[發明專利]半導體器件及其形成方法

有效

• 申請號: 201310315000.6
• 申請日: 2013-07-24
• 公開（公告）號: CN103390609A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 李樂
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張亞利;駱蘇華

技術領域

本發明屬于半導體技術領域，特別是涉及一種半導體器件及其形成方法。

背景技術

結合圖1和圖2所示，現有射頻（RF）電路包括：襯底1；位于襯底1的晶體管，包括：柵極2、源極3和漏極4；位于襯底1和晶體管上的第一層間介質層5；位于第一層間介質層5內的第一導電插塞7A、第二導電插塞7B和第三導電插塞7C，第一導電插塞7A與柵極2電連接，第二導電插塞7B與源極3電連接，第三導電插塞7C與漏極4電連接；位于第一層間介質層5上的第一互連線6A、第二互連線6B和第三互連線6C，三者位于同一層，第一互連線6A與第一導電插塞7A電連接，第二互連線6B與第二導電插塞7B電連接，第三互連線6C和第三導電插塞7C電連接；位于第一互連線6A、第二互連線6B、第三互連線6C和第一層間介質層5上的第二層間介質層8。

射頻電路工作時，射頻信號會經由第二互連線6B上方的其他互連線（未圖示）發送至第二互連線6B、再被第三互連線6C接收，或者，射頻信號會經由第三互連線6C上方的其他互連線（未圖示）發送至第三互連線6C、再被第二互連線6B接收。

但是，在實際應用中發現，該射頻電路中存在嚴重的射頻信號泄漏現象，降低了射頻電路的性能。

發明內容

本發明要解決的問題是：射頻電路中存在嚴重的射頻信號泄漏現象，降低了射頻電路的性能。

為解決上述問題，本發明提供了一種半導體器件，包括：

襯底；

位于襯底的晶體管，包括：柵極、源極和漏極；

位于所述襯底和晶體管上的第一層間介質層；

位于所述第一層間介質層內的第一導電插塞和第二導電插塞；

位于所述第一層間介質層上的第一互連線和第二互連線，所述第一互連線與第一導電插塞電連接，所述第二互連線與第二導電插塞電連接；

位于所述第一層間介質層、第一互連線和第二互連線上的第二層間介質層；

位于所述第一層間介質層和第二層間介質層內的第三導電插塞；

位于所述第二層間介質層上的第三互連線，所述第三互連線與第三導電插塞電連接；

所述第一導電插塞、第二導電插塞和第三導電插塞中，一個與所述源極電連接、一個與所述漏極電連接、另一個與所述柵極電連接。

可選的，所述半導體器件為射頻開關。

可選的，還包括：位于所述第二層間介質層內的第四導電插塞和第五導電插塞，所述第四導電插塞與第一互連線電連接，所述第五導電插塞與第二互連線電連接；

位于所述第二層間介質層上的第四互連線和第五互連線，所述第四互連線與第四導電插塞電連接，所述第五互連線與第五導電插塞電連接。

另外，本發明還提供了一種半導體器件的形成方法，包括：

提供襯底；

形成位于所述襯底的晶體管，所述晶體管包括：柵極、源極和漏極；

在所述襯底和晶體管上形成第一層間介質層；

在所述第一層間介質層內形成第一導電插塞和第二導電插塞；

在所述第一層間介質層上形成第一互連線和第二互連線，所述第一互連線與第一導電插塞電連接，所述第二互連線與第二導電插塞電連接；

在所述第一互連線、第二互連線和第一層間介質層上形成第二層間介質層；

在所述第一層間介質層及第二層間介質層內形成第三導電插塞；

在所述第二層間介質層上形成第三互連線，所述第三互連線與第三導電插塞電連接；

所述第一導電插塞、第二導電插塞和第三導電插塞中，一個與所述源極電連接、一個與所述漏極電連接、另一個與所述柵極電連接。

可選的，形成所述第三互連線之前，還包括：在所述第二層間介質層內形成第四導電插塞和第五導電插塞，所述第四導電插塞與第一互連線電連接，所述第五導電插塞與第二互連線電連接；

在形成所述第三互連線的同時，還在所述第二層間介質層上形成第四互連線和第五互連線，所述第四互連線與第四導電插塞電連接，所述第五互連線與第五導電插塞電連接。

可選的，所述第三導電插塞、第四導電插塞和第五導電插塞的形成方法包括：

對所述第二層間介質層進行第一刻蝕，以形成露出所述第一互連線的第一孔，及露出所述第二互連線的第二孔；

對所述第二層間介質層及第一層間介質層進行第二刻蝕，以形成第三孔；

向所述第一孔、第二孔及第三孔內填充金屬，填充有金屬的第一孔為第四導電插塞，填充有金屬的第二孔為第五導電插塞，填充有金屬的第三孔為第三導電插塞。