[發明專利]一種陣列基板及其制作方法有效
| 申請號: | 201310323825.2 | 申請日: | 2013-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN103412419A | 公開(公告)日: | 2013-11-27 |
| 發明(設計)人: | 郭建 | 申請(專利權)人: | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/13 | 分類號: | G02F1/13;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 及其 制作方法 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種陣列基板及其制作方法。
背景技術
液晶顯示器包括:陣列基板、彩膜基板以及設置在陣列基板和彩膜基板之間的液晶。如圖1所示,陣列基板100在制作的前期,包括:顯示區域101、走線區域102和周邊區域103。顯示區域101包括多個由交錯設置的柵線和數據線形成的像素單元,每一像素單元對應一個薄膜晶體管。走線區域102為保證顯示區域101的必需信號元件(例如顯示區域101數據線信號的輸入走線)電連接。由于顯示區域101的各像素單元的薄膜晶體管受其他圖層的干擾,很難對其的性能進行檢測,因此,在所述基板的周邊區域103還設置有檢測區104,所述檢測區104如圖2所示,包括由交錯設置的柵線和數據線形成的像素單元,且每一像素單元對應一個薄膜晶體管,用于檢測基板上薄膜晶體管的特性。當陣列基板與彩膜基板貼合,形成顯示面板后,周邊區域103一般會被切掉。
但由于檢測區104和顯示區域101上薄膜晶體管的制作有差異,且檢測區的薄膜晶體管特性不均勻,測試值相差較大,無法反應真實結果。
發明內容
本發明的實施例提供一種陣列基板及其制作方法,所述陣列基板上的檢測區的薄膜晶體管特性均勻,與顯示區域的薄膜晶體管特性相近,測試結果更接近真實值。
為達到上述目的,本發明的實施例采用如下技術方案:
本發明實施例提供了一種陣列基板,包括顯示區域和周邊區域,其中,顯示區域包括多個用于顯示的第一像素單元;周邊區域包括檢測區,在所述檢測區設置有用于檢測的第二像素單元,每一像素單元對應設置有薄膜晶體管,其中,所述周邊區域還包括環繞所述檢測區的分隔區,所述分隔區用于使得檢測區的薄膜晶體管的特性均勻。
可選的,所述分隔區設置有非檢測用的第三像素單元。
可選的,所述分隔區的第三像素單元的像素密度不小于10。
可選的,所述分隔區與檢測區之間設置有間隔。
可選的,所述分隔區和檢測區之間間隔15-100μm。
可選的,所述檢測區的第二像素單元以n*m的矩陣形式排布,且所述n和m均為大于3的正整數。
可選的,所述n和m分別為50。
可選的,所述分隔區的第三像素單元與檢測區的第二像素單元位于同一排。
可選的,在制作初期,周邊區域的像素單元的線寬小于顯示區域的第一像素單元的線寬。
本發明實施例提供了一種陣列基板的制作方法,包括:在襯底基板上形成顯示區域和周邊區域,其中,顯示區域包括多個用于顯示的第一像素單元;所述周邊區域包括檢測區以及環繞所述檢測區的分隔區,其中,所述檢測區設置有用于檢測的第二像素單元,每一像素單元對應設置有薄膜晶體管,分隔區用于使得檢測區的第二像素單元的薄膜晶體管的特性均勻。
可選的,所述分隔區設置有非檢測用的第三像素單元。
可選的,分隔區的第三像素單元與檢測區的第二像素單元同時制作。
可選的,所述周邊區域的像素單元的線寬小于顯示區域的第一像素單元的線寬。
本發明實施例提供的一種陣列基板及其制作方法,所述陣列基板的周邊區域包括檢測區和分隔區,所述檢測區設置有用于檢測的第二像素單元,所述分隔區主要用于保證檢測區第二像素單元的薄膜晶體管的均一性,進而保證檢測結果與顯示區域的像素單元中薄膜晶體管的特性更為接近,測試結果更準確。
附圖說明
圖1為現有的陣列基板俯視結構示意圖;
圖2為現有的陣列基板上周邊區域的結構示意圖;
圖3為本發明實施提供的一種陣列基板上周邊區域的結構示意圖;
圖4為本發明實施提供的另一種陣列基板上周邊區域的結構示意圖;
附圖說明:
100-陣列基板;101-顯示區域;102-走線區域;103-周邊區域;104-檢測區;105-分隔區。
具體實施方式
下面將結合本發明實施例中的附圖,對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例,而不是全部的實施例。
本發明實施例提供了一種陣列基板,包括顯示區域和周邊區域,其中,顯示區域包括多個用于顯示的第一像素單元;周邊區域包括檢測區,在所述檢測區設置有用于檢測的第二像素單元,每一像素單元對應設置有薄膜晶體管,所述周邊區域還包括環繞所述檢測區的分隔區,所述分隔區用于使得檢測區的薄膜晶體管的特性均勻。
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