[發明專利]一種提高器件縱向耐壓能力的半導體裝置封裝結構在審
| 申請號： | 201310326155.X | 申請日： | 2013-07-31 |
| 公開（公告）號： | CN104347582A | 公開（公告）日： | 2015-02-11 |
| 發明（設計）人： | 謝剛;何志;陳琛;盛況;崔京京 | 申請（專利權）人： | 浙江大學蘇州工業技術研究院 |
| 主分類號： | H01L23/522 | 分類號： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215163 江蘇省蘇州市高新*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 器件 縱向 耐壓 能力 半導體 裝置 封裝 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種提高器件縱向耐壓能力的半導體裝置封裝結構，其特征在于：
III-V族半導體材料制備的半導體裝置；
絕緣的DBC基板；
所述的半導體裝置安裝在所述的DBC基板上；
所得到的基板通過引線連接到外部封裝基板。
2.如權利要求1所述的半導體裝置封裝結構，其中，所述半導體裝置最上層是其中在器件的接入區中形成2DEG的溝道層。
3.如權利要求1所述的半導體裝置封裝結構，所述半導體裝置襯底為硅半導體材料。
4.如權利要求1所述的半導體裝置封裝結構，所述的DBC基板是不導電的。
5.如權利要求1所述的半導體裝置封裝結構，其中，所述的DBC基板可以是任意結構的。
6.如權利要求1所述的半導體裝置封裝結構，其中，所述的DBC基板上端與所述的半導體裝置接觸，下端與外部封裝基板連接。DBC基板位于封裝引線框與半導體裝置之間。
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