[發(fā)明專(zhuān)利]靈敏放大器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310314797.8
• 申請(qǐng)日: 2013-07-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104347100B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-03-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王鑫;馮國(guó)友
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C7/06
• 分類(lèi)號(hào): G11C7/06;G11C7/08
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司31211
• 代理人: 丁紀(jì)鐵

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種靈敏放大器。

背景技術(shù)

如圖1所示，現(xiàn)有的靈敏放大器，在讀動(dòng)作之前先需要把M2M4，M3M5所在支路先充電到同一電位，然后關(guān)斷M6M7管，停止充電，打開(kāi)M1管，由于存儲(chǔ)單元sonos?cell的電流和M8管產(chǎn)生的基準(zhǔn)電流不一致，最終out1點(diǎn)和out2點(diǎn)電壓分開(kāi)。完成讀動(dòng)作后M1，M6，M7關(guān)斷將out1，out2電位放到vgnd等待下次充電讀操作。pbias1，nbias1，nbias2作為偏置電壓一直提供。操作過(guò)程是，開(kāi)始a，b的電位均為vpwr，M1M6M7管關(guān)斷，當(dāng)b點(diǎn)電位由vpwr變?yōu)関gnd，M6，M7管打開(kāi)，開(kāi)始對(duì)M2M4管所在支路和M3M5所在支路充電，直到out1電壓等于out2并基本穩(wěn)定為止。然后a點(diǎn)電位由vpwr變?yōu)関gnd，b點(diǎn)電位由vgnd變?yōu)関pwr，M1管打開(kāi)，M6M7管關(guān)斷。由于存儲(chǔ)單元sonos?cell電流和M8管的電流不一致，最終out1和out2點(diǎn)的電壓分開(kāi)不再相等。通過(guò)之后的鎖存電路讀出邏輯0，1，讀動(dòng)作完成。a點(diǎn)電位從vgnd變?yōu)関pwr，M1關(guān)斷。M2M4管所在支路和M3M5管所在支路開(kāi)始放電直到vgnd，等待下次充電讀過(guò)程。在這個(gè)過(guò)程中由于充電需要把電位從vgnd充到一定的穩(wěn)定電位，功耗的主要來(lái)源就是這個(gè)充電的過(guò)程，造成器件功耗的浪費(fèi)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種與現(xiàn)有靈敏放大器相比能降低功耗的靈敏放大器。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的靈敏放大器，包括：第一NMOS管M1漏極接第二NMOS管M2和第三NMOS管M3的源極，第二NMOS管M2和第三NMOS管M3的漏極分別接第四NMOS管M4和第五NMOS管M5的漏極，第二NMOS管M2和第三NMOS管M3柵極相連，第四NMOS管M4和第五NMOS管M5柵極相連，第四NMOS管M4源極接第六NMOS管M6漏極并通過(guò)存儲(chǔ)單元接地，第五NMOS管M5漏極接第七NMOS管M7漏極和第八NMOS管M8漏極并通過(guò)第一電容P1接地，第八NMOS管M8源極接第九NMOS管M9漏極，第九NMOS管M9源極接地，其柵極接控制信號(hào)c。

本發(fā)明通過(guò)增加一個(gè)開(kāi)關(guān)管M9以及控制信號(hào)c來(lái)關(guān)斷讀動(dòng)作結(jié)束后基準(zhǔn)電流支路，不再進(jìn)行放電操作，支路的電位保持在讀動(dòng)作結(jié)束后的狀態(tài)，下次操作的充電過(guò)程就不再?gòu)膙gnd，而是從較高的電位開(kāi)始充電。以此來(lái)降低在充電過(guò)程中所造成的功耗損失。

本發(fā)明原理如下：

增加邏輯控制信號(hào)c控制M9的開(kāi)關(guān)，pbias1，nbias1，nbias2作為偏置電壓一直提供。操作過(guò)程，開(kāi)始a，b的電位均為vpwr，M1M6M7管關(guān)斷，當(dāng)b點(diǎn)電位由vpwr變?yōu)関gnd，M6，M7管打開(kāi)，開(kāi)始對(duì)M2M4管所在支路和M3M5所在支路充電，直到out1電壓等于out2并基本穩(wěn)定為止。然后a點(diǎn)電位由vpwr變?yōu)関gnd，b點(diǎn)電位由vgnd變?yōu)関pwr，M1管打開(kāi)，M6M7管關(guān)斷。由于存儲(chǔ)單元sonos?cell電流和M8管的電流不一致，最終out1和out2點(diǎn)的電壓分開(kāi)不再相等。通過(guò)之后的靈敏放大器電路讀出邏輯0，1，讀動(dòng)作完成。a點(diǎn)電位從vgnd變?yōu)関pwr，M1關(guān)斷。c點(diǎn)電位由vpwr變?yōu)関gnd，關(guān)斷M9，使M3M5管所在支路沒(méi)有放電通路，維持在讀操作結(jié)束時(shí)的電位。下次充電操作，out2點(diǎn)電位就不再是vgnd，而是一個(gè)較高的中間電壓，從而減小充電過(guò)程的功耗損失，本發(fā)明能降低靈敏放大器20%的功耗。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明：

圖1是一種現(xiàn)有的靈敏放大器。

圖2是圖1靈敏放大器的控制時(shí)序圖。

圖3是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4是本發(fā)明的控制時(shí)序圖。

具體實(shí)施方式

如圖3所示，本發(fā)明的靈敏放大器，包括：第一NMOS管M1漏極接第二NMOS管M2和第三NMOS管M3的源極，第二NMOS管M2和第三NMOS管M3的漏極分別接第四NMOS管M4和第五NMOS管M5的漏極，第二NMOS管M2和第三NMOS管M3柵極相連，第四NMOS管M4和第五NMOS管M5柵極相連，第四NMOS管M4源極接第六NMOS管M6漏極并通過(guò)請(qǐng)存儲(chǔ)單元sonoscell接地，第五NMOS管M5漏極接第七NMOS管M7漏極和第八NMOS管M8漏極并通過(guò)第一電容P1接地，第八NMOS管M8源極接第九NMOS管M9漏極，第九NMOS管M9源極接地，其柵極接控制信號(hào)c。