[發(fā)明專利]發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310331924.5
• 申請日: 2013-08-01
• 公開（公告）號: CN103579440A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 洪國信;陳丁玉;歐震
• 申請（專利權(quán)）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 史新宏

1.一發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，包含：

一基板；

一半導(dǎo)體發(fā)光迭層位于該基板上，其中該半導(dǎo)體發(fā)光迭層包含一第一半導(dǎo)體層、一第二半導(dǎo)體層與該第一半導(dǎo)體層的電性相異、及一主動層介于該第一半導(dǎo)體層及該第二半導(dǎo)體層之間；

一第一電極與該第一半導(dǎo)體層電性相連；及

一第二電極與該第二半導(dǎo)體層電性相連；

其中，該第一電極包含一接觸區(qū)與一延伸區(qū)，該接觸區(qū)具有與該第一半導(dǎo)體層相對的一第一表面，該延伸區(qū)具有與該第一半導(dǎo)體層相對的一第二表面，該第一表面及該第二表面具有相異的粗糙度，且該第一表面的反射率小于該第二表面的反射率。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，還包含一透明導(dǎo)電層位于該第一電極與該第一半導(dǎo)體層之間。

3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該第一表面的粗糙度大于該第二表面的粗糙度。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該第一表面的平均粗糙度大于100nm及該第二表面的平均粗糙度小于60nm。

5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該第二電極包含一第三表面相對于該第二半導(dǎo)體層，該第三表面的平均粗糙度大于100nm。

6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該第一電極包含一高反射率層具有該第一表面和/或該第二表面。

7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該高反射率層的材料選自于可見光波段的反射率大于70%的導(dǎo)電材料。

8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該第一表面與該第一半導(dǎo)體層之間的接觸電阻大于該第二表面與該第一半導(dǎo)體層之間的接觸電阻值。

9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，還包含一電性絕緣層位于該第一表面與該第一半導(dǎo)體層之間。

10.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該透明導(dǎo)電層只形成于該第二表面與該第一半導(dǎo)體層之間。