[發(fā)明專利]發(fā)光二極管的制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201310327547.8
• 申請日: 2013-07-31
• 公開（公告）號: CN104347779A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 羅杏芬;張超雄
• 申請（專利權(quán)）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/52
• 代理公司: 深圳市鼎言知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44311
• 代理人: 葉小勤

1.一種發(fā)光二極管的制造方法，其包括如下步驟：

S1：提供具有第一電極及第二電極的基板，該第一電極與第二電極電性隔絕且設(shè)置在該基板的相對兩側(cè)；

S2：形成位于第一電極及第二電極上的反射杯，該反射杯具有上下貫穿的通孔；

S3：提供發(fā)芯光片，將該發(fā)光芯片設(shè)置于反射杯的通孔底部，且將該發(fā)光芯片電性連接至所述第一電極及第二電極；

S4：提供覆蓋層以及模具，并將所述覆蓋層結(jié)合于所述模具的下表面，該覆蓋層包括一用以防止水氣入侵的保護層及貼設(shè)于保護層上表面、且易于自模具分離的分離層，所述分離層貼設(shè)于所述模具的下表面；

S5：將所述模具下表面朝向所述反射杯方向移動，以使覆蓋層與反射杯頂面之間形成間隔區(qū)、覆蓋層與反射杯通孔之間形成容置部；

S6：自所述間隔區(qū)向容置部內(nèi)填充封裝材料以形成覆蓋發(fā)光芯片的封裝層，所述封裝層填滿所述間隔區(qū)及容置部；

S7：移除模具形成發(fā)光二極管。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述保護層由硅材質(zhì)的納米級粒子均勻堆疊而成，所述分離層包含有乙烯四氟乙烯共聚物材料。

3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述保護層及分離層均為厚度均勻的薄層，且所述分離層的厚度大于所述保護層的厚度。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述保護層及分離層分別包括一主體部及自主體部中部向上突設(shè)的突出部，所述模具包括一自模具的下表面內(nèi)凹的模穴，所述分離層的突出部貼設(shè)于所述模具的模穴的內(nèi)表面，所述分離層的主體部對應(yīng)貼設(shè)于所述模具的下表面。

5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：步驟S5還包括將模具的模穴正對反射杯的通孔，且將該模具朝向反射杯移動。

6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述模穴呈半球狀，所述分離層的突出部呈半球狀。

7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述保護層的厚度為50微米。

8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：還包括“在S7之后，將所述分離層自所述保護層分離”的步驟。

9.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述納米級粒子的直徑為1納米。