[發明專利]蒸發源、真空蒸鍍裝置以及有機EL顯示裝置制造方法

無效

• 申請號: 201310339461.7
• 申請日: 2013-08-06
• 公開（公告）號: CN103710667A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 三宅龍也;松浦宏育;峰川英明;矢崎秋夫;尾方智彥;山本健一;楠敏明;玉腰武司
• 申請（專利權）人: 株式會社日立高新技術
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;F27B14/04;H05B33/10
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶;於毓楨

技術領域

本發明涉及蒸發源、真空蒸鍍裝置以及有機EL顯示裝置制造方法，特別涉及用于在大型的基板上形成有機EL顯示裝置的有效的蒸發源、真空蒸鍍裝置以及有機EL顯示裝置制造方法。

背景技術

在有機EL顯示裝置、照明裝置中使用的有機EL元件是用陽極和陰極一對電極從上向下夾著由有機材料組成的有機層的結構，通過在電極上施加電壓，分別從陽極側和陰極側向有機層注入空穴和電子，通過它們的再結合，成為發光的結構。

該有機層是包含空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層的多層膜疊層的結構。作為形成該有機層的材料，使用高分子材料和低分子材料。其中在使用低分子材料的情況下，使用真空蒸鍍裝置來形成有機薄膜。

有機EL設備的特性很大程度受有機層的膜厚的影響。另一方面，形成有機薄膜的基板逐年大型化。因此，在使用真空蒸鍍裝置的情況下，需要高精度地控制在大型的基板上形成的有機薄膜或者電極用金屬薄膜的膜厚，而且能夠長時間連續地工作。電極用金屬薄膜伴隨大型化，需要低電阻化，特別作為顯示裝置用的有機層的上部的電極材料（蒸鍍材料），最看好鋁、銀、鎂材料。

作為用于通過真空蒸鍍在基板上連續形成薄膜的蒸發源，在專利文獻1中公開了下述蒸發源，其能夠防止從坩鍋飛散的原料蔓延而附著在加熱器等上，另外能夠防止通過原料在坩鍋內壁上遺留的攀緣現象引起的故障。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平9－170882號公報

發明內容

發明所要解決的課題

在專利文獻1中，公開了配置加熱器護罩、能夠降低通過原料的攀緣、蔓延的現象在加熱器等上的附著引起的故障的蒸發源，但是對于基板側的熱輻射對策或者對于加熱器電力的節電化未作考慮。

本發明的目的是提供一種蒸發源、真空蒸鍍裝置以及有機EL顯示裝置制造方法，能夠使用降低熱輻射、能夠節電化的蒸發源，與大型基板對應，高速形成以鋁材料為主的金屬薄膜，連續成膜。

用于解決課題的方法

為了解決上述目的，本發明至少具有下述特征。

本發明的蒸發源的特征在于，具有：收納蒸發材料的坩鍋；用于放出在該坩鍋內收容的蒸發材料的蒸氣的坩鍋出口；設置成包圍該坩鍋出口的至少一部分的熱反射構件；和設置成包圍該坩鍋的外側壁的加熱器。

另外，在上述熱反射構件中，在加熱器側設置的熱反射構件，也可以使其一部分位于坩鍋本體和該加熱器之間那樣設置。

進而也可以具有用于防止在上述坩鍋出口處向上述熱反射構件附著材料的噴嘴。

另外也可以在上述坩鍋出口方向上分割加熱器，個別地進行溫度控制。

進而也可以具有上述熱反射構件，使夾著沒有上述凸緣的上述坩鍋的沒有上述凸緣的地方設置。

另外，也可以進行溫度控制，使凸緣部的溫度為1100℃至1200℃。

進而，本發明的真空蒸鍍裝置的特征在于，具有一個以上的上述任何一項所述的蒸發源，具有檢測通過上述蒸發源對基板的蒸鍍量的膜厚監視器、和根據上述膜厚監視器的檢測結果來控制上述蒸發源的控制部。

另外，本發明的有機EL顯示裝置制造方法是通過密封基板密封形成有薄膜晶體管、有機EL層、以及夾著上述有機EL層的電極層的TFT基板的有機EL顯示裝置制造方法，其特征在于，通過在真空蒸鍍裝置的蒸鍍室內配置形成有薄膜晶體管的TFT基板，與上述TFT基板相對地配設一個以上的收容用于成膜上述有機EL層或者電極層的蒸鍍材料的蒸發源，向上述TFT基板蒸鍍上述蒸鍍材料，從而形成上述有機EL層。

進而，在上述有機EL顯示裝置制造方法中，也可以在上述蒸鍍室內具有用于向各個上述蒸發源供給蒸鍍材料的材料供給機，維持上述蒸鍍室的真空狀態而供給上述蒸鍍材料。

根據本發明，在使用陶瓷制的坩鍋的蒸發源中，通過使夾著凸緣部那樣設置熱反射構件，能夠有效地阻斷沿凸緣部流出的熱，能夠用少的電力有效地加熱坩鍋。另外，能夠防止凸緣部的溫度上升，能夠防止攀緣。

附圖說明

圖1是表示可應用向直立的基板上蒸鍍蒸鍍材料的本發明的蒸發源的縱型真空蒸鍍裝置的一種實施方式的圖。

圖2是表示可應用向水平配置的基板上蒸鍍蒸鍍材料的本發明的蒸發源的橫型真空蒸鍍裝置的一種實施方式的圖。

圖3是表示本發明的第一實施例中的蒸發源結構的截面圖。

圖4是表示第一實施例的變形例中的蒸發源結構的截面圖。

圖5是表示本發明的第二實施例中的蒸發源結構的截面圖。