[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310314297.4
• 申請日: 2010-02-20
• 公開（公告）號: CN103441199A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭疇溶
• 申請（專利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/12
• 分類號: H01L33/12;H01L33/48;H01L33/00;H01L33/62
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;董文國

本申請是申請日為2010年2月20日、申請?zhí)枮?01010121491.7、發(fā)明名稱為“半導(dǎo)體發(fā)光器件和包括其的發(fā)光器件封裝”的中國專利申請的分案申請。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光器件和具有其的發(fā)光器件封裝。

背景技術(shù)

第III-V族氮化物半導(dǎo)體已經(jīng)廣泛應(yīng)用于光學(xué)器件例如藍色和綠色發(fā)光二極管(LED)、高速開關(guān)裝置例如金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)、高電子遷移率晶體管(HEMT)和異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管(HFET)和照明設(shè)備或顯示設(shè)備的光源。

氮化物半導(dǎo)體主要用于LED或激光二極管(LD)，并且已經(jīng)連續(xù)進行研究以改善氮化物半導(dǎo)體的制造方法或光效率。

發(fā)明內(nèi)容

實施方案提供一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其可防止晶圓變形。

實施方案提供一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其包括設(shè)置在化合物半導(dǎo)體層下方的導(dǎo)電支撐構(gòu)件中的第一緩沖構(gòu)件。

實施方案提供一種發(fā)光器件封裝，其包括具有導(dǎo)電支撐構(gòu)件中的第一緩沖構(gòu)件的發(fā)光器件。

一個實施方案提供一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其包括：包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的多個化合物半導(dǎo)體層；所述多個化合物半導(dǎo)體層下方的電極層；所述電極層下方的導(dǎo)電支撐構(gòu)件；和嵌入所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件中以間隔開的第一緩沖構(gòu)件。

一個實施方案提供一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其包括：包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的多個化合物半導(dǎo)體層；設(shè)置在所述多個化合物半導(dǎo)體層下方且電連接至所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的電極層；電連接至所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的電極；所述電極層下方的導(dǎo)電支撐構(gòu)件；和布置在所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件中以具有與所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件的厚度相等或比所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件的厚度小的高度的第一緩沖構(gòu)件。

一個實施方案提供一種半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝，其包括：主體；在所述主體中的多個引線電極；電連接至所述多個引線電極的發(fā)光器件；和覆蓋所述發(fā)光器件的模制構(gòu)件，其中所述發(fā)光器件包括：包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的多個化合物半導(dǎo)體層；所述多個化合物半導(dǎo)體層下方的電極層；所述電極層下方的導(dǎo)電支撐構(gòu)件；和嵌入所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件中以間隔開的第一緩沖構(gòu)件。

一個或更多個實施方案的細節(jié)在附圖和下文的說明中提出。從說明書和附圖及權(quán)利要求書中，其他特征將變得明顯。

本發(fā)明還涉及以下實施方案。

1.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括：

包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的多個化合物半導(dǎo)體層；

在所述多個化合物半導(dǎo)體層下方的電極層；

在所述電極層下方的導(dǎo)電支撐構(gòu)件；和

嵌入所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件中以間隔開的第一緩沖構(gòu)件。

2.根據(jù)1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述第一緩沖構(gòu)件包含熱膨脹系數(shù)比所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件的熱膨脹系數(shù)小的材料。

3.根據(jù)1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述第一緩沖構(gòu)件包含SiO₂、Si₃N₄、Al₂O₃、TiO₂、SiO_x、SiN_x2、SiN_x、SiO_xN_y和光刻膠中的任一種。

4.根據(jù)1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述第一緩沖構(gòu)件包括點陣圖案、條圖案、多個圓頂圖案、多個同心圓圖案和交叉型矩陣圖案中的至少一種。

5.根據(jù)1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述第一緩沖構(gòu)件的高度形成為與所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件的厚度相同。

6.根據(jù)1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括在所述多個化合物半導(dǎo)體層和所述電極層之間的溝道層，所述溝道層選擇性地包含氧化物和氮化物。

7.根據(jù)1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述第一緩沖構(gòu)件布置為具有規(guī)則間隔或不規(guī)則間隔。

8.根據(jù)1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括連接至所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的電極。

9.根據(jù)1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件包括Cu、Au、Ni和Mo中的至少一種。

10.根據(jù)1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述第一緩沖構(gòu)件形成為距離所述電極層的底部約10μm至約300μm。

11.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括：

包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的多個化合物半導(dǎo)體層；

設(shè)置在所述多個化合物半導(dǎo)體層下方且連接至所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的電極層；