[發(fā)明專利]一種極紫外輻照材料測(cè)試系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310319441.3 | 申請(qǐng)日: | 2013-07-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103364401A | 公開(公告)日: | 2013-10-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳進(jìn)新;吳曉斌;謝婉露;張羅莎;羅艷;王魁波 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院光電研究院 |
| 主分類號(hào): | G01N21/84 | 分類號(hào): | G01N21/84 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
| 地址: | 100094*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 紫外 輻照 材料 測(cè)試 系統(tǒng) | ||
1.一種極紫外輻照材料測(cè)試系統(tǒng),其特征在于,包括EUV光源室(1)、濾波片室(2)、收集鏡室(3)、光譜檢測(cè)室(4)和樣品室(6),其中
所述EUV光源室(1)用于容納EUV光源(11),該EUV光源(11)用于輻射出寬譜近軟X射線;
所述濾波片室(2)用于放置濾波片,該濾波片用于將所述寬譜近軟X射線濾波成窄譜EUV輻照;
所述收集鏡室(3)用于放置收集鏡(31),該收集鏡(31)用于將所述EUV輻照匯聚到所述樣品室(6)中;
所述光譜檢測(cè)室(4)用于安裝一個(gè)反射鏡(41)和一個(gè)光譜儀(42),所述反射鏡(41)用于將來自收集鏡室(3)的EUV輻照反射到所述光譜儀(42);
所述樣品室(6)用于容納所要測(cè)試的樣品(S)、CCD(616)和能量計(jì)(617),并且能夠使樣品(S)、CCD(616)和能量計(jì)(617)輪流移動(dòng)至能夠接受EUV輻照的同一位置。
2.如權(quán)利要求1所述的極紫外輻照材料測(cè)試系統(tǒng),其特征在于:還包括轉(zhuǎn)接室(5),其用于連接所述光譜檢測(cè)室(4)和所述樣品室(6),并且把來自所述光譜檢測(cè)室(4)的EUV輻照引入所述樣品室(6)中。
3.如權(quán)利要求2所述的極紫外輻照材料測(cè)試系統(tǒng),其特征在于:所述轉(zhuǎn)接室(6)中安裝有真空快門,以控制所述EUV輻照在樣品(S)上的輻照次數(shù)和輻照時(shí)間。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的極紫外輻照材料測(cè)試系統(tǒng),其特征在于:所述濾波片室(2)放置在所述收集鏡室(3)之前或之后。
5.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的極紫外輻照材料測(cè)試系統(tǒng),其特征在于,所述光譜檢測(cè)室(4)中還安裝有一維平移臺(tái)(44)和一個(gè)支架(43),該支架(43)安裝于該一維平移臺(tái)(44)上,所述反射鏡(41)安裝于該支架(43)上。
6.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的極紫外輻照材料測(cè)試系統(tǒng),其特征在于:該極紫外輻照材料測(cè)試系統(tǒng)的能量的計(jì)算過程為:
Ps=P×(1-cosθ)×Tzr×Rm,
其中,Ps為輻照到所述樣品(S)表面的能量,P為所述EUV光源在2π立體角內(nèi)的功率,θ為所述收集鏡(31)的收集半角,Tzr為所述濾波片的透過率,Rm為所述收集鏡(31)的反射率。
7.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的極紫外輻照材料測(cè)試系統(tǒng),其特征在于:所述樣品室(6)中具有一個(gè)三維平移臺(tái)(61),其用于安裝所述樣品(S)、CCD(616)和能量計(jì)(617)。
8.如權(quán)利要求7所述的極紫外輻照材料測(cè)試系統(tǒng),其特征在于:所述三維平移臺(tái)(61)由三個(gè)一維平移臺(tái)通過支架組合連接而成。
9.如權(quán)利要求8所述的極紫外輻照材料測(cè)試系統(tǒng),其特征在于:所述三維平移臺(tái)(61)包括X軸平移臺(tái)(611)、Y軸平移臺(tái)(612)、Z軸平移臺(tái)(613)、X-Z軸支架(614)和樣品臺(tái)支架(615),其中
所述X軸平移臺(tái)(611)安裝在所述Y軸平移臺(tái)(612)的螺母上,該X軸平移臺(tái)的螺母上安裝所述X-Z軸支架(614),該X-Z軸支架(614)上安裝所述Z軸平移臺(tái)(613),該Z軸平移臺(tái)(613)的螺母上安裝有所述樣品臺(tái)支架(615),該樣品臺(tái)支架(615)上分別固定所述樣品(S)、CCD(616)和能量計(jì)(617)。
10.如權(quán)利要求9所述的極紫外輻照材料測(cè)試系統(tǒng),其特征在于:所述CCD(616)、能量計(jì)(617)的探測(cè)器的敏感平面和所述樣品(S)的測(cè)試表面保持在一個(gè)平面上,且該平面與來流EUV輻照的主光軸垂直。
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G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)
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