[發明專利]一種p-CuI/n-ZnO透明異質結及其制備方法

無效

• 申請號: 201310322263.X
• 申請日: 2013-07-29
• 公開（公告）號: CN103390661A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 汪賢才
• 申請（專利權）人: 汪賢才
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/0336;H01L31/18
• 代理公司: 上海市華誠律師事務所 31210
• 代理人: 章登亞

1.一種p-CuI/n-ZnO透明異質結，其特征在于包括，從上到下依次設置的p-CuI薄膜、n-ZnO納米柱、n-ZnO薄膜種子層和ITO玻璃，p-CuI薄膜上方壓制有供電壓測試用的另一ITO玻璃，所述ITO玻璃與另一ITO玻璃間導線和電源連接構成一電壓測試回路。

2.一種p-CuI/n-ZnO透明異質結的制備方法，用于獲得如權利要求1所述的一種p-CuI/n-ZnO透明異質結，其特征在于包括下述步驟：步驟1，n-ZnO薄膜種子層的制備；步驟2，n-ZnO納米柱的制備；步驟3，p-CuI薄膜的制備。

3.如權利要求2所述的一種p-CuI/n-ZnO透明異質結的制備方法，其特征在于，所述步驟1中n-ZnO薄膜種子層的制備主要為：首先，將0.08~0.13g?的乙酸鋅和0.11~0.13g的氫氧化鈉分別溶解到50?ml?的乙醇中，攪拌混合，混合時保持溫度在60℃，攪拌時間為5分鐘，獲得膠體；接著將膠體滴在ITO玻璃上，ITO玻璃安置在甩膠機上，甩膠完成后，將帶有膠體的ITO玻璃置于烘箱中，烘烤10min，保持烘箱中溫度恒定在60℃，烘烤結束后，完成n-ZnO薄膜種子層的制備。

4.如權利要求3所述的一種p-CuI/n-ZnO透明異質結的制備方法，其特征在于，所述甩膠機的參數首先轉速為500rpm，旋轉時間15秒，接著轉速上調到3000rpm，旋轉時間控制在55秒，獲得帶n-ZnO薄膜種子層的ITO玻璃。

5.如權利要求2所述的一種p-CuI/n-ZnO透明異質結的制備方法，其特征在于，所述步驟2中n-ZnO納米柱的制備主要為：首先，將等摩爾量的乙酸鋅和六亞甲基四胺混合配置成水溶液置于玻璃燒杯中,將玻璃燒杯加熱到90℃；接著將步驟1獲得帶n-ZnO薄膜種子層的ITO玻璃，浸泡在玻璃燒杯中3小時，n-ZnO薄膜種子層上生成n-ZnO納米柱；接著將生長好的ZnO納米柱用去離子水沖洗，然后置于60℃烘箱中烘干。

6.如權利要求2所述的一種p-CuI/n-ZnO透明異質結的制備方法，其特征在于，所述步驟3中p-CuI薄膜的制備主要包括：3a，陽離子前驅物的制備；3b，陰離子前驅物的制備；3c,?p-CuI薄膜的制備。

7.如權利要求6所述的一種p-CuI/n-ZnO透明異質結的制備方法，其特征在于，所述步驟3a中陽離子前驅物的制備主要為：首先，將0.1?mol/dm³濃度的五水硫酸銅和0.1?mol/dm³濃度的硫代硫酸鈉以體積比5:2的比例混合，獲得陽離子前驅物，反應獲得的???????????????????????????????????????????????用于生長p-CuI的陽離子源。

8.如權利要求6所述的一種p-CuI/n-ZnO透明異質結的制備方法，其特征在于，所述步驟3b中陰離子前驅物的制備主要為濃度為0.025?mol/dm³的KI（碘化鉀）作為生長p-CuI的陰離子前驅物。

9.如權利要求6至8其中任何一項所述的一種p-CuI/n-ZnO透明異質結的制備方法，其特征在于，所述步驟3c中?p-CuI薄膜的制備主要為：首先，將準備生長p-CuI薄膜的且已經生長好ZnO納米柱的ITO玻璃，浸泡在陽離子前驅物中5秒，浸泡結束后，撈出；接著，用電阻率為18?MW.?cm的去離子水沖洗ITO玻璃5秒；接著，將ITO玻璃浸泡于陰離子前驅物中20秒，浸泡結束后，撈出；然后，用電阻率為18?MW.?cm的去離子水沖洗ITO玻璃5秒，上述步驟形成一次沉積循環過程。

10.如權利要求9所述的一種p-CuI/n-ZnO透明異質結的制備方法，其特征在于，所述步驟3c中?p-CuI薄膜的制備可因p-CuI薄膜厚度選擇性的增加沉積循環過程的次數。