[發明專利]半導體發光器件

有效

• 申請號: 201310314297.4
• 申請日: 2010-02-20
• 公開（公告）號: CN103441199A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發明（設計）人: 鄭疇溶
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/12
• 分類號: H01L33/12;H01L33/48;H01L33/00;H01L33/62
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;董文國

1.一種半導體發光器件，包括：

包括第一導電半導體層、有源層和第二導電半導體層的多個化合物半導體層；

在所述多個化合物半導體層下方的電極層；

在所述多個化合物半導體層和所述電極層之間的溝道層；

在所述電極層下方的導電支撐構件；和

嵌入所述導電支撐構件中以間隔開的第一緩沖構件；

在所述第一導電半導體層上的電極；

其中所述溝道層的至少一個上表面暴露出，以及

其中所述第一緩沖構件利用所述電極層物理地連接至所述多個化合物半導體層。

2.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中所述多個化合物半導體層的橫向寬度小于所述導電支撐構件的橫向寬度。

3.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中所述電極層包括Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf和由它們的選擇性組合組成的材料中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中所述電極層包括具有歐姆特性的反射電極材料。

5.根據權利要求1所述的半導體發光器件，還包括形成于所述電極層和所述第二導電半導體層之間的歐姆特性圖案。

6.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中所述電極層包括基于氧化物或氮化物的導電材料。

7.根據權利要求1所述的半導體發光器件，還包括形成于所述電極層和所述第二導電半導體層之間的電流阻擋層。

8.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中所述第一緩沖構件包含熱膨脹系數比所述導電支撐構件的熱膨脹系數小的材料。

9.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中所述第一緩沖構件包含SiO₂、Si₃N₄、Al₂O₃、TiO₂、SiO_x、SiN_x2、SiN_x、SiO_xN_y和光刻膠中的任一種。

10.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中所述第一緩沖構件包括點陣圖案、條圖案、多個圓頂圖案、多個同心圓圖案和交叉型矩陣圖案中的至少一種。

11.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中所述第一緩沖構件的高度形成為與所述導電支撐構件的厚度相同。

12.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中所述第一緩沖構件布置為具有規則間隔或不規則間隔。

13.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中所述第一緩沖構件形成為距離所述電極層的底部約10μm至約300μm。

14.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中所述導電支撐構件包括Cu、Au、Ni和Mo中的至少一種。

15.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中所述溝道層在所述第二導電半導體層的下表面周邊處形成為框狀。

16.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中所述溝道層包括進入所述多個化合物半導體層中的絕緣突起。

17.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其中所述電極下方的第一緩沖構件的高度比所述溝道層下方的第一緩沖構件的高度高。

18.根據權利要求1所述的半導體發光器件，還包括設置在所述電極層下方以與所述電極垂直重疊的第二緩沖構件。

19.根據權利要求18所述的半導體發光器件，其中所述第二緩沖構件包括金屬。

20.根據權利要求19所述的半導體發光器件，其中所述第一緩沖構件和所述第二緩沖構件二者均形成在所述導電支撐構件內。