[發明專利]用于平板顯示器的相移掩模坯件和光掩模

有效

• 申請號: 201310319871.5
• 申請日: 2013-07-26
• 公開（公告）號: CN103576441A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 南基守;李東鎬;樸淵洙;徐成旼;金榮善
• 申請（專利權）人: S&S技術股份有限公司
• 主分類號: G03F1/26
• 分類號: G03F1/26
• 代理公司: 北京市浩天知識產權代理事務所 11276
• 代理人: 宋菲;劉云貴

1.一種用于平板顯示器（FPD）的相移光掩模，其包括設置在透明襯底上的相移層圖案，

其中所述相移層圖案具有至少兩個膜相堆疊的結構。

2.根據權利要求1所述的光掩模，其中在所述相移層圖案的邊緣部分中上邊緣與下邊緣之間的尾部尺寸是從0nm到100nm變動。

3.根據權利要求1所述的光掩模，其中構成所述相移層圖案的每個膜包括以下至少一種金屬材料：鉻（Cr）、鋁（Al）、鈷（Co）、鎢（W）、鉬（Mo）、釩（V）、鈀（Pd）、鈦（Ti）、鉑（Pt）、錳（Mn）、鐵（Fe）、鎳（Ni）、鎘（Cd）、鋯（Zr）、鎂（Mg）、鋰（Li）、硒（Se）、銅（Cu）、釔（Y）、硫（S）、銦（In）、錫（Sn）、硼（B）、鈹（Be）、鈉（Na）、鉭（Ta）、鉿（Hf）、鈮（Nb）和硅（Si），或者除了上述材料以外還進一步包括以下至少一種材料：氮（N）、氧（O）和碳（C）。

4.根據權利要求1所述的光掩模，其中構成所述相移層圖案的各個膜是由能夠使用相同蝕刻劑來蝕刻的材料形成并且具有不同的組成，并且所述相移層圖案是通過將具有不同組成的每個所述薄膜堆疊至少一次來形成。

5.根據權利要求1所述的光掩模，其中構成所述相移層圖案的每個所述膜由以下一種膜形成：Cr膜、CrO膜、CrN膜、CrC膜、CrON膜、CrCN膜、CrCO膜和CrCON膜。

6.根據權利要求1所述的光掩模，其中相對于相同蝕刻劑而言，構成所述相移層圖案的各個膜的蝕刻速率從所述透明襯底向上逐漸減小。

7.根據權利要求1所述的光掩模，其中構成所述相移層圖案的各個膜經形成，使得相對于相同蝕刻劑而言，設置在中央的膜的蝕刻速率低于在設置在中央的所述膜的上方和下方的膜。

8.根據權利要求1所述的光掩模，其中所述相移層圖案的厚度為至并且構成所述相移層圖案的每個所述膜的厚度為至

9.根據權利要求1所述的光掩模，其中所述相移層圖案與波長為200nm至600nm的曝光之間的相位差為160°至200°，透射比為1%至30%，以及與波長為200nm至600的曝光之間的透射比偏差為0%至10%，

其中所述透射比偏差是通過將最大透射比百分比減去最小透射比百分比來獲得。

10.根據權利要求1所述的光掩模，其中所述相移層圖案與i線、h線以及g線中的每一個之間的相位差偏差為0°至50°，

其中所述相位差偏差是通過將最大相位角減去最大相位角來獲得。

11.根據權利要求1所述的光掩模，其中所述相移層圖案包括連續層或多層型的層，并且構成所述相移層圖案的各個膜形成單層或連續層。

12.根據權利要求1所述的光掩模，進一步包括設置在所述相移層圖案上方或下方的功能層圖案。

13.根據權利要求12所述的光掩模，其中所述功能層圖案包括以下至少一種圖案：包含遮光層和抗反射層（ARL）的遮光層圖案、半透射層圖案、蝕刻停止層圖案以及硬掩模層圖案。

14.根據權利要求12所述的光掩模，其中所述功能層圖案是包含遮光層和抗反射層的遮光層圖案，并且所述遮光層圖案設置在所述透明襯底的邊緣的盲區中或者設置在主區和所述盲區中。

15.根據權利要求14所述的光掩模，其中所述遮光層圖案包括以下至少一種金屬材料：鉻（Cr）、鋁（Al）、鈷（Co）、鎢（W）、鉬（Mo）、釩（V）、鈀（Pd）、鈦（Ti）、鉑（Pt）、錳（Mn）、鐵（Fe）、鎳（Ni）、鎘（Cd）、鋯（Zr）、鎂（Mg）、鋰（Li）、硒（Se）、銅（Cu）、釔（Y）、硫（S）、銦（In）、錫（Sn）、硼（B）、鈹（Be）、鈉（Na）、鉭（Ta）、鉿（Hf）、鈮（Nb）和硅（Si），或者除了上述材料以外還進一步包括以下至少一種材料：氮（N）、氧（O）和碳（C）。

16.根據權利要求12所述的光掩模，其中所述功能層圖案是包含遮光層和抗反射層的遮光層圖案，并且所述遮光層圖案具有與所述相移層圖案相同的蝕刻性質，或者具有相對于所述相移層圖案而言的蝕刻選擇性。