[發(fā)明專利]倒裝芯片封裝

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310321262.3
• 申請(qǐng)日: 2013-07-29
• 公開（公告）號(hào): CN103633049A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃清流;謝東憲;周哲雅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)發(fā)科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/488
• 分類號(hào): H01L23/488
• 代理公司: 北京萬慧達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11111
• 代理人: 楊穎;張金芝

1.一種倒裝芯片封裝，包括：

封裝結(jié)構(gòu)，具有第一接墊以及第二接墊形成于其上，其中所述第一接墊的特征尺寸不同于所述第二接墊的特征尺寸；

半導(dǎo)體芯片，面向所述封裝結(jié)構(gòu)，具有第一凸塊底金屬層以及第二凸塊底金屬層形成于其上，其中所述第一凸塊底金屬層的特征尺寸不同于所述第二凸塊底金屬層的特征尺寸；以及

第一導(dǎo)電組件，設(shè)置于所述第一接墊與所述第一凸塊底金屬層之間；以及

第二導(dǎo)電組件，設(shè)置于所述第二接墊與所述第二凸塊底金屬層之間，其中所述第一導(dǎo)電組件的特征尺寸不同于所述第二導(dǎo)電組件的特征尺寸。

2.如權(quán)利要求1所述的倒裝芯片封裝，其特征在于，所述第一導(dǎo)電組件與所述第二導(dǎo)電組件包括含銅柱狀物。

3.如權(quán)利要求1所述的倒裝芯片封裝，其特征在于，所述第一導(dǎo)電組件與所述第二導(dǎo)電組件包括焊錫凸塊。

4.如權(quán)利要求1所述的倒裝芯片封裝，其特征在于，所述第一凸塊底金屬層與所述第二凸塊底金屬層包括了鈦/銅合金或鈦/銅/銅/鎳合金。

5.如權(quán)利要求1所述的倒裝芯片封裝，其特征在于，更包括包覆層，覆蓋所述半導(dǎo)體芯片與所述封裝結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求1所述的倒裝芯片封裝，其特征在于，所述第一接墊與所述第二接墊形成于所述半導(dǎo)體基板的第一表面上，而所述封裝結(jié)構(gòu)更包括相對(duì)于所述第一表面的第二表面以及形成于所述第二表面上的多個(gè)錫球。

7.如權(quán)利要求6所述的倒裝芯片封裝，其特征在于，所述多個(gè)錫球分別電性連結(jié)所述第一焊墊與所述第二焊墊。

8.如權(quán)利要求1所述的倒裝芯片封裝，其特征在于，所述第一凸塊底金屬層與所述第二凸塊底金屬層形成于所述半導(dǎo)體芯片的主動(dòng)表面上。

9.如權(quán)利要求1所述的倒裝芯片封裝，其特征在于，所述第一凸塊底金屬層的特征尺寸大于所述第二凸塊底金屬層的特征尺寸約150-500%。

10.如權(quán)利要求1所述的倒裝芯片封裝，其特征在于，所述第一接墊的特征尺寸大于所述第二接墊的特征尺寸約150-500%。

11.一種倒裝芯片封裝，包括：

封裝結(jié)構(gòu)，具有第一接墊以及第二接墊形成于其上，其中所述第一接墊的特征尺寸不同于所述第二接墊的特征尺寸；以及

半導(dǎo)體芯片，面向所述封裝結(jié)構(gòu)，具有第一凸塊底金屬層以及第二凸塊底金屬層形成于其上，其中所述第一凸塊底金屬層的特征尺寸不同于所述第二凸塊底金屬層的特征尺寸。

12.如權(quán)利要求11所述的倒裝芯片封裝，其特征在于，還包括：第一導(dǎo)電組件，設(shè)置于所述第一接墊與所述第一凸塊底金屬層之間；以及第二導(dǎo)電組件，設(shè)置于所述第二接墊與所述第二凸塊底金屬層之間，其中所述第一導(dǎo)電組件的特征尺寸不同于所述第二導(dǎo)電組件的特征尺寸。