[發明專利]包括可變電阻存儲器的存儲裝置及其操作方法

在審

• 申請號: 201310319561.3
• 申請日: 2013-07-26
• 公開（公告）號: CN103578533A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 李元奭;全晟現;金東輝
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 張川緒;王兆賡

1.一種存儲裝置，包括：

非易失性存儲器裝置，包括可變電阻存儲器；

控制器，被構造為控制非易失性存儲器裝置，

其中，在啟動操作，控制器將啟動信息存儲在非易失性存儲器裝置的可變電阻存儲器中，

其中，在重新啟動操作，控制器基于與啟動操作相關聯的啟動設置條件和與重新啟動操作相關聯的重新啟動條件之間的比較結果，使用存儲在可變電阻存儲器中的啟動信息選擇性地執行熱啟動操作。

2.根據權利要求1所述的存儲裝置，其中，控制器包括：

條件感測單元，被構造為感測與啟動操作相關聯的啟動設置條件，并感測與重新啟動操作相關聯的重新啟動條件。

3.根據權利要求2所述的存儲裝置，其中，控制器還包括：

決定單元，被構造為將啟動設置條件與重新啟動條件進行比較，并根據比較結果確定是否執行熱啟動操作。

4.根據權利要求3所述的存儲裝置，其中，當啟動設置條件與重新啟動條件之差包含在預定誤差范圍內時，決定單元使用存儲在可變電阻存儲器中的啟動信息控制非易失性存儲器裝置執行熱啟動操作。

5.根據權利要求4所述的存儲裝置，其中，決定單元在啟動設置條件與重新啟動條件之差不包含在預定誤差范圍內時更新啟動信息，并控制非易失性存儲器裝置使得可變電阻存儲器的啟動信息被更新的啟動信息覆寫。

6.根據權利要求4所述的存儲裝置，其中，啟動設置條件在啟動操作時被存儲在可變電阻存儲器中，

其中，在重新啟動操作，當啟動設置條件和重新啟動條件之差不在預定誤差范圍內時，決定單元控制非易失性存儲器裝置，使得存儲在可變電阻存儲器中的啟動設置條件被重新啟動條件覆寫。

7.根據權利要求2所述的存儲裝置，其中，條件感測單元包括：

溫度傳感器，感測啟動操作和重新啟動操作時的與溫度相關聯的信息；

計時器，檢測啟動操作和重新啟動操作時的與時間相關聯的信息；

電壓傳感器，感測啟動操作和重新啟動操作時的與電壓相關聯的信息。

8.根據權利要求1所述的存儲裝置，其中，非易失性存儲器裝置還包括：模式寄存器設置器，用于存儲模式寄存器設置MRS信息，

其中，在啟動操作，控制器在啟動信息被設置時將MRS信息存儲在模式寄存器設置器和可變電阻存儲器中。

9.根據權利要求8所述的存儲裝置，其中，非易失性存儲器裝置還包括：邏輯控制器，用于控制模式寄存器設置器和可變電阻存儲器，

其中，邏輯控制器在熱啟動操作被執行時將存儲在可變電阻存儲器中的MRS信息傳送至模式寄存器設置器。

10.根據權利要求1所述的存儲裝置，其中，非易失性存儲器裝置還包括：

延遲鎖定環路DLL電路，被構造為在啟動操作執行DLL鎖定操作；

邏輯控制器，被構造為控制可變電阻存儲器和DLL電路，

其中，在DLL鎖定操作完成之后，邏輯控制器將與DLL鎖定結果相關聯的信息存儲在可變電阻存儲器中。

11.根據權利要求10所述的存儲裝置，其中，當熱啟動操作被執行時，邏輯控制器將存儲在可變電阻存儲器中的與DLL鎖定結果相關聯的信息傳送至DLL電路。

12.根據權利要求1所述的存儲裝置，其中，控制器包括：

命令/地址C/A訓練測試邏輯控制器，被構造為在啟動操作執行C/A訓練操作；

寄存器，被構造為在C/A訓練操作完成之后存儲C/A訓練結果。

13.根據權利要求12所述的存儲裝置，其中，控制器將C/A訓練結果存儲在可變電阻存儲器中。

14.根據權利要求13所述的存儲裝置，其中，當熱啟動操作被執行時，控制器將存儲在可變電阻存儲器中的C/A訓練結果傳送至寄存器。

15.根據權利要求1所述的存儲裝置，其中，控制器包括：

輸入/輸出數據DQ校準測試邏輯控制器，被構造為在啟動操作執行DQ校準操作；

寄存器，被構造為在DQ校準操作完成之后存儲DQ校準結果。

16.根據權利要求15所述的存儲裝置，其中，控制器將DQ校準結果存儲在可變電阻存儲器中。