[發明專利]一種半導體器件及其制作的方法

在審

• 申請號: 201310340761.7
• 申請日: 2013-08-06
• 公開（公告）號: CN104347510A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發明（設計）人: 劉金華
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L21/28;H01L21/283
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種制作半導體器件的方法，包括：?

提供半導體襯底；?

在所述半導體襯底上形成多晶硅層；?

在所述多晶硅層上形成具有第一開口的第一硬掩膜層；?

在所述第一開口中形成第二硬掩膜層；?

圖案化所述第一硬掩膜層和所述第二硬掩膜層，以形成與所述第一開口方向垂直的柵極掩膜圖案；?

去除所述第二硬掩膜層；?

根據圖案化的所述第一硬掩膜層刻蝕所述多晶硅層，以形成第一多晶硅柵極層和第二多晶硅柵極層；?

在所述第一多晶硅柵極層和所述第二多晶硅柵極層之間形成第一阻擋層。?

2.權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在形成所述第一阻擋層之后去除所述第一硬掩膜層，以露出所述第一多晶硅柵極層和所述第二多晶硅柵極層的步驟。?

3.權利要求2所述的方法，其特征在于，還包括在去除所述第一硬掩膜層之后執行再氧化工藝，以在所述第一多晶硅柵極層和所述第二多晶硅柵極層的表面形成第二阻擋層的步驟。?

4.權利要求3所述的方法，其特征在于，還包括在執行再氧化工藝之后分別對所述第一多晶硅柵極層和所述第二多晶硅柵極層執行預摻雜的步驟。?

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，還包括在執行預摻雜之后在所述第一阻擋層和所述第二阻擋層上形成硅化物層的步驟。?

6.權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第一開口的步驟為在所述第一硬掩膜層中形成第二開口，在所述第二開口的底部和側面以及具有所述第二開口的所述第一硬掩膜層上形成第三硬掩膜層，刻蝕所述第三硬掩膜層以在所述第二開口的側面形成側壁，以形成所述第一開口。?

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一硬掩膜層的材料與所述第三硬掩膜層的材料相同。?

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一硬掩膜層的材料為氧化硅。?

9.權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二硬掩膜層的材料為氮化硅。?

10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在所述第一開口中形成所述第二硬掩膜層之后采用化學機械研磨去除多余的第二硬掩膜層以使所述第二硬掩膜層與所述第一硬掩膜層的頂部齊平的步驟。?

11.如權利要求1所述的方法，其特征在于，通過氧化工藝以在所述第一多晶硅柵極層和所述第二多晶硅柵極層之間形成所述第一阻擋層。?

12.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一阻擋層的材料為二氧化硅。?

13.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述多晶硅層和所述半導體襯底之間還形成有柵極介電層。?

14.一種半導體器件，包括：?

半導體襯底；?

位于所述半導體襯底上的第一多晶硅柵極層和第二多晶硅柵極層；?

位于所述第一多晶硅柵極層和所述第二多晶硅柵極層之間以及表面的阻擋層。?

15.如權利要求14所述的器件，其特征在于，所述第一多晶硅柵極層為N型離子摻雜，所述第二多晶硅柵極層為P型離子摻雜。?

16.如權利要求14所述的器件，其特征在于，所述第一多晶硅柵極層為P型離子摻雜，所述第二多晶硅柵極層為N型離子摻雜。?

17.如權利要求14所述的器件，其特征在于，所述阻擋層上形成有硅化物層。?

18.如權利要求14所述的器件，其特征在于，所述阻擋層的材料為二氧化硅。?