[發明專利]包括測試結構的晶片和芯片

在審

• 申請號: 201310319261.5
• 申請日: 2013-07-26
• 公開（公告）號: CN103579196A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: U.施馬爾斯鮑爾;M.孫德爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 蔣駿;盧江

技術領域

本申請涉及包括測試結構及其部分的晶片和芯片以及用于提供這樣的晶片和芯片的對應方法。

背景技術

為了制造包括一個或多個半導體器件的芯片，在很多情況下在晶片上形成多個這樣的芯片，并且之后對所述晶片進行切片，從而使各個芯片彼此分離。

在這樣的制造過程期間，除了對應于所要形成的半導體器件的結構之外，經常在晶片上形成測試結構，例如，PCM測試結構（過程控制監測）或者RCM測試結構（可靠性控制監測）。與所要形成的半導體器件獨立的這些測試結構能夠監測工藝條件等的影響。不可以將這些測試結構所占據的空間用于形成半導體器件。

發明內容

在一個實施例中，公開了一種包括多個芯片和使所述芯片彼此分離的截口區域的半導體晶片。至少在所述芯片之一中，在其外圍芯片區域中形成測試結構。

在其他實施例中，公開了在外圍芯片區域中具有對應測試結構的芯片。

在另一實施例中，公開了一種用于制造芯片的方法。所述方法包括在芯片的外圍芯片區域中形成測試結構。

附圖說明

圖1是根據實施例的晶片的示意性表示。

圖2是根據實施例的芯片的示意性表示。

圖3A到3D是根據一些實施例的芯片或晶片的局部視圖。

圖4是根據實施例的晶片的局部視圖。

圖5是根據實施例的晶片的一部分的示意性表示。

圖6是說明了根據實施例的方法的流程圖。

具體實施方式

在下文中將詳細描述本發明的實施例。然而，應當指出，根據本申請的概念可以按照很多不同的形式來體現，并且因此所描述的實施例不被解釋為是限制性的。

可以使不同實施例的特征相互組合，除非另行明確指出。另一方面，利用多個特征對實施例進行描述不被解釋為表明所有那些特征都是實踐本發明所必需的，因為其他實施例可以包括更少的特征和/或替代特征。

還應當指出，在附圖中，所示出的各種元件不一定是相互按比例的，但是各種元件的尺寸以一種方式表示，該方式使這些元件可容易區分，并因此提供對相應實施例的清晰理解。

應當指出，像上、下、右和左之類的方向性指定僅指代附圖中的表示，并且不將其解釋為指示與本發明的實施例相對應的產品的空間中的任何實際位置。

在圖1中，示出了根據實施例的晶片10。例如，晶片10可以是像硅晶片或砷化鎵晶片之類的半導體晶片，但不限于此，并且其可以由可用作芯片生產基礎的任何適當材料所構成。

在晶片10上形成多個芯片11A到11I，在下文中將其統稱為芯片11。形成芯片11的位置又被稱為部位。通過芯片11之間的截口區域14將所述芯片11分離。在各個芯片的生產期間，使用例如鋼絲鋸或者任何其他適當的裝置沿截口區域14對晶片10進行切片，從而使芯片11彼此分離。之后，可以按照任何常規的方式對芯片11進行封裝。

芯片11可以具有形成于其上的處于相應的主區域12A到12I（統稱為主區域12）中的像晶體管或集成電路之類的一個或多個半導體器件，所述器件的形成可以按照用于芯片制造的任何常規方式，例如，其涉及光刻、摻雜（例如，通過離子束）、外延等。

在圖1的實施例中，在一些芯片測試結構上，在外圍芯片區域處形成例如PCM測試結構（工藝控制監測）或RCM測試結構（可靠性控制監測）。本申請的情境中的外圍芯片區域一般是指從芯片的邊緣延伸，沿相應芯片的邊緣的至少部分向內插入的芯片區域。例如，在圖1的實施例中，可以在芯片11A的外圍芯片區域13A中、芯片11B的外圍芯片區域13B、芯片11C的外圍芯片區域13C、芯片11D的外圍芯片區域13D、芯片11E的外圍芯片區域13E、芯片11G的外圍芯片區域13G以及芯片11H的外圍芯片區域13H中形成測試結構。外圍芯片區域13A到13H將被統稱為外圍芯片區域13。所述測試結構可以例如包括用于電接觸所述測試結構的金屬焊盤。

在圖1的實施例中，可以例如將外圍芯片區域13D、13E、13G和13H中的測試結構共同用來執行四點測量。外圍芯片區域13A、13B和13C中提供的測試結構可以包括多個金屬焊盤，例如，用以執行三點測量的三個金屬焊盤，或者任何其他數量的金屬焊盤。