[發明專利]鰭式二極管結構

有效

• 申請號: 201310314296.X
• 申請日: 2013-07-24
• 公開（公告）號: CN104347729B
• 公開（公告）日: 2018-09-04
• 發明（設計）人: 王暢資;張秉真;唐天浩;蘇冠丞
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 史新宏

1.一種鰭式二極管結構，包含：

一基底；

一摻雜井，形成在該基底中；

多個第一導電類型鰭部與多個第二導電類型鰭部凸出于該摻雜井上，其中各個這些第一導電類型鰭部以及這些第二導電類型鰭部以淺溝渠隔離結構分隔；以及

一第一導電類型摻雜區，全面性地形成在這些第一導電類型鰭部、這些第二導電類型鰭部以及該淺溝渠隔離結構與該摻雜井之間的該基底中并與這些第一導電類型鰭部以及這些第二導電類型鰭部連接，

其中該第一導電類型鰭部的摻雜濃度大于該第一導電類型摻雜區的摻雜濃度，該第一導電類型摻雜區的摻雜濃度大于該第一導電類型的摻雜井的摻雜濃度。

2.如權利要求1所述的鰭式二極管結構，其中該第一導電類型摻雜區在該第二導電類型鰭部中與該第二導電類型鰭部相接形成接面。

3.如權利要求1所述的鰭式二極管結構，其中該第一導電類型為P型，該第二導電類型為N型。

4.如權利要求1所述的鰭式二極管結構，其中該第一導電類型為N型，該第二導電類型為P型。

5.如權利要求1所述的鰭式二極管結構，其中該摻雜井為第一導電類型摻雜井或第二導電類型摻雜井。

6.一種鰭式二極管結構，包含：

一基底；

一摻雜井，形成在該基底中；

多個第一導電類型鰭部與多個第二導電類型鰭部從該基底上凸出，其中各個這些第一導電類型鰭部以及這些第二導電類型鰭部以淺溝渠隔離結構分隔；

至少一第一導電類型摻雜區，形成在這些第一導電類型鰭部以及部分的該淺溝渠隔離結構與該摻雜井之間的該基底中并與這些第一導電類型鰭部連接；以及

至少一第二導電類型摻雜區，形成在這些第二導電類型鰭部以及部分的該淺溝渠隔離結構與該摻雜井之間的該基底中并與這些第二導電類型鰭部連接，其中該第一導電類型摻雜區與該第二導電類型摻雜區在該基底中相接形成接面。

7.如權利要求6所述的鰭式二極管結構，其中該第一導電類型為P型，該第二導電類型為N型。

8.如權利要求6所述的鰭式二極管結構，其中該第一導電類型為N型，該第二導電類型為P型。

9.如權利要求6所述的鰭式二極管結構，其中該摻雜井為第一導電類型摻雜井或第二導電類型摻雜井。

10.如權利要求6所述的鰭式二極管結構，其中該第一導電類型鰭部的摻雜濃度大于該第一導電類型摻雜區的摻雜濃度，該第一導電類型摻雜區的摻雜濃度大于該第一導電類型的摻雜井的摻雜濃度。

11.一種制作鰭式二極管結構的方法，其步驟包含：

提供一基底；

在該基底中形成一摻雜井；

在該摻雜井中形成至少一第一導電類型摻雜區或至少一第二導電類型摻雜區；

對該第一導電類型摻雜區或該第二導電類型摻雜區進行一蝕刻工藝，以在該第一導電類型摻雜區或該第二導電類型摻雜區上形成多個鰭部；

在各個這些鰭部之間形成淺溝渠隔離結構；以及

對這些鰭部進行摻雜步驟，以形成第一導電類型鰭部以及第二導電類型鰭部。

12.如權利要求11所述的制作鰭式二極管結構的方法，其中該摻雜步驟包含離子布植工藝或擴散工藝。

13.如權利要求11所述的制作鰭式二極管結構的方法，其中該形成多個鰭部的步驟還包含：

在該第一導電類型摻雜區或該第二導電類型摻雜區上形成圖案化硬遮罩層；以及

以該圖案化硬遮罩層作為蝕刻遮罩對該第一導電類型摻雜區或該第二導電類型摻雜區進行蝕刻，形成該多個鰭部。