[發明專利]一種高速的環形壓控振蕩器

有效

• 申請號: 201310342362.4
• 申請日: 2013-08-08
• 公開（公告）號: CN103414466A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發明（設計）人: 張長春;房軍梁;陳德媛;郭宇鋒;方玉明
• 申請（專利權）人: 南京郵電大學
• 主分類號: H03L7/099
• 分類號: H03L7/099
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 葉連生

1.一種高速的環形壓控振蕩器，其特征在于該環形壓控振蕩器由四級延遲單元串聯組成，其中每一級延遲單元的負輸出端（Vout-）接下一級延遲單元的正輸入端（Vin+），每一級延遲單元的正輸出端（Vout+）接下一級延遲單元的負輸入端（Vin-）；最后一級延遲單元的負輸出端（Vout-）接至第一級延遲單元的負輸入端（Vin-），最后一級延遲單元的正輸出端（Vout+）接至第一級延遲單元的正輸入端（Vin+）。

2.按照權利要求書1所述的高速的環形壓控振蕩器，其特征在于所述的延遲單元包括第一對NMOS管（M1a，M1b）、第一對PMOS管（M2a，M2b）、第二對NMOS管（M3a，M3b）、第二對PMOS管（M4a，M4b）、第三對PMOS管（M5a，M5b），尾電流管（M6），其中：

第一對NMOS管（M1a，M1b）為差分輸入對管，其柵極分別接正輸入端（Vin+）和負輸入端（Vin-），漏極分別接負輸出端（Vout-）和正輸出端（Vout+），源極接尾電流管（M6）的漏極；

第一對PMOS管（M2a，M2b）與第二對NMOS管（M3a，M3b）分別構成有源電感，第一對PMOS管（M2a，M2b）的柵極接偏置電壓Vbias1，源極接電源（vdd），漏極分別接第二對NMOS管（M3a，M3b）的柵極；

第二對NMOS管（M3a，M3b）的源極分別接負輸出端（Vout-）和正輸出端（Vout+），漏極接電源（vdd）；

第二對PMOS管（M4a，M4b）的柵極接地（gnd），源極接電源(vdd)，漏極分別接負輸出端（Vout-）和正輸出端（Vout+）；

第三對PMOS管（M5a，M5b）作壓控電阻用，其柵極接控制電壓（Vc），源極接電源（vdd），漏極接負輸出端（Vout-）和正輸出端（Vout+）；

尾電流管（M6）柵極接偏置電壓Vbias2，漏極接第一對NMOS管的源極，尾電流管（M6）源極接地。