[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201310339574.7
• 申請日: 2013-08-06
• 公開（公告）號: CN104347821A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發明（設計）人: 周明杰;黃輝;馮小明;王平
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/54
• 分類號: H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 生啟;何平

技術領域

本發明涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。

背景技術

有機電致發光器件的發光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道（LUMO），而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道（HOMO）。電子和空穴在發光層相遇、復合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發光材料，并激發電子從基態躍遷到激發態，激發態能量通過輻射失活，產生光子，釋放光能。傳統的有機電致發光器件的發光效率較低。

發明內容

基于此，有必要提供一種出光效率較高的有機電致發光器件及其制備方法。

一種有機電致發光器件，包括依次層疊的陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述陰極包括層疊于所述電子注入層表面的三元摻雜層及層疊于所述三元摻雜層表面的金屬摻雜層；所述三元摻雜層的材料包括錸的氧化物、摻雜在所述錸的氧化物中的鈍化材料及酞菁化合物，所述鈍化材料選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鎳及氧化銅中的至少一種，所述錸的氧化物、所述鈍化材料及所述酞菁化合物的質量比為5:2:1～20:4:1；所述金屬摻雜層的材料包括低功函數金屬及摻雜在所述低功函數金屬中的高功函數金屬，所述低功函數金屬的功函數為-2.0eV～-3.5eV，所述高功函數金屬的功函數為-4.0～-5.5eV，所述低功函數金屬與所述高功函數金屬的質量比為5:1～40:1。

在其中一個實施例中，所述三元摻雜層的厚度為50nm～200nm；所述金屬摻雜層的厚度為100nm～400nm。

在其中一個實施例中，所述錸的氧化物選自七氧化二錸、二氧化錸、三氧化錸及三氧化二錸中的至少一種，所述酞菁化合物選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁釩中的至少一種。

在其中一個實施例中，所述低功函數金屬選自鎂、鍶、鈣及鐿中的至少一種，所述高功函數金屬選自銀、鋁、鉑及金中的至少一種。

在其中一個實施例中，所述發光層的材料選自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。

一種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟：

在陽極基底的表面依次蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層及電子注入層；及

在所述電子注入層表面蒸鍍制備陰極，所述陰極包括層疊于所述電子注入層表面的三元摻雜層及層疊于所述三元摻雜層表面的金屬摻雜層，所述三元摻雜層的材料包括錸的氧化物、摻雜在所述錸的氧化物中的鈍化材料及酞菁化合物，所述鈍化材料選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鎳及氧化銅中的至少一種，所述錸的氧化物、所述鈍化材料及所述酞菁化合物的質量比為5:2:1～20:4:1，所述金屬摻雜層的材料包括低功函數金屬及摻雜在所述低功函數金屬中的高功函數金屬，所述低功函數金屬的功函數為-2.0eV～-3.5eV，所述高功函數金屬的功函數為-4.0～-5.5eV，所述低功函數金屬與所述高功函數金屬的質量比為5:1～40:1。

在其中一個實施例中，所述三元摻雜層的厚度為50nm～200nm；所述金屬摻雜層的厚度為100nm～400nm。

在其中一個實施例中，所述錸的氧化物選自七氧化二錸、二氧化錸、三氧化錸及三氧化二錸中的至少一種，所述酞菁化合物選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁釩中的至少一種。

在其中一個實施例中，所述低功函數金屬選自鎂、鍶、鈣及鐿中的至少一種，所述高功函數金屬選自銀、鋁、鉑及金中的至少一種。

在其中一個實施例中，所述陽極基底在使用前先進行預處理，對陽極基底預處理為：將陽極基底先進行光刻處理，剪裁成所需要的大小后，依次采用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙酮各超聲波清洗15min，以去除陽極基底表面的有機污染物。