[發(fā)明專利]一種極紫外輻照材料測試系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310319441.3 | 申請日: | 2013-07-26 |
| 公開(公告)號: | CN103364401A | 公開(公告)日: | 2013-10-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳進(jìn)新;吳曉斌;謝婉露;張羅莎;羅艷;王魁波 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院光電研究院 |
| 主分類號: | G01N21/84 | 分類號: | G01N21/84 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
| 地址: | 100094*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 紫外 輻照 材料 測試 系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于材料性能的測試技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及極紫外(EUV)輻照材料測試系統(tǒng),用于測試材料的EUV輻照損傷。
背景技術(shù)
極紫外(Extreme?ultraviolet,簡寫為EUV)光刻技術(shù)是繼193nm浸沒式光刻技術(shù)之后的下一代光刻機(jī)技術(shù),由于極紫外輻射被幾乎所有物質(zhì)(包括空氣)強烈吸收,因此EUV光刻機(jī)系統(tǒng)必須置于真空環(huán)境中。EUV光刻機(jī)系統(tǒng)內(nèi)部各關(guān)鍵部件所用的材料需確保在EUV輻照及真空環(huán)境下,不具有EUV輻照損傷的有害特性。而某些材料在EUV輻照作用下會產(chǎn)生輻照損傷腐蝕。
為了指導(dǎo)EUV光刻機(jī)整機(jī)及分系統(tǒng)設(shè)計過程中的材料及工藝選擇,確保達(dá)到EUV光刻機(jī)的可靠性和使用壽命要求,需要研究EUV輻照材料測試系統(tǒng)、開展EUV輻照損傷測試試驗。
極紫外輻照材料測試系統(tǒng)主要用于研究在模擬EUV光刻機(jī)環(huán)境的EUV輻照和真空條件下,不同材料的損傷情況。通過EUV輻照作用后觀察材料表面微結(jié)構(gòu)的相關(guān)變化,結(jié)合材料特性測量,對材料的物理、化學(xué)特性變化和使用壽命進(jìn)行評估。
現(xiàn)有的一種典型極紫外輻照材料測試系統(tǒng)如圖1所示(參考文獻(xiàn):Frank?Barkusky,Armin?Bayer,Christian?Peth,Klaus?Mann.Direct?structuring?of?solids?by?EUV?radiation?from?a?table-top?laser?produced?plasma?source.SPIE,2009,7361:73610D-1~73610D-14),由Nd:YAG激光器(波長1064nm、脈沖能量700mJ、脈寬8.8ns)聚焦后擊打Xe氣環(huán)境中的金靶產(chǎn)生EUV輻照,經(jīng)濾光后由Schwarzschild反射鏡將EUV輻照匯聚于樣品上。這樣的結(jié)構(gòu)布置方式中存在多組反射鏡,樣品上的光斑特性和輻照能量是通過反射計算間接得到,存在一定的測量誤差。另外,存在的多組反射鏡能衰減最終輻照到樣品上的EUV輻照能量。
發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問題
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提出一種極紫外輻照材料測試系統(tǒng),其能夠在提供EUV輻照的同時,直接測量樣品面上的EUV光斑特性和EUV輻照能量,使得到的極紫外輻照損傷數(shù)據(jù)更加準(zhǔn)確。
(二)技術(shù)方案
本發(fā)明提出一種極紫外輻照材料測試系統(tǒng),包括EUV光源室、濾波片室、收集鏡室、光譜檢測室和樣品室,其中所述EUV光源室用于容納EUV光源,該EUV光源用于輻射出寬譜近軟X射線;所述濾波片室用于放置濾波片,該濾波片用于將所述寬譜近軟X射線濾波成窄譜EUV輻照;所述收集鏡室用于放置收集鏡,該收集鏡用于將所述EUV輻照匯聚到所述樣品室中;所述光譜檢測室用于安裝一個反射鏡和一個光譜儀,所述反射鏡用于將來自收集鏡室的EUV輻照反射到所述光譜議;所述樣品室用于容納所要測試的樣品、CCD和能量計,并且能夠使樣品、CCD和能量計輪流移動至能夠接受EUV輻照的同一位置。
根據(jù)本發(fā)明的一種具體實施方式,系統(tǒng)還包括轉(zhuǎn)接室,其用于連接所述光譜檢測室和所述樣品室,并且把來自所述光譜檢測室的EUV輻照引入所述樣品室中。
根據(jù)本發(fā)明的一種具體實施方式,所述轉(zhuǎn)接室中安裝有真空快門,以控制所述EUV輻照在樣品上的輻照次數(shù)和輻照時間。
根據(jù)本發(fā)明的一種具體實施方式,所述濾波片室放置在所述收集鏡室之前或之后。
根據(jù)本發(fā)明的一種具體實施方式,所述光譜檢測室中還安裝有一維平移臺和一個支架,該支架安裝于該一維平移臺上,所述反射鏡安裝于該支架上。
根據(jù)本發(fā)明的一種具體實施方式,該極紫外輻照材料測試系統(tǒng)的能量的計算過程為:Ps=P×(1-cosθ)×Tzr×Rm,其中,Ps為輻照到所述樣品表面的能量,P為所述EUV光源在2π立體角內(nèi)的功率,θ為所述收集鏡的收集半角,Tzr為所述濾波片的透過率,Rm為所述收集鏡的反射率。
根據(jù)本發(fā)明的一種具體實施方式,所述樣品室中具有一個三維平移臺,其用于安裝所述樣品、CCD和能量計。
根據(jù)本發(fā)明的一種具體實施方式,所述三維平移臺由三個一維平移臺通過支架組合連接而成。
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- 專利分類
G01N 借助于測定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來測試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來測試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)





