[發明專利]一種包括形成薄膜電容器的方法

有效

• 申請號: 201310342049.0
• 申請日: 2007-03-31
• 公開（公告）號: CN103632843A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: H·佘;Y·閔;C·A·帕拉杜斯
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01G4/33
• 分類號: H01G4/33;H01G4/06;H01G4/12
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王洪斌

本申請是分案申請，其母案申請的發明名稱是：“用于薄膜電容器制作的溶膠-凝膠及掩模圖案化，由此制作的薄膜電容器，以及含有薄膜電容器的系統”；其母案申請的申請日是2007年3月31日；其母案申請的優先權日是2006年3月31日；其母案申請的國際申請號是：PCT/US2007/007710。?

相關申請?

本專利申請要求2006年3月31日提交的美國申請No.11/396386的優先權權益，將該美國申請通過引用結合于此。?

技術領域

公開的實施例涉及平行極板電容器組件。?

背景技術

處理器管芯通常需要電容式電源來響應運行時產生的瞬時負載。提供電容器來響應管芯的瞬時負載要求。薄膜電容器(TFC)通常是在兩個電極之間設置的電介質，而且通過激光鉆孔(drilling)來制作。激光鉆孔成本高且耗時，而且使TFC的結構承受較大的不均勻熱瞬變。高介電常數(高k)薄膜電容器(TFC)必須在燒結之后經過激光鉆孔或者化學蝕刻以提供電接觸。這些工藝會影響已燒結的高k電介質的化學性質。激光鉆孔會產生不均勻的激光熱區，或者蝕刻化學會改變蝕刻邊緣處及其附近的高k電介質。?

在穿過已燒結的薄膜電容器(TFC)介電層以形成接觸通道的傳統?激光鉆孔加工過程中，激光束的極大的熱瞬變在激光鉆孔的切割邊緣產生熱變區。激光鉆孔邊緣由于激光鉆孔工藝的原因會承受極大的熱瞬變，但是與切割邊緣相反，已燒結的TFC電介質會在燒結工藝中保持不變。傳統的激光鉆孔工藝可能會造成激光鉆孔邊緣與遠離激光鉆孔邊緣的區域相比，發生物理上的或化學上的變化。例如，激光鉆孔邊緣與遠離激光鉆孔邊緣的區域相比會脆化。因此，激光鉆孔邊緣的熱變形態會呈現出在燒結電介質中引起的脆化跡象。脆化可以通過物理探測或其他技術來確定。激光鉆孔邊緣還可能由于極大熱瞬變導致材料損失或者變化，從而改變了化學質量。因此，激光鉆孔邊緣的熱變形態可能會呈現出在已燒結的電介質中化學損耗跡象。改變的化學質量可以通過諸如掃描電子顯微鏡方法(SEM)或者離子耦合等離子體(ICP)分析之類的顯微技術來確定。而且，由于激光鉆孔工藝的極大熱瞬變，激光鉆孔邊緣與遠離區域相比，甚至會把揮發的雜散材料引入到TFC電介質的基體中。因此，激光鉆孔邊緣的熱變形態會呈現出在已燒結的電介質中的化學添加跡象。改變的化學質量可以由諸如SEM或ICP分析之類的顯微技術來確定。?

附圖說明

為了理解獲得實施例的方法，下面參照附圖對上面簡要說明的各種實施例作更具體的說明。要理解，這些圖僅描繪了典型的實施例，不一定按比例繪制，因此不能認為是對發明范圍的限定，下面將通過使用附圖以附加特征和細節來描述和說明一些實施例，其中：?

圖1A是根據實施例的薄膜電容器組件在處理過程中的橫截面正視圖；?

圖1B是根據實施例的圖1A中描繪的薄膜電容器組件在處理過程中的橫截面正視圖；?

圖1C是根據實施例的圖1B中描繪的薄膜電容器組件在處理過程中的橫截面正視圖；?

圖1D是根據實施例的圖1C中描繪的薄膜電容器組件在處理過程中的橫截面正視圖；?

圖2是根據實施例處理后的薄膜電容器組件的斷面俯視圖；?

圖3是包括根據實施例形成的薄膜電容器組件的封裝的橫截面正視圖；?

圖4是根據各種實施例的工藝流程圖；?

圖5是描繪根據實施例的計算系統的剖開透視圖；以及?

圖6是根據實施例的電子系統的示意圖。?

具體實施方式

以下描述包含了諸如上面、下面、第一、第二等的術語，這些術語只是為了描述而被使用，不能被視為限定。這里描述的裝置或者物品的實施例可以多個位置和方位被制造、使用或者載運。術語“管芯”和“芯片”一般指的是作為通過各種工藝操作轉變成想要的集成電路器件的基礎工件的物理對象。管芯通常是從晶圓上單個地分離而來，晶圓可由半導體材料、非半導體材料或者半導體與非半導體材料的組合制成?；逡话闶侵缸鳛楣苄镜陌惭b襯底的填充有樹脂的玻璃纖維結構。?

下面參照附圖，圖中同樣的結構配有同樣的參考標記。為了最清楚地展示結構和工藝的實施例，這里包含的圖是實施例的圖示。因此，制作的結構雖然仍包含實施例的基本結構，但是其例如在顯微照片中的實際外觀可能看起來不同。此外，這些圖僅示出了對理解實施例有必要的結構，為了保證圖的清晰性，本領域都知道的其他結構沒有包含在圖中。?