[發(fā)明專利]蒸發(fā)源、真空蒸鍍裝置以及有機EL顯示裝置制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310339461.7
• 申請日: 2013-08-06
• 公開（公告）號: CN103710667A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發(fā)明（設計）人: 三宅龍也;松浦宏育;峰川英明;矢崎秋夫;尾方智彥;山本健一;楠敏明;玉腰武司
• 申請（專利權）人: 株式會社日立高新技術
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;F27B14/04;H05B33/10
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶;於毓楨

1.一種蒸發(fā)源，其特征在于，具有：

坩鍋，其收納蒸發(fā)材料；

坩鍋出口，用于放出收容在該坩鍋內的蒸發(fā)材料的蒸氣；

熱反射構件，其設置成包圍該坩鍋出口的至少一部分；和

加熱器，其設置成包圍該坩鍋的外側壁。

2.根據(jù)權利要求1所述的蒸發(fā)源，其特征在于，

在所述熱反射構件中，設置在加熱器側的熱反射構件被設置成其一部分位于坩鍋本體和該加熱器之間。

3.根據(jù)權利要求1所述的蒸發(fā)源，其特征在于，

具有噴嘴，其用于防止在所述坩鍋出口處向所述熱反射構件附著材料。

4.根據(jù)權利要求1至權利要求3中任何一項所述的蒸發(fā)源，其特征在于，

在所述坩鍋出口方向上分割所述加熱器，個別地進行溫度控制。

5.根據(jù)權利要求1至權利要求3中任何一項所述的蒸發(fā)源，其特征在于，

具有凸緣部，其設置成包圍所述坩鍋出口的至少一部分，

所述熱反射構件設置成夾著該凸緣部。

6.根據(jù)權利要求5所述的蒸發(fā)源，其特征在于，

進行溫度控制，使所述凸緣部的溫度為1100℃至1200℃。

7.一種真空蒸鍍裝置，其特征在于，具有：

一個以上的權利要求1至權利要求3中任何一項所述的蒸發(fā)源；

檢測通過所述蒸發(fā)源對基板的蒸鍍量的膜厚監(jiān)視器；和

根據(jù)所述膜厚監(jiān)視器的檢測結果來控制所述蒸發(fā)源的控制部。

8.一種真空蒸鍍裝置，其特征在于，具有：

一個以上的權利要求4所述的蒸發(fā)源；

檢測通過所述蒸發(fā)源對基板的蒸鍍量的膜厚監(jiān)視器；和

根據(jù)所述膜厚監(jiān)視器的檢測結果來控制所述蒸發(fā)源的控制部。

9.一種真空蒸鍍裝置，其特征在于，具有：

一個以上的權利要求5所述的蒸發(fā)源；

檢測通過所述蒸發(fā)源對基板的蒸鍍量的膜厚監(jiān)視器；和

根據(jù)所述膜厚監(jiān)視器的檢測結果來控制所述蒸發(fā)源的控制部。

10.一種真空蒸鍍裝置，其特征在于，具有：

一個以上的權利要求6所述的蒸發(fā)源；

檢測通過所述蒸發(fā)源對基板的蒸鍍量的膜厚監(jiān)視器；和

根據(jù)所述膜厚監(jiān)視器的檢測結果來控制所述蒸發(fā)源的控制部。

11.一種有機EL顯示裝置制造方法，其為通過密封基板密封形成有薄膜晶體管、有機EL層、以及夾著所述有機EL層的電極層的TFT基板的有機EL顯示裝置制造方法，其特征在于，

通過在真空蒸鍍裝置的蒸鍍室內配置形成有所述薄膜晶體管的所述TFT基板，與所述TFT基板相對地配設一個以上的收容用于成膜所述有機EL層或者電極層的蒸鍍材料的權利要求1至3中任何一項所述的蒸發(fā)源，并向所述TFT基板蒸鍍所述蒸鍍材料，從而形成所述有機EL層。

12.根據(jù)權利要求11所述的有機EL顯示裝置制造方法，其特征在于，在所述蒸鍍室內具有用于向各個所述蒸發(fā)源供給所述蒸鍍材料的材料供給機，維持所述蒸鍍室的真空狀態(tài)而供給所述蒸鍍材料。

13.一種有機EL顯示裝置制造方法，其為通過密封基板密封形成有薄膜晶體管、有機EL層、以及夾著所述有機EL層的電極層的TFT基板的有機EL顯示裝置制造方法，其特征在于，

通過在真空蒸鍍裝置的蒸鍍室內配置形成有所述薄膜晶體管的所述TFT基板，與所述TFT基板相對地配設一個以上的收容用于成膜所述有機EL層或者電極層的蒸鍍材料的權利要求4所述的蒸發(fā)源，并向所述TFT基板蒸鍍所述蒸鍍材料，從而形成所述有機EL層。

14.根據(jù)權利要求13所述的有機EL顯示裝置制造方法，其特征在于，在所述蒸鍍室內具有用于向各個所述蒸發(fā)源供給所述蒸鍍材料的材料供給機，維持所述蒸鍍室的真空狀態(tài)而供給所述蒸鍍材料。