[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201310339574.7
• 申請日: 2013-08-06
• 公開（公告）號: CN104347821A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發明（設計）人: 周明杰;黃輝;馮小明;王平
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/54
• 分類號: H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 生啟;何平

1.一種有機電致發光器件，其特征在于，包括依次層疊的陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述陰極包括層疊于所述電子注入層表面的三元摻雜層及層疊于所述三元摻雜層表面的金屬摻雜層；所述三元摻雜層的材料包括錸的氧化物、摻雜在所述錸的氧化物中的鈍化材料及酞菁化合物，所述鈍化材料選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鎳及氧化銅中的至少一種，所述錸的氧化物、所述鈍化材料及所述酞菁化合物的質量比為5:2:1～20:4:1；所述金屬摻雜層的材料包括低功函數金屬及摻雜在所述低功函數金屬中的高功函數金屬，所述低功函數金屬的功函數為-2.0eV～-3.5eV，所述高功函數金屬的功函數為-4.0～-5.5eV，所述低功函數金屬與所述高功函數金屬的質量比為5:1～40:1。

2.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述三元摻雜層的厚度為50nm～200nm；所述金屬摻雜層的厚度為100nm～400nm。

3.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述錸的氧化物選自七氧化二錸、二氧化錸、三氧化錸及三氧化二錸中的至少一種，所述酞菁化合物選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁釩中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述低功函數金屬選自鎂、鍶、鈣及鐿中的至少一種，所述高功函數金屬選自銀、鋁、鉑及金中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述發光層的材料選自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。

6.一種有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在陽極基底的表面依次蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層及電子注入層；及

在所述電子注入層表面蒸鍍制備陰極，所述陰極包括層疊于所述電子注入層表面的三元摻雜層及層疊于所述三元摻雜層表面的金屬摻雜層，所述三元摻雜層的材料包括錸的氧化物、摻雜在所述錸的氧化物中的鈍化材料及酞菁化合物，所述鈍化材料選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鎳及氧化銅中的至少一種，所述錸的氧化物、所述鈍化材料及所述酞菁化合物的質量比為5:2:1～20:4:1，所述金屬摻雜層的材料包括低功函數金屬及摻雜在所述低功函數金屬中的高功函數金屬，所述低功函數金屬的功函數為-2.0eV～-3.5eV，所述高功函數金屬的功函數為-4.0～-5.5eV，所述低功函數金屬與所述高功函數金屬的質量比為5:1～40:1。

7.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于：所述三元摻雜層的厚度為50nm～200nm；所述金屬摻雜層的厚度為100nm～400nm。

8.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于：所述錸的氧化物選自七氧化二錸、二氧化錸、三氧化錸及三氧化二錸中的至少一種，所述酞菁化合物選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁釩中的至少一種。

9.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于：所述低功函數金屬選自鎂、鍶、鈣及鐿中的至少一種，所述高功函數金屬選自銀、鋁、鉑及金中的至少一種。

10.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于：所述陽極基底在使用前先進行預處理，對陽極基底預處理為：將陽極基底先進行光刻處理，剪裁成所需要的大小后，依次采用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙酮各超聲波清洗15min，以去除陽極基底表面的有機污染物。