[發(fā)明專利]CoSb3熱電納米粉體材料的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310314572.2 | 申請日： | 2013-07-24 |
| 公開（公告）號： | CN103341641A | 公開（公告）日： | 2013-10-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 周健;彭宇;陳仲林 | 申請（專利權(quán)）人： | 廈門大學(xué) |
| 主分類號： | B22F9/24 | 分類號： | B22F9/24 |
| 代理公司： | 廈門南強(qiáng)之路專利事務(wù)所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 馬應(yīng)森 |
| 地址： | 361005 *** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | cosb sub 電納 米粉 材料 制備 方法 | ||
1.CoSb3熱電納米粉體材料的制備方法，其特征在于包括如下步驟：
1）用溶劑配制氯化鈷和氯化銻混合溶液A；
2）在混合溶液A中加入NaOH，得溶液B，待溶液B冷卻后，在溶液B中加入還原劑NaBH4，使溶液B中的鈷離子和銻離子完全被還原，再移入反應(yīng)釜中，密封后放入干燥箱中反應(yīng)，得黑色沉淀物；
3）將步驟2）反應(yīng)得到的黑色沉淀物依次在去離子水和乙醇中離心后干燥，即得CoSb3熱電納米粉體材料。
2.如權(quán)利要求1所述CoSb3熱電納米粉體材料的制備方法，其特征在于在步驟1）中，所述配制氯化鈷和氯化銻混合溶液A的溶劑采用去離子水。
3.如權(quán)利要求1所述CoSb3熱電納米粉體材料的制備方法，其特征在于在步驟1）中，所述氯化鈷和氯化銻的摩爾比為1∶3。
4.如權(quán)利要求1所述CoSb3熱電納米粉體材料的制備方法，其特征在于在步驟1）中，所述混合溶液A中氯化鈷的濃度為0.05～0.1mol/L，氯化銻的濃度為0.15～0.3mol/L。
5.如權(quán)利要求1所述CoSb3熱電納米粉體材料的制備方法，其特征在于在步驟2）中，所述NaOH的加入量與混合溶液A的配比為1.2g∶（20～25）mL，其中，NaOH以質(zhì)量計算，混合溶液A以體積計算。
6.如權(quán)利要求1所述CoSb3熱電納米粉體材料的制備方法，其特征在于在步驟2）中，所述反應(yīng)的溫度為220～280℃，反應(yīng)的時間為8～24h。
7.如權(quán)利要求1所述CoSb3熱電納米粉體材料的制備方法，其特征在于在步驟3）中，所述離心的次數(shù)為3次。
8.如權(quán)利要求1所述CoSb3熱電納米粉體材料的制備方法，其特征在于在步驟3）中，所述離心的時間為5min，離心的轉(zhuǎn)速為5000rpm。
9.如權(quán)利要求1所述CoSb3熱電納米粉體材料的制備方法，其特征在于在步驟3）中，所述干燥的條件是在80℃下干燥5h。
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