[發明專利]一種適用于改善類單晶太陽電池外觀色差問題的制絨工藝有效
| 申請號: | 201310341197.0 | 申請日: | 2013-08-07 | 
| 公開(公告)號: | CN103413864B | 公開(公告)日: | 2017-03-01 | 
| 發明(設計)人: | 梅超;張文;黃治國;王鵬;包兵兵;柳杉 | 申請(專利權)人: | 上饒光電高科技有限公司 | 
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 | 
| 代理公司: | 江西省專利事務所36100 | 代理人: | 楊志宇 | 
| 地址: | 334100 江西*** | 國省代碼: | 江西;36 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 適用于 善類 太陽電池 外觀 色差 問題 工藝 | ||
1.一種適用于改善類單晶太陽電池外觀色差問題的制絨工藝,其特征為:由下列步驟組成:第一步:堿拋光;第二步:干法制絨。
2.一種適用于改善類單晶太陽電池外觀色差問題的制絨工藝,其特征為:由下列步驟組成:第一步:堿拋光;第二步:干法制絨;
堿拋光的具體工藝步驟:第1步:在槽式清洗機里配置濃度為8-12%的NaOH溶液;第2步:將該NaOH溶液加熱到65-75℃;第3步:將一定多晶區域的類單晶硅片浸入NaOH溶液中反應130-150秒;
干法制絨的具體工藝步驟:第1步:在干法制絨機內采用刻蝕SF6氣體在900-1100W功率條件下在硅片表面形成平坦的絨面;氣體流量為300-320sccm,壓力為20pa,時間為60s;第2步:采用刻蝕氣體在硅片表面反應形成尖銳的絨面結構,氣體為?Cl2、O2、SF6,流量分別為180-220sccm、350-450sccm、550-650sccm,壓力為10pa,功率為900-1100W,時間為410s;第3步:采用刻蝕氣體優化絨面結構;氣體為?Cl2、O2、SF6,流量分別為90-110sccm、180-220sccm、550-650sccm,壓力為20pa,功率為1800-2200W,時間為180s;第4步:在反應腔內通氧氣在硅片表面形成氧化膜保護層,O2流量為750-850sccm,壓力為15pa,功率為580-620W,時間為420s。
3.如權利要求2所述的一種適用于改善類單晶太陽電池外觀色差問題的制絨工藝,其特征為:由下列步驟組成:第一步:堿拋光;第二步:干法制絨;
堿拋光的具體工藝步驟:第1步:在槽式清洗機里配置濃度為10%的NaOH溶液;第2步:將該NaOH溶液加熱到70℃;第3步:將一定多晶區域的類單晶硅片浸入NaOH溶液中反應140秒;
干法制絨的具體工藝步驟:第1步:在干法制絨機內采用刻蝕SF6氣體在1000W功率條件下在硅片表面形成平坦的絨面;氣體流量為310sccm,壓力為20pa,時間為60s;第2步:采用刻蝕氣體在硅片表面反應形成尖銳的絨面結構,氣體為?Cl2、O2、SF6,流量分別為200sccm、400sccm、600sccm,壓力為10pa,功率為1000W,時間為410s;第3步:采用刻蝕氣體優化絨面結構;氣體為?Cl2、O2、SF6,流量分別為100sccm、200sccm、600sccm,壓力為20pa,功率為2000W,時間為180s;第4步:在反應腔內通氧氣在硅片表面形成氧化膜保護層,O2流量為800sccm,壓力為15pa,功率為600W,時間為420s。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





