[發(fā)明專利]一種碳化硅肖特基勢壘二極管及其制作方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310330738.X | 申請日： | 2013-08-01 |
| 公開（公告）號： | CN103400853A | 公開（公告）日： | 2013-11-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄧小川;李軒;王向東;文譯;饒成元;張波 | 申請（專利權(quán)）人： | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號： | H01L29/10 | 分類號： | H01L29/10;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 成都宏順專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李順德;王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 碳化硅 肖特基勢壘二極管 及其 制作方法 | ||
1.一種碳化硅肖特基勢壘二極管，包括依次層疊設(shè)置的陰極電極（1）、N+襯底（2）、N-漂移區(qū)（3）、P+層（4）和陽極電極（5），其特征在于，所述P+層（4）上設(shè)置有多個固定間距的凹槽（6），所述陽極電極（5）填充在凹槽（6）內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳化硅肖特基勢壘二極管，其特征在于，所述凹槽（6）的斷面形狀為V字型、矩形和U形中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種碳化硅肖特基勢壘二極管，其特征在于，所述凹槽（6）的深度大于P+層（4）的厚度，并延伸到N-漂移區(qū)（3）中。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種碳化硅肖特基勢壘二極管，其特征在于，所述陽極電極（5）采用的材料為鈦、鎳和鋁中的一種或多種組合而成的合金。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種碳化硅肖特基勢壘二極管，其特征在于，所述N+襯底（2）和P+層（4）采用的材料為碳化硅、氮化鎵、金剛石、石墨烯、砷化鎵、硅和鍺中的一種。
6.一種碳化硅肖特基勢壘二極管的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
a.在碳化硅N+襯底（2）上外延一定厚度的N-漂移區(qū)（3）；
b.在N-漂移區(qū)（3）上外延一定厚度的碳化硅P+層（4）；
c.刻蝕碳化硅P+層（4）至N-漂移區(qū)（3）中，形成多個有一定間距的凹槽（6），凹槽（6）的深度大于P+層（4）的厚度；
d.在碳化硅上表面和下表面淀積金屬，形成陽極電極（5）和陰極電極（1）。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種碳化硅肖特基勢壘二極管的制作方法，其特征在于，所述陽極電極（5）采用的材料為鈦、鎳和鋁中的一種或多種組合而成的合金。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
