[發(fā)明專利]一種p-CuI/n-ZnO透明異質(zhì)結(jié)及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310322263.X
• 申請日: 2013-07-29
• 公開（公告）號: CN103390661A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 汪賢才
• 申請（專利權(quán)）人: 汪賢才
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/0336;H01L31/18
• 代理公司: 上海市華誠律師事務(wù)所 31210
• 代理人: 章登亞

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種透明異質(zhì)結(jié)及其制備方法，尤其是一種電性能優(yōu)異的p-CuI/n-ZnO透明異質(zhì)結(jié)及其制備方法。

背景技術(shù)

我國半導(dǎo)體技術(shù)材料近些年來得到了快速的增長，隨著用戶對產(chǎn)品性能要求的不斷提高，現(xiàn)有的半導(dǎo)體材料，如PN結(jié)等的電性能要求，然目前普遍采用的PN結(jié)由Cu-ZnO納米薄膜構(gòu)成，由于P、N均采用Cu-ZnO納米薄膜，其電性能不是很理想，為此考慮研發(fā)一種電性能優(yōu)異的PN結(jié)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種p-CuI/n-ZnO透明異質(zhì)結(jié)及其制備方法，獲得的透明異質(zhì)結(jié)電性能優(yōu)異。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案為：一種p-CuI/n-ZnO透明異質(zhì)結(jié)，其特征在于包括，從上到下依次設(shè)置的p-CuI薄膜、n-ZnO納米柱、n-ZnO薄膜種子層和ITO玻璃，p-CuI薄膜上方壓制有供電壓測試用的另一ITO玻璃，所述ITO玻璃與另一ITO玻璃間導(dǎo)線和電源連接構(gòu)成一電壓測試回路。

一種p-CuI/n-ZnO透明異質(zhì)結(jié)的制備方法，用于獲得一種p-CuI/n-ZnO透明異質(zhì)結(jié)，包括下述步驟：步驟1，n-ZnO薄膜種子層的制備；步驟2，n-ZnO納米柱的制備；步驟3，p-CuI薄膜的制備。

進(jìn)一步的，所述步驟1中n-ZnO薄膜種子層的制備主要為：首先，將0.08~0.13g?的乙酸鋅和?0.11~0.13g的氫氧化鈉分別溶解到50?ml?的乙醇中，攪拌混合，混合時保持溫度在60℃，攪拌時間為5min，獲得膠體；接著將膠體滴在ITO玻璃上，ITO玻璃安置在甩膠機(jī)上，甩膠完成后，將帶有膠體的ITO玻璃置于烘箱中，烘烤10min，保持烘箱中溫度恒定在60℃，烘烤結(jié)束后，完成n-ZnO薄膜種子層的制備。

進(jìn)一步的，所述甩膠機(jī)的參數(shù)首先轉(zhuǎn)速為500rpm，旋轉(zhuǎn)時間15秒，接著轉(zhuǎn)速上調(diào)到3000rpm，旋轉(zhuǎn)時間控制在55秒，獲得帶n-ZnO薄膜種子層的ITO玻璃。

進(jìn)一步的，所述步驟2中n-ZnO納米柱的制備主要為：首先，將等摩爾量的乙酸鋅和六亞甲基四胺混合配置成水溶液置于玻璃燒杯中,將玻璃燒杯加熱到90℃；接著將步驟1獲得帶n-ZnO薄膜種子層的ITO玻璃，浸泡在玻璃燒杯中3h，n-ZnO薄膜種子層上生成n-ZnO納米柱。接著將生長好的ZnO納米柱用去離子水沖洗，然后置于60℃烘箱中烘干。

進(jìn)一步的，所述步驟3中p-CuI薄膜的制備主要包括：3a，陽離子前驅(qū)物的制備；3b，陰離子前驅(qū)物的制備；3c,?p-CuI薄膜的制備。

進(jìn)一步的，所述步驟3a中陽離子前驅(qū)物的制備主要為：首先，將0.1?mol/dm³濃度的五水硫酸銅和0.1?mol/dm³濃度的硫代硫酸鈉以體積比5:2的比例混合，獲得陽離子前驅(qū)物，反應(yīng)獲得的用于生長p-CuI的陽離子源。

進(jìn)一步的，所述步驟3b中陰離子前驅(qū)物的制備主要為濃度為0.025?mol/dm³的KI（碘化鉀）作為生長p-CuI的陰離子前驅(qū)物。

進(jìn)一步的，所述步驟3c中?p-CuI薄膜的制備主要為：首先，將準(zhǔn)備生長p-CuI薄膜的且已經(jīng)生長好ZnO納米柱的ITO玻璃，浸泡在陽離子前驅(qū)物中5s，浸泡結(jié)束后，撈出；接著，用電阻率為18?MW.?cm的去離子水沖洗ITO玻璃5s；接著，將ITO玻璃浸泡于陰離子前驅(qū)物中20s，浸泡結(jié)束后，撈出；然后，用電阻率為18?MW.?cm的去離子水沖洗ITO玻璃5s，上述步驟形成一次沉積循環(huán)過程。

進(jìn)一步的，所述步驟3c中?p-CuI薄膜的制備可因p-CuI薄膜厚度選擇性的增加沉積循環(huán)過程的次數(shù)。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：通過采用上述結(jié)構(gòu)的p-CuI/n-ZnO透明異質(zhì)結(jié)，p-CuI薄膜、n-ZnO納米柱、n-ZnO薄膜種子層和ITO玻璃的組合，使得PN透明異質(zhì)結(jié)獲得良好的電性能。通過上述步驟制備獲得p-CuI/n-ZnO透明異質(zhì)結(jié)，嚴(yán)格控制各個環(huán)節(jié)的參數(shù)，確保獲得的p-CuI/n-ZnO透明異質(zhì)結(jié)具有良好的電性能。