[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310314297.4 | 申請(qǐng)日： | 2010-02-20 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103441199A | 公開（公告）日： | 2013-12-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鄭疇溶 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/12 | 分類號(hào)： | H01L33/12;H01L33/48;H01L33/00;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 顧晉偉;董文國 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 發(fā)光 器件 | ||
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括：
包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的多個(gè)化合物半導(dǎo)體層；
在所述多個(gè)化合物半導(dǎo)體層下方的電極層；
在所述多個(gè)化合物半導(dǎo)體層和所述電極層之間的溝道層；
在所述電極層下方的導(dǎo)電支撐構(gòu)件；和
嵌入所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件中以間隔開的第一緩沖構(gòu)件；
在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的電極；
其中所述溝道層的至少一個(gè)上表面暴露出，以及
其中所述第一緩沖構(gòu)件利用所述電極層物理地連接至所述多個(gè)化合物半導(dǎo)體層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述多個(gè)化合物半導(dǎo)體層的橫向?qū)挾刃∮谒鰧?dǎo)電支撐構(gòu)件的橫向?qū)挾取?/p>
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述電極層包括Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf和由它們的選擇性組合組成的材料中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述電極層包括具有歐姆特性的反射電極材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，還包括形成于所述電極層和所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間的歐姆特性圖案。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述電極層包括基于氧化物或氮化物的導(dǎo)電材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，還包括形成于所述電極層和所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間的電流阻擋層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述第一緩沖構(gòu)件包含熱膨脹系數(shù)比所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件的熱膨脹系數(shù)小的材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述第一緩沖構(gòu)件包含SiO2、Si3N4、Al2O3、TiO2、SiOx、SiNx2、SiNx、SiOxNy和光刻膠中的任一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述第一緩沖構(gòu)件包括點(diǎn)陣圖案、條圖案、多個(gè)圓頂圖案、多個(gè)同心圓圖案和交叉型矩陣圖案中的至少一種。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述第一緩沖構(gòu)件的高度形成為與所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件的厚度相同。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述第一緩沖構(gòu)件布置為具有規(guī)則間隔或不規(guī)則間隔。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述第一緩沖構(gòu)件形成為距離所述電極層的底部約10μm至約300μm。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件包括Cu、Au、Ni和Mo中的至少一種。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述溝道層在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的下表面周邊處形成為框狀。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述溝道層包括進(jìn)入所述多個(gè)化合物半導(dǎo)體層中的絕緣突起。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述電極下方的第一緩沖構(gòu)件的高度比所述溝道層下方的第一緩沖構(gòu)件的高度高。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，還包括設(shè)置在所述電極層下方以與所述電極垂直重疊的第二緩沖構(gòu)件。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述第二緩沖構(gòu)件包括金屬。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述第一緩沖構(gòu)件和所述第二緩沖構(gòu)件二者均形成在所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件內(nèi)。
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