[發(fā)明專利]多層陶瓷電容器及用于多層陶瓷電容器的安裝板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310334606.4 | 申請日： | 2013-08-02 |
| 公開（公告）號： | CN103915255A | 公開（公告）日： | 2014-07-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 安永圭;金斗永;樸珉哲;李炳華;樸祥秀 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電機株式會社 |
| 主分類號： | H01G4/30 | 分類號： | H01G4/30;H01G4/35;H01G4/12;H01G4/224;H05K1/18 |
| 代理公司： | 北京潤平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283 | 代理人： | 施娥娟;董彬 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多層 陶瓷 電容器 用于 安裝 | ||
相關(guān)申請的交叉引用
本申請要求于2013年1月2日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請No.10-2013-0000176的優(yōu)先權(quán)，該申請公開的內(nèi)容通過引用合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種多層陶瓷電容器及安裝有多層陶瓷電容器的安裝板。
背景技術(shù)
多層陶瓷電容器是一種片式層壓電子元件，是安裝在各種電子產(chǎn)品（例如包括液晶顯示器（LCD）和等離子顯示面板（PDP）的影像設(shè)備、計算機、掌上數(shù)字助理（PDA）、移動電話等）的印刷電路板上并實現(xiàn)充電和放電的芯片型電容器。
多層陶瓷電容器（MLCCs）由于具有體積小、電容大且易于安裝的優(yōu)點，故可以用作為各種電子產(chǎn)品的元件。
多層陶瓷電容器可以具有多個電介質(zhì)層和多個極性不同的內(nèi)電極彼此交替層壓的結(jié)構(gòu)，并且多個內(nèi)電極設(shè)置在電介質(zhì)層之間。
但是，由于電介質(zhì)層具有壓電性能和電致伸縮性能，在交流或直流電壓施加在多層陶瓷電容器上時，可能會產(chǎn)生壓電效應(yīng)，從而導(dǎo)致內(nèi)電極之間的振動。
這種振動可以通過多層陶瓷電容器的外電極傳遞至安裝該多層電容器的印刷電路板上，并且整個印刷電路板可以變成產(chǎn)生源于振動的聲音如噪聲的聲反射表面。
由振動產(chǎn)生的聲音可以對應(yīng)于20Hz至20000Hz范圍內(nèi)的音頻，并且這種可能造成聽者產(chǎn)生不適感覺的振動聲被稱作是噪聲。減少這樣的噪聲的研究是必要的。
下述專利文獻1公開了一種多層陶瓷電容器，其中，下覆蓋層比上覆蓋層具有更大的厚度，并且外部電極形成在陶瓷本體的兩端面。
[現(xiàn)有技術(shù)文件]
（專利文獻1）日本專利公開出版物：No.H06-215978
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個方面提供了一種能夠降低因多層陶瓷電容器中的壓電效應(yīng)引起的振動而產(chǎn)生的噪聲的多層陶瓷電容器
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，在此提供一種多層陶瓷電容器，包括：陶瓷本體，該陶瓷本體具有多個在其厚度方向?qū)訅旱碾娊橘|(zhì)層，多個電介質(zhì)層的寬度大于其長度；工作層，該工作層包括多個第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，該多個第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極沿厚度方向?qū)訅阂越惶娴乇┞队谒鎏沾杀倔w的沿長度方向彼此相對的兩個端面，并且所述電介質(zhì)層插設(shè)在所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極之間，以使得所述工作層中形成電容；上覆蓋層，該上覆蓋層形成在所述工作層的上方；下覆蓋層，該下覆蓋層形成在所述工作層的下方，該下覆蓋層具有大于所述上覆蓋層的厚度；以及第一外電極和第二外電極，該第一外電極和該第二外電極覆蓋所述陶瓷本體的兩個端面，其中，當(dāng)所述陶瓷本體的總厚度的1/2定義為A，所述下覆蓋層的厚度定義為B，所述工作層的總厚度的1/2定義為C，所述上覆蓋層的厚度定義為D時，所述工作層的中心部與所述陶瓷本體的中心部之間的偏離比值（ratio?of?deviation）（B+C）/A滿足1.042≤（B+C）/A≤1.537。
此處，所述上覆蓋層的厚度D與所述下覆蓋層的厚度B的比值D/B可以滿足0.048≤D/B≤0.565。
此處，所述下覆蓋層的厚度（B）與所述陶瓷本體的總厚度的一半A的比值B/A可以滿足0.601≤B/A≤1.128。
此處，所述工作層的總厚度的一半C與所述下覆蓋層的厚度B的比值C/B可以滿足0.362≤C/B≤1.092。
此處，由于在施加電壓的過程中，所述工作層的中心部中產(chǎn)生的變形率與所述下覆蓋層中產(chǎn)生的變形率之間的差異，形成在所述陶瓷本體的各個端面上的拐點的高度可以形成為與所述陶瓷本體的沿厚度方向的中心部的高度一致，或者低于所述陶瓷本體的沿厚度方向的中心部的高度。
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