[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310334571.4
• 申請日: 2013-08-02
• 公開（公告）號: CN103579347A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 藤田和司;江間泰示;堀充明;鳥居泰伸
• 申請（專利權(quán)）人: 富士通半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 張?jiān)≡?李玉鎖

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

將第一雜質(zhì)注入到包括第一區(qū)域和第二區(qū)域的半導(dǎo)體襯底的所述第一區(qū)域中；

在所述半導(dǎo)體襯底的上表面上形成半導(dǎo)體層；

在所述半導(dǎo)體層和所述半導(dǎo)體襯底中形成溝槽；

在所述溝槽中形成元件隔離絕緣膜；

將第二雜質(zhì)注入到所述第二區(qū)域中的所述半導(dǎo)體層中；

在所述第一區(qū)域中的所述半導(dǎo)體層上形成第一柵絕緣膜；

在所述第二區(qū)域中的所述半導(dǎo)體層上形成第二柵絕緣膜；

在所述第一柵絕緣膜上形成第一柵電極；

在所述第二柵絕緣膜上形成第二柵電極；

在所述第一柵電極的兩側(cè)的所述半導(dǎo)體層中形成第一源極區(qū)和第一漏極區(qū)，所述第一源極區(qū)和所述第一漏極區(qū)具有與所述第一雜質(zhì)的導(dǎo)電類型相反的導(dǎo)電類型；以及

在第二柵電極的兩側(cè)的所述半導(dǎo)體層中形成第二源極區(qū)和第二漏極區(qū)，所述第二源極區(qū)和所述第二漏極區(qū)具有與所述第二雜質(zhì)的導(dǎo)電類型相反的導(dǎo)電類型。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在形成所述元件隔離絕緣膜之后執(zhí)行所述第二雜質(zhì)的注入。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在所述第二雜質(zhì)的離子注入中，所述第二雜質(zhì)的濃度峰值位于所述半導(dǎo)體層中。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中注入所述第二雜質(zhì)包括在15keV或低于15keV的加速能量下將BF₂注入到所述半導(dǎo)體層中。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中注入所述第二雜質(zhì)包括在10keV或低于10keV的加速能量下將硼注入到所述半導(dǎo)體層中。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在形成所述半導(dǎo)體層與形成所述第一柵電極之間，沒有執(zhí)行將雜質(zhì)注入到所述第一區(qū)域的所述半導(dǎo)體層中。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中

所述第一雜質(zhì)為硼或BF₂，以及

所述半導(dǎo)體器件的制造方法還包括：

將碳注入到所述半導(dǎo)體襯底的所述第一區(qū)域中。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在形成所述第二柵絕緣膜時(shí)，所述第二柵絕緣膜比所述第一柵絕緣膜厚。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述半導(dǎo)體層為通過外延生長方法形成的硅層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述半導(dǎo)體層具有25nm或大于25nm的厚度。

11.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在形成所述隔離溝槽時(shí)，所述隔離溝槽形成在所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域之間。

12.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中

所述半導(dǎo)體襯底還包括第三區(qū)域，以及

所述半導(dǎo)體器件的制造方法還包括：

將第三雜質(zhì)注入到所述半導(dǎo)體襯底的所述第三區(qū)域中；

在所述第三區(qū)域中的所述半導(dǎo)體層上形成第三柵絕緣膜；

在所述第三柵絕緣膜上形成第三柵電極；以及

在所述第三柵電極的兩側(cè)的所述半導(dǎo)體層中形成第三源極區(qū)和第三漏極區(qū)，所述第三源極區(qū)和所述第三漏極區(qū)具有與所述第三雜質(zhì)的導(dǎo)電層的導(dǎo)電類型相反的導(dǎo)電類型。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在形成所述半導(dǎo)體層與形成所述第三柵電極之間，沒有執(zhí)行將雜質(zhì)注入到所述第三區(qū)域中的所述半導(dǎo)體層中。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中

所述第三雜質(zhì)為硼或BF₂，以及

所述半導(dǎo)體器件的制造方法還包括：

將碳注入到所述半導(dǎo)體襯底的所述第三區(qū)域中。