[發(fā)明專利]一種圓片形氟化鎂MgF2晶體鍍膜材料及其生產(chǎn)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310323878.4
• 申請(qǐng)日: 2013-07-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103422170A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 齊鈺;齊劍峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 齊鈺
• 主分類號(hào): C30B29/12
• 分類號(hào): C30B29/12;C30B29/60;C30B28/06;C23C14/06
• 代理公司: 鞍山嘉訊科技專利事務(wù)所 21224
• 代理人: 張群

1.一種圓片形氟化鎂MgF₂晶體鍍膜材料及其生產(chǎn)方法，其特征在于，該材料是一種無(wú)色透明的多晶光學(xué)晶體鍍膜材料，在波長(zhǎng)500mm處，其折射率?Ne=1.38，材料密度約為3.17克/cm³；該材料的形狀是適應(yīng)多種規(guī)格電子槍坩堝或堝襯的直徑和深度設(shè)計(jì)加工而成的圓片形或圓錐柱形，其直徑尺寸范圍為20mm~56mm，厚度尺寸范圍為：5mm~30mm；

該材料的制作方法包括真空燒結(jié)氟化鎂棒狀晶體和光學(xué)機(jī)械成形加工兩個(gè)工序，其中：1）真空燒結(jié)氟化鎂棒狀晶體的工序步驟為：

①升溫：將氟化鎂粉料加入真空燒結(jié)裝置中抽真空，該真空燒結(jié)裝置內(nèi)設(shè)有多棒孔石墨坩堝并且坩堝內(nèi)外均設(shè)有石墨加熱器，當(dāng)裝置內(nèi)真空度達(dá)2Pa后，對(duì)坩堝實(shí)施內(nèi)外同時(shí)加熱，并以100℃~120℃/h速率升溫10~12h，使裝置內(nèi)溫度達(dá)到1050℃~1200℃；

②恒溫：裝置內(nèi)保持真空度在0.2~0.06Pa，溫度1250℃~1260℃，保持恒溫14~16h；

③降溫：裝置內(nèi)保持真空度在0.06~0.004Pa，以20℃~25℃/h的速率降溫30~32h；當(dāng)裝置溫達(dá)到640℃~600℃時(shí)，停止加熱，裝置體自然冷卻至室溫；

2）光學(xué)機(jī)械成形加工工序步驟為：

從真空燒結(jié)裝置中取出燒結(jié)好的氟化鎂棒狀晶體，依據(jù)所需要的電子槍坩堝或堝襯的直徑和深度取相應(yīng)尺寸的MgF₂棒狀晶體，按設(shè)計(jì)的圓片型MgF₂晶體鍍膜材料的規(guī)格進(jìn)行光學(xué)機(jī)械成型加工：

①首先經(jīng)內(nèi)圓切片機(jī)把相應(yīng)直徑尺寸的MgF₂棒狀晶體按設(shè)計(jì)尺寸切成一定厚度和一定厚度公差要求的圓片型MgF₂；

②將該厚度的MgF₂圓片經(jīng)光學(xué)磨邊機(jī)光磨達(dá)到設(shè)計(jì)直徑尺寸的圓片，其光潔度應(yīng)達(dá)到▽6以上；

③?最后將成型的MgF₂圓片經(jīng)超聲波清洗機(jī)清洗，烤箱烘干和真空包裝，即為最終圓片形氟化鎂晶體鍍膜材料產(chǎn)品。

2.根據(jù)權(quán)利1要求所述一種圓片形氟化鎂MgF₂晶體鍍膜材料及其生產(chǎn)方法，其特征在于，所述鍍膜材料產(chǎn)品適用于所有電子槍鍍MgF₂膜，尤其適用于表面光潔度優(yōu)于5/20的超光滑光學(xué)元件表面鍍MgF₂膜，鍍膜質(zhì)點(diǎn)直徑可小于5μm。