[發明專利]一種包括形成薄膜電容器的方法有效
| 申請號: | 201310342049.0 | 申請日: | 2007-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN103632843A | 公開(公告)日: | 2014-03-12 |
| 發明(設計)人: | H·佘;Y·閔;C·A·帕拉杜斯 | 申請(專利權)人: | 英特爾公司 |
| 主分類號: | H01G4/33 | 分類號: | H01G4/33;H01G4/06;H01G4/12 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王洪斌 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 包括 形成 薄膜 電容器 方法 | ||
1.一種包括形成薄膜電容器的方法,包括:
在第一電極上圖案化掩模;
在所述第一電極和所述掩模上形成綠色介電膜,綠色介電膜的厚度在0.5微米至30微米的范圍內;
剝離所述掩模以獲得正圖案綠色介電膜;以及
在剝離所述掩膜后,燒結所述正圖案綠色介電膜以獲得已燒結的電介質。
2.如權利要求1所述的包括形成薄膜電容器的方法,在剝離所述掩膜之前,所述方法包括初步固化所述綠色介電膜以使得所述綠色介電膜變得在室溫下不可流動。
3.如權利要求1所述的包括形成薄膜電容器的方法,在剝離所述掩膜之前,所述方法包括初步固化所述綠色介電膜,其中所述綠色介電膜通過溶膠-凝膠工藝形成,以及其中初步固化在從50℃至150℃的范圍內的溫度下進行。
4.如權利要求1所述的包括形成薄膜電容器的方法,其中,剝離所述掩模包括一種方法,該方法選自由濕法溶解所述掩模和蒸汽溶脹所述掩模組成的組中。
5.如權利要求1所述的包括形成薄膜電容器的方法,其中,燒結在從700℃至900℃的溫度范圍內進行。
6.如權利要求1所述的包括形成薄膜電容器的方法,還包括:
在剝離所述掩膜之前,初步固化所述綠色介電膜以使得所述綠色介電膜變得在室溫下不可流動,其中初步固化在從50℃至150℃的溫度范圍內進行;
其中燒結在從700℃至900℃的溫度范圍內并且在無反應性氣氛中進行,其中所述無反應性氣氛是無反應性氣體、氣氛減壓的氣體或真空;以及
給已燒結的介電膜配上第二電極。
7.如權利要求1所述的包括形成薄膜電容器的方法,其中,形成正圖案綠色介電膜包括形成溶膠-凝膠合成物,其包括烷氧基鈦、鋇無機鹽、甲氧基乙醇和1,2-亞乙基二醇。
8.如權利要求1所述的包括形成薄膜電容器的方法,其中,形成正圖案綠色介電膜包括形成溶膠-凝膠合成物,其包括烷氧基鈦、鍶無機鹽、甲氧基乙醇和1,2-亞乙基二醇。
9.如權利要求1所述的包括形成薄膜電容器的方法,其中,形成正圖案綠色介電膜包括形成溶膠-凝膠合成物,其包括烷氧基鈦、鋇無機鹽、鍶無機鹽、甲氧基乙醇和1,2-亞乙基二醇。
10.如權利要求1所述的包括形成薄膜電容器的方法,進一步包括:
在已燒結的電介質上形成第二電極,其中,已燒結的電介質設置在第一電極和第二電極之間且與第一電極和第二電極鄰接;
放置下介電層,與第一電極接觸;
放置上介電層,與第二電極接觸
形成第一電極接觸,其與第一電極電耦合并從下介電層延伸到上介電層;
形成第二電極接觸,其與第二電極電耦合并從下介電層延伸到上介電層;
其中,所述形成第一電極接觸及所述形成第二電極接觸在不用激光鉆孔穿過已燒結的電介質的情況下進行。
11.一種包括形成薄膜電容器的方法,包括:
在第一電極上提供圖案化的掩膜,圖案化的掩膜包括暴露第一電極的開孔;
在第一電極上及在掩膜上形成綠色介電膜;
初步將綠色介電膜加熱至第一溫度,從而固化所述綠色介電膜以使得所述綠色介電膜變得在室溫下不可流動;
在所述初步加熱綠色介電膜之后,清除所述掩膜,以獲得正圖案綠色介電膜;以及
在所述清除所述掩膜之后,第二將固化的綠色介電膜加熱來獲得已燒結的電介質,其中所述第二加熱是在比初步加熱的更高的溫度下進行的;
在已燒結的電介質上形成第二電極,其中,已燒結的電介質被放置在第一電極和第二電極之間;
放置下介電層,與第一電極接觸;
放置上介電層,與第二電極接觸;
形成第一電極接觸,其與第一電極電耦合并從下介電層延伸到上介電層;以及
形成第二電極接觸,其與第二電極電耦合并從下介電層延伸到上介電層;
其中,所述形成第一電極接觸及所述形成第二電極接觸在不用激光鉆孔穿過已燒結的電介質的情況下進行。
12.如權利要求11所述的包括形成薄膜電容器的方法,其中,形成固化的綠色介電膜,使其具有在0.5微米至30微米的范圍內的厚度。
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