[發明專利]包括可變電阻存儲器的存儲裝置及其操作方法

在審

• 申請號: 201310319561.3
• 申請日: 2013-07-26
• 公開（公告）號: CN103578533A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 李元奭;全晟現;金東輝
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 張川緒;王兆賡

要求于2012年7月26日提交到韓國知識產權局的第10-2012-0081552號韓國專利申請的優先權，通過引用所述申請的全部內容合并與此。

技術領域

在此描述的發明構思涉及一種包括可變電阻存儲器的存儲裝置和一種操作包括可變電阻存儲器的存儲裝置的方法。

背景技術

半導體存儲器裝置是一種使用半導體（諸如，硅（Si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等）制造的存儲器裝置。半導體存儲器裝置通常被分類為易失性存儲器裝置或非易失性存儲器裝置。

易失性存儲器裝置的特點在于在斷電的條件下丟失存儲的內容。易失性存儲器裝置的示例包括各種特定類型的隨機存取存儲器（RAM），諸如，靜態RAM(SRAM)、動態RAM(DRAM)、同步DRAM（SDRAM）等。相反，非易失性存儲器裝置的特點在于即使在斷電條件下也維持存儲的內容。非易失性存儲器裝置的示例包括只讀存儲器（ROM）、可編程ROM（PROM）、電可編程ROM（EPROM）、電可擦除和可編程ROM（EEPROM）、閃速存儲器裝置、相變RAM（PRAM）、磁性RAM（MRAM）、電阻式RAM（RRAM）、鐵電RAM（FRAM）等。

發明內容

本發明構思的示例實施例提供一種存儲裝置，所述存儲裝置包括：非易失性存儲器裝置，包括可變電阻存儲器；控制器，被構造為控制非易失性存儲器裝置。在啟動操作，控制器將啟動信息存儲在非易失性存儲器裝置的可變電阻存儲器中。在重新啟動操作，控制器基于與啟動操作相關聯的啟動設置條件和與重新啟動操作相關聯的重新啟動條件之間的比較結果，使用存儲在可變電阻存儲器中的啟動信息選擇性地執行熱啟動操作。

在示例實施例中，控制器包括：條件感測單元，被構造為感測與啟動操作相關聯的啟動設置條件，并感測與重新啟動操作相關聯的重新啟動條件。

在示例實施例中，控制器還包括：決定單元，被構造為將啟動設置條件與重新啟動條件進行比較，并根據比較結果確定是否執行熱啟動操作。

在示例實施例中，當啟動設置條件與重新啟動條件之差包含在預定誤差范圍內時，決定單元使用存儲在可變電阻存儲器中的啟動信息控制非易失性存儲器裝置執行熱啟動操作。

在示例實施例中，決定單元在啟動設置條件與重新啟動條件之差不包含在預定誤差范圍內時更新啟動信息，并控制非易失性存儲器裝置使得可變電阻存儲器的啟動信息被更新的啟動信息覆寫。

在示例實施例中，啟動設置條件在啟動操作時存儲在可變電阻存儲器中，并且在重新啟動操作，當啟動設置條件和重新啟動條件之差不在預定誤差范圍內時，決定單元控制非易失性存儲器裝置，使得存儲在可變電阻存儲器中的啟動設置條件被重新啟動條件覆寫。

在示例實施例中，條件感測單元包括：溫度傳感器，感測啟動操作和重新啟動操作時的與溫度相關聯的信息；計時器，檢測啟動操作和重新啟動操作時的與時間相關聯的信息；電壓傳感器，感測啟動操作和重新啟動操作時的與電壓相關聯的信息。

在示例實施例中，非易失性存儲器裝置還包括：模式寄存器設置器，用于存儲MRS信息，并且在啟動操作，控制器在啟動信息被設置時將MRS信息存儲在模式寄存器設置器和可變電阻存儲器中。

在示例實施例中，非易失性存儲器裝置還包括邏輯控制器用于控制模式寄存器設置器和可變電阻存儲器，邏輯控制器在熱啟動操作被執行時將存儲在可變電阻存儲器中的MRS信息傳送至模式寄存器設置器。

在示例實施例中，非易失性存儲器裝置還包括：DLL電路，被構造為在啟動操作執行DLL鎖定操作；邏輯控制器，被構造為控制可變電阻存儲器和DLL電路，并且在DLL鎖定操作完成之后，邏輯控制器將與DLL鎖定結果相關聯的信息存儲在可變電阻存儲器中。

在示例實施例中，當熱啟動操作被執行時，邏輯控制器將存儲在可變電阻存儲器中的與DLL鎖定結果相關聯的信息傳送至DLL電路。

在示例實施例中，控制器包括：命令/地址（C/A）訓練測試邏輯控制器，被構造為在啟動操作執行C/A訓練操作；寄存器，被構造為在C/A訓練操作完成之后存儲C/A訓練結果。

在示例實施例中，控制器將C/A訓練結果存儲在可變電阻存儲器中。

在示例實施例中，當熱啟動操作被執行時，控制器將存儲在可變電阻存儲器中的C/A訓練結果傳送至寄存器。

在示例實施例中，控制器包括：輸入/輸出數據（DQ）校準測試邏輯控制器，被構造為在啟動操作執行DQ校準操作；寄存器，被構造為在DQ校準操作完成之后存儲DQ校準結果。