[發(fā)明專利]用于平板顯示器的相移掩模坯件和光掩模有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310319871.5 | 申請日: | 2013-07-26 |
| 公開(公告)號: | CN103576441A | 公開(公告)日: | 2014-02-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 南基守;李東鎬;樸淵洙;徐成旼;金榮善 | 申請(專利權(quán))人: | S&S技術(shù)股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/26 | 分類號: | G03F1/26 |
| 代理公司: | 北京市浩天知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 11276 | 代理人: | 宋菲;劉云貴 |
| 地址: | 韓國大*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 平板 顯示器 相移 掩模坯件 光掩模 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于平板顯示器(下文稱為FPD)的相移掩模坯件和光掩模,且更確切地說,本發(fā)明涉及一種用于FPD的掩模坯件和光掩模,其中相移層圖案的截面的斜坡可以陡峭地形成。
背景技術(shù)
在用于制造FPD裝置或半導體大型集成(下文稱為LSI)裝置的平板印刷工藝中,通常使用從掩模坯件制造成的光掩模來轉(zhuǎn)印圖案。
掩模坯件是通過以下步驟來獲得:在由合成石英玻璃形成的透光襯底的主表面上形成包含金屬材料的薄膜,隨后在所述薄膜上形成抗蝕層。光掩模的形狀是通過圖案化掩模坯件中的薄膜而形成。此處,可以根據(jù)光學特性將薄膜分為遮光層、抗反射層(ARL)、相移層、半透射層,以及反射層,并且可以同時使用這些薄膜中的至少兩者。
用于制造LSI裝置的光掩模的一條邊的尺寸通常為6英寸(或152mm),而用于制造FPD裝置的光掩模的一條邊的尺寸為300mm或更長,這比用于制造LSI裝置的光掩模一條邊的尺寸相對更大。
近年來,像高度集成的LSI裝置一樣,在FPD裝置中,隨著集成密度的增加導致設(shè)計規(guī)則的收縮,用于形成精細圖案的光掩模的圖案也需要精確地按比例縮小。為了在FPD裝置中形成更精細的圖案,需要高的圖案分辨率。為此,采用了減小用于形成圖案的光源的波長并且增加透鏡的孔徑的方法。然而,當光源的波長減小并且透鏡的孔徑增加時,圖案分辨率可能會增加,但是由于低焦深(DOF)而導致了在獲得實際圖案分辨率方面有所限制。使用相移層的相移光掩模已經(jīng)被開發(fā)出來克服上述限制,與二元光掩模相比,相移光掩模更能增加圖案分辨率。
圖1為示出了相移光掩模的光學特性的圖,而圖2為示出了二元光掩模的分辨率與相移光掩模的分辨率之間的比較的圖。參考圖1,相移光掩模是通過在透明襯底1上形成透射比為3%至10%的相移層2來進行配置的。透射穿過相移層2的曝光與不透射穿過相移層2的曝光形成了180°的相位差,使得分辨率可能由于相移層2之間的邊界處的相消干涉而增加。并且,參考圖2,相移光掩模可以用比二元光掩模高的分辨率來曝光精細的圖案。
如上所述,近來,用于制造FPD裝置的光掩模的圖案也需要按比例縮小。由于FPD裝置需要具有較大的屏幕和較高的分辨率,因此像素尺寸應(yīng)被減小。作為必然的結(jié)果,需要使圖案微型化。然而,由于FPD裝置是使用相等放大倍率的曝光設(shè)備來制造的,因此要將FPD裝置的圖案線寬減小到LSI裝置的圖案線寬那么窄,幾乎是不可能的。用于制造FPD裝置的光掩模是每一條邊為300mm或更長的大尺寸光掩模,并且具有各種尺寸。因此,不易于開發(fā)出與用于制造FPD裝置的光掩模的尺寸相符的縮減曝光設(shè)備。
近來,在使用相等放大倍率的曝光設(shè)備時為了提高用于制造FPD裝置的光掩模的分辨率,使用MoSi化合物或Cr化合物來形成單層型的相移層,該化合物用于用以制造LSI裝置的光掩模中,并且隨后使用適于大面積層的濕法蝕刻工藝來圖案化所述相移層。然而,由于不易于對含有MoSi(它含有適于干法蝕刻工藝的材料)的相移層進行濕法蝕刻,因此在圖案化過程中會出現(xiàn)問題。并且,在濕法蝕刻過程中,在含有Cr的相移層的被蝕刻表面中形成了緩坡。也就是說,由于含有Cr的常規(guī)相移層形成為單層型,因此在使用蝕刻劑進行圖案化的過程中會發(fā)生各向同性蝕刻。結(jié)果是,在圖案邊緣部分的被蝕刻表面中形成了緩坡。
在圖案邊緣部分中形成的斜坡在圖案邊緣部分與剩余部分之間引起了相變差,并且影響相移層的均勻性。此外,圖案邊緣部分中的相移層斜坡導致相移層之間的邊界變得不清晰,從而妨礙了精細圖案的形成。
發(fā)明內(nèi)容
【技術(shù)問題】
本發(fā)明針對的是一種用于平板顯示器(FPD)的相移掩模坯件和光掩模,其中相移層的厚度可以被減小,并且邊緣部分的截面的斜坡可以陡峭地形成,從而使相移層圖案之間的邊界變得清晰。
本發(fā)明還針對一種用于FPD的相移掩模坯件和光掩模,它可以確保相移層的均勻性并且能夠制造具有更精細圖案的大面積FPD產(chǎn)品。
【技術(shù)解決方案】
本發(fā)明的一個方面提供了一種用于平板顯示器(FPD)的相移光掩模,其包括設(shè)置在透明襯底上的相移層圖案。該相移層圖案具有至少兩個膜相堆疊的結(jié)構(gòu)。
在相移層圖案的邊緣部分中上邊緣與下邊緣之間的尾部尺寸(tail?size)可以從0nm到100nm變動。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





