[發明專利]一種圓片形氟化鎂MgF2晶體鍍膜材料及其生產方法

有效

• 申請號: 201310323878.4
• 申請日: 2013-07-29
• 公開（公告）號: CN103422170A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 齊鈺;齊劍峰
• 申請（專利權）人: 齊鈺
• 主分類號: C30B29/12
• 分類號: C30B29/12;C30B29/60;C30B28/06;C23C14/06
• 代理公司: 鞍山嘉訊科技專利事務所 21224
• 代理人: 張群

1.一種圓片形氟化鎂MgF₂晶體鍍膜材料及其生產方法，其特征在于，該材料是一種無色透明的多晶光學晶體鍍膜材料，在波長500mm處，其折射率?Ne=1.38，材料密度約為3.17克/cm³；該材料的形狀是適應多種規格電子槍坩堝或堝襯的直徑和深度設計加工而成的圓片形或圓錐柱形，其直徑尺寸范圍為20mm~56mm，厚度尺寸范圍為：5mm~30mm；

該材料的制作方法包括真空燒結氟化鎂棒狀晶體和光學機械成形加工兩個工序，其中：1）真空燒結氟化鎂棒狀晶體的工序步驟為：

①升溫：將氟化鎂粉料加入真空燒結裝置中抽真空，該真空燒結裝置內設有多棒孔石墨坩堝并且坩堝內外均設有石墨加熱器，當裝置內真空度達2Pa后，對坩堝實施內外同時加熱，并以100℃~120℃/h速率升溫10~12h，使裝置內溫度達到1050℃~1200℃；

②恒溫：裝置內保持真空度在0.2~0.06Pa，溫度1250℃~1260℃，保持恒溫14~16h；

③降溫：裝置內保持真空度在0.06~0.004Pa，以20℃~25℃/h的速率降溫30~32h；當裝置溫達到640℃~600℃時，停止加熱，裝置體自然冷卻至室溫；

2）光學機械成形加工工序步驟為：

從真空燒結裝置中取出燒結好的氟化鎂棒狀晶體，依據所需要的電子槍坩堝或堝襯的直徑和深度取相應尺寸的MgF₂棒狀晶體，按設計的圓片型MgF₂晶體鍍膜材料的規格進行光學機械成型加工：

①首先經內圓切片機把相應直徑尺寸的MgF₂棒狀晶體按設計尺寸切成一定厚度和一定厚度公差要求的圓片型MgF₂；

②將該厚度的MgF₂圓片經光學磨邊機光磨達到設計直徑尺寸的圓片，其光潔度應達到▽6以上；

③?最后將成型的MgF₂圓片經超聲波清洗機清洗，烤箱烘干和真空包裝，即為最終圓片形氟化鎂晶體鍍膜材料產品。

2.根據權利1要求所述一種圓片形氟化鎂MgF₂晶體鍍膜材料及其生產方法，其特征在于，所述鍍膜材料產品適用于所有電子槍鍍MgF₂膜，尤其適用于表面光潔度優于5/20的超光滑光學元件表面鍍MgF₂膜，鍍膜質點直徑可小于5μm。