[發明專利]半導體器件及其形成方法

有效

• 申請號: 201310315000.6
• 申請日: 2013-07-24
• 公開（公告）號: CN103390609A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 李樂
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張亞利;駱蘇華

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底的晶體管，包括：柵極、源極和漏極；

位于所述襯底和晶體管上的第一層間介質層；

位于所述第一層間介質層內的第一導電插塞和第二導電插塞；

位于所述第一層間介質層上的第一互連線和第二互連線，所述第一互連線與第一導電插塞電連接，所述第二互連線與第二導電插塞電連接；

位于所述第一層間介質層、第一互連線和第二互連線上的第二層間介質層；

位于所述第一層間介質層和第二層間介質層內的第三導電插塞；

位于所述第二層間介質層上的第三互連線，所述第三互連線與第三導電插塞電連接；

所述第一導電插塞、第二導電插塞和第三導電插塞中，一個與所述源極電連接、一個與所述漏極電連接、另一個與所述柵極電連接。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件為射頻開關。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，還包括：位于所述第二層間介質層內的第四導電插塞和第五導電插塞，所述第四導電插塞與第一互連線電連接，所述第五導電插塞與第二互連線電連接；

位于所述第二層間介質層上的第四互連線和第五互連線，所述第四互連線與第四導電插塞電連接，所述第五互連線與第五導電插塞電連接。

4.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

形成位于所述襯底的晶體管，所述晶體管包括：柵極、源極和漏極；

在所述襯底和晶體管上形成第一層間介質層；

在所述第一層間介質層內形成第一導電插塞和第二導電插塞；

在所述第一層間介質層上形成第一互連線和第二互連線，所述第一互連線與第一導電插塞電連接，所述第二互連線與第二導電插塞電連接；

在所述第一互連線、第二互連線和第一層間介質層上形成第二層間介質層；

在所述第一層間介質層及第二層間介質層內形成第三導電插塞；

在所述第二層間介質層上形成第三互連線，所述第三互連線與第三導電插塞電連接；

所述第一導電插塞、第二導電插塞和第三導電插塞中，一個與所述源極電連接、一個與所述漏極電連接、另一個與所述柵極電連接。

5.如權利要求4所述的形成方法，其特征在于，形成所述第三互連線之前，還包括：在所述第二層間介質層內形成第四導電插塞和第五導電插塞，所述第四導電插塞與第一互連線電連接，所述第五導電插塞與第二互連線電連接；

在形成所述第三互連線的同時，還在所述第二層間介質層上形成第四互連線和第五互連線，所述第四互連線與第四導電插塞電連接，所述第五互連線與第五導電插塞電連接。

6.如權利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述第三導電插塞、第四導

電插塞和第五導電插塞的形成方法包括：

對所述第二層間介質層進行第一刻蝕，以形成露出所述第一互連線的第一孔，及露出所述第二互連線的第二孔；

對所述第二層間介質層及第一層間介質層進行第二刻蝕，以形成第三孔；

向所述第一孔、第二孔及第三孔內填充金屬，填充有金屬的第一孔為第四導電插塞，填充有金屬的第二孔為第五導電插塞，填充有金屬的第三孔為第三導電插塞。

7.如權利要求5所述的形成方法，其特征在于，形成第二層間介質層之前，

在所述第一互連線和第二互連線上形成刻蝕阻擋層；

所述第三導電插塞、第四導電插塞和第五導電插塞的形成方法包括：

在所述第二層間介質層上形成圖形化光刻膠層；

以所述圖形化光刻膠層為掩模進行刻蝕，以在第二層間介質層內形成露出所述第一互連線的第一孔及露出所述第二互連線的第二孔，同時在第二層間介質層及第一層間介質層內形成第三孔；

去除所述圖形化光刻膠層之后，向所述第一孔、第二孔及第三孔內填充金屬，填充有金屬的第一孔為第四導電插塞，填充有金屬的第二孔為第五導電插塞，填充有金屬的第三孔為第三導電插塞。

8.如權利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的材料為TiN。

9.如權利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述第一層間介質層的厚度為0.5至1微米，所述第二層間介質層的厚度為0.5至1.5微米。