[發明專利]半導體器件的形成方法

有效

• 申請號: 201310342929.8
• 申請日: 2013-08-07
• 公開（公告）號: CN104347501B
• 公開（公告）日: 2017-07-14
• 發明（設計）人: 李勇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/8232
• 分類號: H01L21/8232;H01L21/265;H01L21/28
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底包括核心器件區域、外圍電路區域和存儲器區域；所述核心器件區域包括：第一PMOS區域和第一NMOS區域，所述外圍電路區域包括：第二PMOS區域和第二NMOS區域，所述存儲器區域包括：第三PMOS區域和第三NMOS區域；

在所述第一PMOS區域上形成第一柵極結構，在所述第一NMOS區域上形成第二柵極結構，在所述第二PMOS區域上形成第三柵極結構，在所述第二NMOS區域上形成第四柵極結構；每一柵極結構包括柵介質層和位于柵介質層上的柵極；在所述第一柵極結構、第二柵極結構、第三柵極結構、第四柵極結構和襯底之間形成保護層，所述保護層覆蓋襯底上表面，所述保護層在離子注入的步驟中保護襯底；

形成第一柵極結構、第二柵極結構、第三柵極結構、第四柵極結構后，對所述第一PMOS區域和第一NMOS區域進行halo離子注入、LDD離子注入；

對所述第一PMOS區域和第一NMOS區域進行halo離子注入、LDD離子注入后，對所述第二PMOS區域和第二NMOS區域進行halo離子注入、LDD離子注入；

在所述襯底上形成第一柵極結構、第二柵極結構、第三柵極結構、第四柵極結構時，在所述第三PMOS區域上形成第五柵極結構，在所述第三NMOS區域上形成第六柵極結構；

對所述第一PMOS區域和第一NMOS區域進行halo離子注入、LDD離子注入之前，對所述第三PMOS區域和第三NMOS區域進行halo離子注入、LDD離子注入。

2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，對所述第一PMOS區域和第一NMOS區域進行halo離子注入、LDD離子注入包括：

先對第一NMOS區域進行halo離子注入、LDD離子注入，再對第一PMOS區域進行halo離子注入、LDD離子注入。

3.如權利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述第一NMOS區域包括第一區域、第二區域、第三區域，所述第一區域上形成的晶體管的閾值電壓大于第二區域上形成的晶體管的閾值電壓，所述第二區域上形成的晶體管的閾值電壓大于第三區域上形成的晶體管的閾值電壓；

所述對第一NMOS區域進行halo離子注入、LDD離子注入包括：

先對第一區域進行halo離子注入、LDD離子注入；

對第一區域進行halo離子注入、LDD離子注入后，對第二區域進行halo離子注入、LDD離子注入；

對第二區域進行halo離子注入、LDD離子注入后，對第三區域進行halo離子注入、LDD離子注入。

4.如權利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述第一PMOS區域包括第四區域、第五區域、第六區域，所述第四區域上形成的晶體管的閾值電壓大于第五區域上形成的晶體管的閾值電壓，所述第五區域上形成的晶體管的閾值電壓大于第六區域上形成的晶體管的閾值電壓；

所述對第一PMOS區域進行halo離子注入、LDD離子注入包括：

先對第四區域進行halo離子注入、LDD離子注入；

對第四區域進行halo離子注入、LDD離子注入后，對第五區域進行halo離子注入、LDD離子注入；

對第五區域進行halo離子注入、LDD離子注入后，對第六區域進行halo離子注入、LDD離子注入。

5.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，對所述第二PMOS區域和第二NMOS區域進行halo離子注入、LDD離子注入包括：

先對第二NMOS區域進行halo離子注入、LDD離子注入，再對第二PMOS區域進行halo離子注入、LDD離子注入。

6.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，對所述第三PMOS區域和第三NMOS區域進行halo離子注入、LDD離子注入包括：先對第三NMOS區域進行halo離子注入、LDD離子注入，再對第三區域PMOS區域進行halo離子注入、LDD離子注入。

7.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第五柵極結構和所述第六柵極結構中的尺寸比所述第一柵極結構和所述第二柵極結構的尺寸小。