[發明專利]發光二極管的制造方法在審
| 申請號: | 201310327547.8 | 申請日: | 2013-07-31 |
| 公開(公告)號: | CN104347779A | 公開(公告)日: | 2015-02-11 |
| 發明(設計)人: | 羅杏芬;張超雄 | 申請(專利權)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;榮創能源科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/48 | 分類號: | H01L33/48;H01L33/52 |
| 代理公司: | 深圳市鼎言知識產權代理有限公司 44311 | 代理人: | 葉小勤 |
| 地址: | 518109 廣東省深圳市寶*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種半導體的制造方法,尤其涉及一種發光二極管的制造方法。
背景技術
發光二極管(Light?Emitting?Diode,LED)是一種可將電流轉換成特定波長范圍的光的半導體元件,憑借其發光效率高、體積小、重量輕、環保等優點,已被廣泛地應用到當前的各個領域當中。
現有的發光二極管的制造方法通常包括步驟提供一基板、在該基板上設置一發光二極管芯片、形成一圍設所述發光二極管芯片的反射杯以及在所述反射杯內注入透明膠體形成封裝層。為了提高發光二極管的氣密性,通常會在膠體中混合防硫化材料,如聚硅氧樹脂等。然而,將含有防硫化材料的封裝膠體注入至反射杯后,所述含防硫化材料在重力作用下易于沉淀至反射杯的底部,從而導致發光二極管頂部各處的氣密性較差而易于被水氣侵入,進而損壞其中的發光二極管芯片。
發明內容
有鑒于此,有必要提供一種氣密性較好的發光二極管的制造方法。
一種發光二極管的制造方法,其包括如下步驟:
S1:提供具有第一電極及第二電極的基板,該第一電極與第二電極電性隔絕且設置在該基板的相對兩側;
S2:形成位于第一電極及第二電極上的反射杯,該反射杯具有上下貫穿的通孔;
S3:提供發芯光片,將該發光芯片設置于反射杯的通孔底部,且將該發光芯片電性連接至所述第一電極及第二電極;
S4:提供覆蓋層以及模具,并將所述覆蓋層結合于所述模具的下表面,該覆蓋層包括一用以防止水氣入侵的保護層及貼設于保護層上表面、且易于自模具分離的分離層,所述分離層貼設于所述模具的下表面;
S5:將所述模具下表面朝向所述反射杯方向移動,以使覆蓋層與反射杯頂面之間形成間隔區、覆蓋層與反射杯通孔之間形成容置部;
S6:自所述間隔區向容置部內填充封裝材料以形成覆蓋發光芯片的封裝層,所述封裝層填滿所述間隔區及容置部;
S7:移除模具形成發光二極管。
本發明提供的發光二極管的制造方法,制程簡單,易于操作,尤其是采用本發明的方法將一保護層覆蓋至封裝層的頂部的外表面,從而提高了該發光二極管的頂部表面的各處的氣密性。
附圖說明
圖1為本發明的發光二極管制造方法的步驟流程圖。
圖2至圖9為本發明發光二極管制造方法的各步驟示意圖。
主要元件符號說明
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