[發明專利]半導體器件的單粒子閉鎖預防技術

在審

• 申請號: 201310320678.3
• 申請日: 2013-07-26
• 公開（公告）號: CN103632711A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 楊家南;J·D·伯納特;B·J·佳尼;T·W·里斯頓;H·V·范
• 申請（專利權）人: 飛思卡爾半導體公司
• 主分類號: G11C11/412
• 分類號: G11C11/412
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 郭思宇

1.一種處理半導體器件中的單粒子閉鎖的方法，包括：

確定寄生硅控整流器在半導體器件的集成電路設計中的位置，其中寄生硅控整流器包括寄生pnp雙極結晶體管和寄生npn雙極結晶體管；和

將位于第一電源節點和寄生pnp雙極結晶體管的發射極之間的第一晶體管合并到集成電路設計中，其中第一晶體管包括耦合到第一電源節點的第一端子、耦合到寄生pnp雙極結晶體管的發射極的第二端子、以及控制端子,并且其中第一晶體管不位于pnp雙極結晶體管的基極和第一電源節點之間，在此情況下第一晶體管限定在單粒子閉鎖（SEL）之后由寄生pnp雙極結晶體管傳導的電流。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：

將位于第二電源節點和寄生npn雙極結晶體管的發射極之間的第二晶體管合并到集成電路設計中，其中第二晶體管包括耦合到第二電源節點的第一端子、耦合到寄生npn雙極結晶體管的發射極的第二端子、以及控制端子,并且其中第一晶體管的控制端子耦合到寄生npn雙極結晶體管的發射極以及第二晶體管的控制端子耦合到寄生pnp雙極結晶體管的發射極，在此情況下第二晶體管不位于npn雙極結晶體管的基極和第二電源節點之間。

3.根據權利要求2所述的方法，其中第一晶體管是p溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管,第二晶體管是n溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管，并且其中第一晶體管和第二晶體管的第一端子對應于源極端子，第一晶體管和第二晶體管的第二端子對應于漏極端子，以及第一晶體管和第二晶體管的控制端子對應于柵極端子。

4.根據權利要求1所述的方法，其中半導體器件是互補金屬氧化物半導體(CMOS)器件。

5.根據權利要求4所述的方法，其中CMOS器件是靜態隨機存取存儲器(SRAM)。

6.根據權利要求1所述的方法，其中第一晶體管是p溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管，并且第一晶體管的第一端子對應于源極端子，并且所述方法還包括：

使用與第一端子分開的連接將第一晶體管的體耦合到第一電源節點。

7.根據權利要求1所述的方法，其中半導體器件是靜態隨機存取存儲器(SRAM),第一電源節點是全局電源節點,以及第一晶體管被安置于在全局電源節點和本地電源節點之間的帶單元中。

8.根據權利要求7所述的方法，還包括：

使用SEL檢測電路響應于SEL事件生成SEL信號。

9.根據權利要求8所述的方法，還包括：

響應于外部復位信號復位SEL檢測電路。

10.一種半導體器件，包括：

寄生硅控整流器，包括寄生pnp雙極結晶體管和寄生npn雙極結晶體管的；和

耦合在第一電源節點和寄生pnp雙極結晶體管的發射極之間的第一晶體管，其中第一晶體管包括耦合到第一電源節點的第一端子、耦合到寄生pnp雙極結晶體管的發射極的第二端子、和控制端子，并且其中第一晶體管不位于pnp雙極結晶體管的基極和第一電源節點之間，在此情況下第一晶體管限定在單粒子閉鎖（SEL）之后由寄生pnp雙極結晶體管傳導的電流。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，還包括：

耦合到第二電源節點和寄生npn雙極結晶體管的發射極之間的第二晶體管，其中第二晶體管包括耦合到第二電源節點的第一端子、耦合到寄生npn雙極結晶體管的發射極的第二端子、和控制端子,并且其中第一晶體管的控制端子耦合到寄生npn雙極結晶體管的發射極以及第二晶體管的控制端子耦合到寄生pnp雙極結晶體管的發射極，在此情況下第二晶體管不位于npn雙極結晶體管的基極和第二電源節點之間。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中第一晶體管是p溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管，第二晶體管是n溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管，并且其中第一晶體管和第二晶體管的第一端子對應于源極端子，第一晶體管和第二晶體管的第二端子對應于漏極端子，以及第一晶體管和第二晶體管的控制端子對應于柵極端子。

13.根據權利要求10所述的半導體器件，其中第一晶體管的體耦合到第一電源節點。

14.根據權利要求11所述的半導體器件，其中第二晶體管的體耦合到第二電源節點。