[發明專利]薄膜晶體管陣列基板

有效

• 申請號: 201310336532.8
• 申請日: 2013-08-05
• 公開（公告）號: CN104347641B
• 公開（公告）日: 2018-02-06
• 發明（設計）人: 游家華;胡憲堂;任珂銳;賴瑞麒
• 申請（專利權）人: 瀚宇彩晶股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司44223
• 代理人: 江耀純

1.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，包括：

透明基板；

多個薄膜晶體管，位于該透明基板上，該些薄膜晶體管各包括：

柵極，位于該透明基板上，

柵極絕緣層，位于該柵極上，并且覆蓋該透明基板，

非晶質氧化物半導體層，位于該柵極絕緣層上，及

一對源極/漏極位于該半導體層兩側，該對源極/漏極各有一部分與該非晶質氧化物半導體層重疊；

第一絕緣層，覆蓋于所述薄膜晶體管和該透明基板上方，該第一絕緣層包含聚硅氧烷系列，硅氧系列或壓克力系列的材質，該第一絕緣層直接接觸該非晶質氧化物半導體層，該第一絕緣層的厚度為1至5微米且該第一絕緣層是采用涂布工藝形成的；

多個接觸孔，分別貫穿該第一絕緣層并分別露出該對源極/漏極的一個；

共同電極，位于該第一絕緣層上并露出該些接觸孔；

第二絕緣層，覆蓋該共同電極且該第二絕緣層完全與該共同電極的全部上表面接觸；及

多個像素電極，分別位于該第二絕緣層上并填入該些接觸孔以和露出的源極/漏極接觸。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：

該非晶質氧化物半導體層包括銦、鎵及鋅氧化物的非晶質氧化物半導體材料。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：

該非晶質氧化物半導體層位于該第一絕緣層跟該對源極/漏極間，且通過該對源極/漏極二者間的空隙和該柵極絕緣層接觸。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：

該非晶質氧化物半導體層位于該柵極絕緣層跟該對源極/漏極間。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：

該第一絕緣層的厚度大于該第二絕緣層厚度。

6.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，包括：

透明基板，包括顯示區和扇出區；

多個薄膜晶體管，位于該透明基板上的該顯示區，所述薄膜晶體管各包括：

柵極，位于該透明基板上，

柵極絕緣層，位于該柵極上，并且覆蓋該透明基板，

非晶質氧化物半導體層，位于該柵極上方的該柵極絕緣層上，及

一對源極/漏極，分別位于該半導體層兩側，且各有一部分與該非晶質氧化物半導體層重疊；

多個直接接觸結構，各位于該透明基板上的該扇出區，各該直接接觸結構包括：

第一接觸層，位于該透明基板上，該第一接觸層被該柵極絕緣層覆蓋，

第一接觸孔，貫穿該柵極絕緣層而露出該第一接觸層，及

第二接觸層，位于該柵極絕緣層上，并填入該第一接觸孔而與該第一接觸層接觸；

第一絕緣層，位于所述薄膜晶體管、該透明基板和所述直接接觸結構上方，該第一絕緣層覆蓋所述薄膜晶體管和該透明基板，該第一絕緣層包含聚硅氧烷系列，硅氧系列或壓克力系列的材質，該第一絕緣層直接接觸該非晶質氧化物半導體層，該第一絕緣層的厚度為1至5微米且該第一絕緣層是采用涂布工藝形成的；

多個第二接觸孔，分別貫穿該第一絕緣層并對應曝露各該對源極/漏極的一個；

共同電極，位于該第一絕緣層上并暴露前述所述第二接觸孔；

第二絕緣層，覆蓋該共同電極且該第二絕緣層完全與該共同電極的全部上表面接觸；以及

多個像素電極，分別位于該第二絕緣層上并填入所述第二接觸孔而與對應的各該對源極/漏極的其中一個接觸。

7.根據權利要求6所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：

該非晶質氧化物半導體層包括銦、鎵及鋅氧化物的非晶質氧化物半導體材料。

8.根據權利要求6所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：

該第一接觸層與該柵極具有相同的材質。

9.根據權利要求6所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：

該第二接觸層與該對源極/漏極具有相同的材質。