[發明專利]發光二極管結構

在審

• 申請號: 201310331924.5
• 申請日: 2013-08-01
• 公開（公告）號: CN103579440A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 洪國信;陳丁玉;歐震
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 史新宏

技術領域

本發明涉及一種高亮度發光二極管結構。

背景技術

發光二極管(LED)的發光原理和結構與傳統光源并不相同，具有耗電量低、元件壽命長、無需暖燈時間、反應速度快等優點，再加上其體積小、耐震動、適合量產，容易配合應用需求制成極小或陣列式的元件，在市場上部分產品的應用已很廣泛，例如顯示器的背光，在普通照明的部分則正逐漸地成長。

目前的發光二極管(LED)的性能價格比隨著應用越廣越趨嚴苛，單位面積的亮度要求越來越高，因此會以加大單顆發光二極管(LED)芯片的尺寸來達成，但加大面積后會有電流分布不均勻問題，故如圖1A所示，此一發光二極管(LED)包含第一半導體層22、第二半導體層26、第一電極4及第二電極5，第一電極4包含第一接觸區4a及第一延伸部4b，其中第一接觸區4a及第二電極5具有金屬焊墊，用來封裝打線，第一延伸部4b為指狀電極，用來幫助電流擴散。但是當第一延伸部4b在芯片面積上所占的比例愈高時，電極的遮光或吸光現象便越趨嚴重，而影響發光效率。因此，如圖1B所顯示圖1A中虛線AA’的剖面圖，在第一接觸區4a、第一延伸部4b及第二電極5下方，分別形成平的第一表面43、第二表面46及第三表面53等三個接觸面，并設置高反射率層41、45及51，以降低金屬焊墊及指狀電極底部的遮光或吸光現象，但此一平的接觸面在后續的封裝打線工藝時，金屬焊墊容易產生剝離現象，造成打線質量下降。

以上發光二極管可進一步結合一次載體(sub-mount)而形成一發光裝置，所述發光裝置包含一具有至少一電路的次載體；至少一焊料(solder)位于上述次載體上，通過此焊料將上述發光二極管固定于次載體上并使發光二極管的基板與次載體上的電路形成電連接；以及，一電性連接結構，以電性連接發光二極管的電極墊與次載體上的電路；其中，上述的次載體可以是導線架(lead?frame)或大尺寸鑲嵌基底(mounting?substrate)，以方便發光裝置的電路規劃并提高其散熱效果。

發明內容

一發光二極管結構，包含一基板，一半導體發光迭層位于基板上，其中半導體發光迭層包含一第一半導體層、一第二半導體層與第一半導體層的電性相異、及一主動層介于第一半導體層及第二半導體層之間，一第一電極與第一半導體層電性相連，及一第二電極與第二半導體層電性相連，其中，第一電極包含一接觸區與一延伸區，接觸區具有與第一半導體層相對的一第一表面，延伸區具有與第一半導體層相對的一第二表面，第一表面及第二表面具有相異的粗糙度，且第一表面的反射率小于第二表面的反射率。

附圖說明

圖1A顯示已知發光二極管的俯視圖；

圖1B顯示已知發光二極管的剖面圖；

圖2A顯示根據本發明第一實施例的發光二極管結構的剖面圖；

圖2B顯示封裝打線區域的受力示意圖；

圖3顯示根據本發明第二實施例的發光二極管結構的剖面圖；

圖4顯示根據本發明第三實施例的發光二極管結構的剖面圖；

圖5顯示根據本發明第四實施例的發光二極管結構的剖面圖；

圖6顯示發光二極管具有多個第一延伸部的俯視圖；

圖7與圖8顯示根據本發明第五實施例的發光二極管結構的俯視圖；

圖9所顯示根據本發明第五實施例的發光二極管結構的剖面圖；

圖10顯示根據本發明第六實施例的發光二極管結構的剖面圖；

圖11顯示根據本發明第七實施例的發光二極管結構的剖面圖；

圖12顯示根據本發明第八實施例的發光二極管結構的剖面圖；

圖13顯示根據本發明第九實施例的發光二極管結構的剖面圖；

圖14顯示根據本發明第十實施例的發光二極管結構的剖面圖。

【主要元件符號說明】

1a～1j?發光二極管結構??43????第一表面

10?????基板????????????4b????第一延伸部

2??????半導體發光迭層??44????第一指狀電極

22?????第一半導體層????45????高反射率層

221????上表面??????????46????第二表面

222????平坦區域????????5?????第二電極

223????粗糙區域????????5a????第二接觸區

24?????主動層??????????51????高反射率層