[發明專利]靈敏放大器有效
| 申請號： | 201310314797.8 | 申請日： | 2013-07-24 |
| 公開（公告）號： | CN104347100B | 公開（公告）日： | 2017-03-29 |
| 發明（設計）人： | 王鑫;馮國友 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | G11C7/06 | 分類號： | G11C7/06;G11C7/08 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司31211 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 靈敏 放大器 | ||
【權利要求書】：
1.一種靈敏放大器，其特征是，包括：第一NMOS管（M1）漏極接第二NMOS管（M2）和第三NMOS管（M3）的源極，第二NMOS管（M2）和第三NMOS管（M3）的漏極分別接第四NMOS管（M4）和第五NMOS管（M5）的漏極，第二NMOS管（M2）和第三NMOS管（M3）柵極相連，第四NMOS管（M4）和第五NMOS管（M5）柵極相連，第四NMOS管（M4）源極接第六NMOS管（M6）漏極并通過存儲單元接地，第五NMOS管（M5）漏極接第七NMOS管（M7）漏極和第八NMOS管（M8）漏極并通過第一電容（P1）接地，第八NMOS管（M8）源極接第九NMOS管（M9）漏極，第九NMOS管（M9）源極接地，其柵極接控制信號（c）。
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