明專利]混合信號集成電路制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310344316.8
• 申請日: 2013-08-08
• 公開（公告）號: CN104347504A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 潘光燃;王焜;石金成;高振杰;文燕
• 申請（專利權(quán)）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種混合信號集成電路制造方法，其特征在于，包括：

根據(jù)預設(shè)的第一工藝流程，在第一層多晶硅上形成MOS管的柵極、多晶高阻和雙多晶電容的下極板；

根據(jù)預設(shè)的第二工藝流程，在第二層多晶硅上形成雙多晶電容的上極板；

根據(jù)預設(shè)的第三工藝流程，形成MOS管的源漏區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)預設(shè)的第一工藝流程，在第一層多晶硅上形成MOS管的柵極、多晶高阻和雙多晶電容的下極板之前，還包括：

在襯底上形成場氧化層和柵氧化層；

在所述場氧化層和柵氧化層上沉積第一層多晶硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)預設(shè)的第一工藝流程，在第一層多晶硅上形成MOS管的柵極、多晶高阻和雙多晶電容的下極板之后，所述根據(jù)預設(shè)的第二工藝流程，在第二層多晶硅上形成雙多晶電容的上極板之前，還包括：

采用光刻和離子注入工藝，形成MOS管的輕摻雜源漏區(qū)；

采用淀積和干法刻蝕工藝，形成MOS管的側(cè)墻；

淀積介質(zhì)層；

在所述介質(zhì)層上淀積第二層多晶硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述介質(zhì)層為氧化硅膜層，或氮化硅膜層，或氧化硅膜層與氮化硅膜層的疊加層。

5.根據(jù)權(quán)利3或4所述的方法，其特征在于，所述介質(zhì)層的厚度為100～800埃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)預設(shè)的第一工藝流程，在第一層多晶硅上形成MOS管的柵極、多晶高阻和雙多晶電容的下極板，包括：

采用離子注入工藝對所述第一層多晶硅進行輕摻雜，其中，離子注入的劑量為1E14～2E15原子/平方厘米；

在所述第一層多晶硅的表面上涂覆光刻膠；

通過光刻工藝去除第一預設(shè)區(qū)域內(nèi)的光刻膠，以露出第一預設(shè)區(qū)域的第一層多晶硅并形成窗口，保留第一預設(shè)區(qū)域以外區(qū)域的光刻膠；

向所述窗口注入離子，以形成所述第一預設(shè)區(qū)域的重摻雜的第一層多晶硅；

去除覆蓋在所述第一層多晶硅表面上的光刻膠；

在所述第一層多晶硅的表面上再次涂覆光刻膠；

通過光刻工藝保留第二預設(shè)區(qū)域內(nèi)的光刻膠，去除第二預設(shè)區(qū)域以外區(qū)域的光刻膠；

采用刻蝕工藝去除掉第二預設(shè)區(qū)域以外區(qū)域的第一層多晶硅，以形成位于所述第一預設(shè)區(qū)域的MOS管的柵極和雙多晶電容的下極板，并形成位于第一預設(shè)區(qū)域以外區(qū)域的多晶高阻；

去除覆蓋在所述第一層多晶硅表面上的光刻膠。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述向所述窗口注入離子的劑量為2E15～2E16原子/平方厘米。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)預設(shè)的第二工藝流程，在第二層多晶硅上形成雙多晶電容的上極板，包括：

在所述第二層多晶硅的表面上涂覆光刻膠；

通過光刻保留第三預設(shè)區(qū)域內(nèi)的光刻膠，去除所述第三預設(shè)區(qū)域之外的區(qū)域的光刻膠；

采用刻蝕工藝去除掉所述第三預設(shè)區(qū)域之外的區(qū)域的第二層多晶硅；

去除覆蓋在所述第二層多晶硅表面上的光刻膠，形成半成品。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)預設(shè)的第三工藝流程，形成MOS管的源漏區(qū)包括：

在所述半成品的表面上涂覆光刻膠；

通過光刻去除第四預設(shè)區(qū)域內(nèi)的光刻膠并形成窗口，保留第四預設(shè)區(qū)域以外區(qū)域的光刻膠；

向所述窗口注入離子，其中，注入離子的劑量為1E15～8E15原子/平方厘米；

去除覆蓋在所述半成品表面上的光刻膠；

高溫退火，形成MOS管的源漏區(qū)，退火溫度為800～1000攝氏度，退火時間為30～120分鐘。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述第四預設(shè)區(qū)域包括所述雙多晶電容上極板所在的區(qū)域，以在形成MOS管的源漏區(qū)的同時對雙多晶電容的上極板進行摻雜。