[發明專利]一種適用于改善類單晶太陽電池外觀色差問題的制絨工藝

有效

• 申請號: 201310341197.0
• 申請日: 2013-08-07
• 公開（公告）號: CN103413864B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: 梅超;張文;黃治國;王鵬;包兵兵;柳杉
• 申請（專利權）人: 上饒光電高科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 江西省專利事務所36100
• 代理人: 楊志宇

技術領域

本發明涉及到一種適用于改善類單晶太陽電池外觀色差問題的制絨工藝，屬于太陽能電池領域。

背景技術

在太陽能電池領域中，常規晶體硅電池有單晶電池和多晶電池兩種。單晶電池缺陷少，通過堿絨的各向異性腐蝕原理形成金字塔形織構化表面，增加光的吸收次數，提高轉換效率，效率要比多晶高1.5%以上；隨著鑄錠技術的發展，現多晶爐生產出的類單晶集合了大部分單晶和多晶的優勢。但是在生產過程中，該類硅片除了大部分面積是<100>晶向的單晶區域（以下簡稱“單晶區域”）外，不可避免的存在一部分其它各種晶向的多晶晶粒（以下簡稱“多晶區域”），多晶區域單純經過堿絨后，織構化效果要比單晶區域差很多，PECVD鍍膜后外觀差異很大。

發明內容

本發明的目的是提供一種適用于改善類單晶太陽電池外觀色差問題的制絨工藝，通過改進制絨的方法解決類單晶電池PECVD鍍膜后色差問題，該方法工藝簡單，效果明顯。

一種適用于改善類單晶太陽電池外觀色差問題的制絨工藝，由下列步驟組成：第一步：堿拋光；第二步：干法制絨；

堿拋光的具體工藝步驟：第1步：在槽式清洗機里配置濃度為8-12%的NaOH溶液；第2步：將該NaOH溶液加熱到65-75℃；第3步：將一定多晶區域的類單晶硅片浸入NaOH溶液中反應130-150秒。

干法制絨的具體工藝步驟：第1步：在干法制絨機內采用刻蝕SF₆氣體在900-1100W功率條件下在硅片表面形成平坦的絨面；氣體流量為300-320sccm，壓力為20pa，時間為60s；第2步：采用刻蝕氣體在硅片表面反應形成尖銳的絨面結構，氣體為?Cl₂、O₂、SF₆，流量分別為180-220sccm、350-450sccm、550-650sccm，壓力為10pa，功率為900-1100W，時間為410s；第3步：采用刻蝕氣體優化絨面結構；氣體為?Cl₂、O₂、SF₆，流量分別為90-110sccm、180-220sccm、550-650sccm，壓力為20pa，功率為1800-2200W，時間為180s；第4步：在反應腔內通氧氣在硅片表面形成氧化膜保護層，O₂流量為750-850sccm，壓力為15pa，功率為580-620W，時間為420s。

本發明使用的反應離子刻蝕設備廠家為韓國IPS公司。

本發明使得在不同晶向上形成小而尖的納米級絨面，不同晶向在PECVD鍍膜后外觀沒有差異，同時光電轉換效率有一定提升。

具體實施方式:

實施例1：

一種適用于改善類單晶太陽電池外觀色差問題的制絨工藝，由下列步驟組成：第一步：堿拋光；第二步：干法制絨；

堿拋光的具體工藝步驟：第1步：在槽式清洗機里配置濃度為8%的NaOH溶液；第2步：將該NaOH溶液加熱到65℃；第3步：將一定多晶區域的類單晶硅片浸入NaOH溶液中反應130秒。

干法制絨的具體工藝步驟：第1步：在干法制絨機內采用刻蝕SF₆氣體在900W功率條件下在硅片表面形成平坦的絨面；氣體流量為300sccm，壓力為20pa，時間為60s；第2步：采用刻蝕氣體在硅片表面反應形成尖銳的絨面結構，氣體為?Cl₂、O₂、SF₆，流量分別為180sccm、350sccm、550sccm，壓力為10pa，功率為900-1100W，時間為410s；第3步：采用刻蝕氣體優化絨面結構；氣體為?Cl₂、O₂、SF₆，流量分別為90sccm、180sccm、550sccm，壓力為20pa，功率為1800W，時間為180s；第4步：在反應腔內通氧氣在硅片表面形成氧化膜保護層，O₂流量為750sccm，壓力為15pa，功率為580W，時間為420s。

本發明使用的反應離子刻蝕設備廠家為韓國IPS公司。

實施例2：

一種適用于改善類單晶太陽電池外觀色差問題的制絨工藝，由下列步驟組成：第一步：堿拋光；第二步：干法制絨；

堿拋光的具體工藝步驟：第1步：在槽式清洗機里配置濃度為10%的NaOH溶液；第2步：將該NaOH溶液加熱到70℃；第3步：將一定多晶區域的類單晶硅片浸入NaOH溶液中反應140秒。